公开(公告)号：CN103297906B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201310056571.2

申请日：2013-02-22

Applicant: 欧力天工股份有限公司

Inventor： 秋野裕 ,  池田达也 ,  吉野智

IPC: H04R19/01

CPC classification number: H04R1/326 ,  B81B2201/0257 ,  H04R1/342 ,  H04R19/04 ,  H04R2201/003

Abstract: 本发明是单指向性电容式传声器及其音响阻抗调整方法。在单指向性电容式传声器中，对音响端子间距离不同的传声器可共用支撑固定极的绝缘座。对穿通设置有多个音孔（32）的绝缘座（31），通过规定的音孔闭塞单元将多个音孔（32）中的规定的音孔（32）进行音响闭塞并进行粗调整，通过由音响阻抗调整单元（50）（调整螺母（51））给音响阻抗材（40）施加规定的压缩力并进行微调节，来调整从后部音响端子到振动板的背面的音波通路中存在的音响阻抗。

公开(公告)号：CN107836036A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201680040930.7

申请日：2016-07-07

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·毛 ,  H·阮 ,  L·阮 ,  A·波达尔

IPC: H01L21/52

CPC classification number: B81C1/00873 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/047 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/098 ,  B81C1/00333 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2203/0136 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511

Abstract: 在所描述的用于以面板形式制造具有开口腔(110a)的封装的半导体器件的方法的示例中，此方法包括：将具有平坦焊盘(230)的金属块的面板大小的网格和对称放置的垂直柱体(231)放置在粘合承载胶带上；将半导体芯片(101)附加到胶带上，其中传感器系统面朝下；层压并减薄低CTE绝缘材料以填充芯片和网格之间的间隙；翻转组件以移除胶带；等离子-清洗组件正面，穿过组件溅射和图案化均匀的金属层，并可选择地电镀金属层以形成针对组件的重布迹线和延伸接触焊盘；穿过面板层压(212)绝缘增强板；在增强板中使腔开口(213)以进入传感器系统；并通过切割金属块来切单(214)封装器件。

公开(公告)号：CN107799388A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201610805514.3

申请日：2016-09-06

Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 王贤超

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/13

CPC classification number: H01L21/76804 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00587 ,  B81C2201/014 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/56 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/4232 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02109 ,  H01L23/13

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括：衬底以及位于该衬底上的多层膜，其中所述多层膜形成台阶；形成覆盖在台阶上的保护层；在保护层上形成覆盖所述半导体结构的覆盖层；以及去除所述多层膜中的至少一层膜以形成由覆盖层与所述多层膜中剩余的至少一层膜构成的空腔。本发明可以解决现有技术中形成空腔时所使用的刻蚀工艺对覆盖层的台阶造成损害而产生裂缝的问题，从而可以提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN105191352B

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201380074451.3

申请日：2013-09-09

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 井上匡志 ,  笠井隆 ,  内田雄喜

IPC: H04R19/04 ,  B81B3/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: H04R7/18 ,  B81B7/0006 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2207/07 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/16152 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R2410/03 ,  H01L2924/00014

Abstract: 在硅基板(22)的上表面，以覆盖硅基板(22)的腔的方式配置有隔膜(24)。在硅基板(22)的上表面设有多个固定构件(27)，隔膜(24)的角部下表面由固定构件(27)支撑。另外，在隔膜(24)的上方，隔着空气间隙设有固定电极板。当从与硅基板(22)的上表面垂直的方向观察时，位于相邻的固定构件(27)之间的隔膜(24)的外缘的全长位于线段(G)的外侧，该线段(G)在远离隔膜(24)的中心侧与相邻的固定构件(27)的边缘外切。另外，在隔膜(24)的固定构件附近，分别开设有一个或者两个以上的通孔(25)。

公开(公告)号：CN107074528A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580046699.8

申请日：2015-06-23

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·斯顿珀尔 ,  B·施泰因 ,  C·舍林

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00801

Abstract: 本发明提出一种层材料，该层材料特别好地适用于实现在MEMS构件(102)的层结构中的具有电极(7)的悬置的结构元件(31)。根据本发明所述悬置的结构元件(31)应至少部分由基于硅碳氮化物(Si1‑x‑yCxNy)的层组成。

公开(公告)号：CN106946210A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201611022323.6

申请日：2016-11-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.德赫 ,  C.格拉策

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H04R19/04

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B3/0008 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/013 ,  H04R3/00 ,  H04R7/122 ,  H04R19/005 ,  H04R31/00 ,  H04R31/003 ,  H04R2207/00 ,  B81B3/0027 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/0038

Abstract: 本发明涉及用于垂直电极换能器的系统和方法。根据实施例，一种操作具有薄膜的微机电系统(MEMS)换能器的方法包括：使用第一对静电驱动电极在薄膜的平面外偏转和第一对静电驱动电极上的电压之间转化。第一对静电驱动电极被形成在薄膜上，沿平面外方向延伸并且在第一对静电驱动电极之间形成可变电容。

公开(公告)号：CN104418289B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410423786.8

申请日：2014-08-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S.巴尔岑 ,  A.德赫

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H04R31/003 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/013 ,  H04R1/08 ,  H04R19/005 ,  H04R31/006 ,  H04R2201/003

Abstract: 公开了一种MEMS器件，包括背板电极以及被部署为与所述背板电极间隔开的隔膜。所述隔膜包括可移位部分和固定部分。布置所述背板电极和所述隔膜，以使得所述隔膜的所述固定部分与所述背板电极的重叠区域小于最大重叠。

公开(公告)号：CN103369441B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310099965.6

申请日：2013-03-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 阿尔方斯·德赫 ,  克里斯蒂安·赫聚姆 ,  马丁·乌策

IPC: H04R19/04 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/007 ,  B81B3/0018 ,  B81B3/0035 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00158 ,  H04R7/06 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 本发明公开了半导体装置、MEMS结构和制作MEMS装置的电极的方法。在一个实施例中，半导体装置包括衬底、可动电极和反电极，其中，可动电极和反电极机械连接至衬底。可动电极被配置为使可动薄膜的内区刚性。

公开(公告)号：CN106458575A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580024337.9

申请日：2015-05-08

Applicant: 因文森斯公司

Inventor： J·M-L·特赛 ,  B·恰达塞尔 ,  M·利姆 ,  A·S·亨金

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01L23/08

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0023 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/16152 ,  H04R1/04 ,  H04R19/04 ,  H04R29/004 ,  H04R2201/003 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文披露一种包括至少一环境感测器以及至少一MEMS声敏感测器的集成封装件。该封装件包含一分享端口，用于将该两个感测器暴露于该环境中，其中，该环境感测器测量该环境的特性，该声敏感测器测量声波。该端口将该环境感测器暴露于气流以及将该声敏感测器暴露于声波。该声敏感测器的一个实施例为一麦克风，该环境感测器的一个实施例为湿度感测器。

公开(公告)号：CN104169657B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201380013497.4

申请日：2013-03-12

Applicant: W.L.戈尔及同仁股份有限公司

Inventor： A·J·霍利达

IPC: F24F7/00

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B01D53/228 ,  B01D69/12 ,  B01D71/06 ,  B23B3/00 ,  B32B3/266 ,  B32B37/18 ,  B32B38/0004 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00293 ,  H04R1/28 ,  H04R25/456 ,  H04R2460/11 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T428/24331

Abstract: 本发明涉及包括多个排气区域的排气阵列，排气区域包括多孔PTFE基底材料和包括具有多个穿孔的基质材料的无孔材料，其中，基质材料填充多孔PTFE基底的孔，以形成无孔区域，该无孔区域使多个排气区域互连。