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公开(公告)号：KR1020010028167A
公开(公告)日：2001-04-06
申请号：KR1019990040257
申请日：1999-09-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/085
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a trench gate power device is provided to reduce the number of etching masks, by forming a source region after an N- well or P- well is formed by using a trench gate mask and a sidewall layer is formed to manufacture a trench gate. CONSTITUTION: After N- epi layer(2) is grown and an oxide layer is formed on an N+ silicon substrate, a portion for a trench gate is defined and etched to form a P- well(5). A layer for forming a sidewall layer and the trench gate is formed. After a portion of the sidewall layer is defined, the layer for the sidewall layer is etched to form the sidewall layer. The N- epi layer is etched by a depth deeper than that of the P- well to form the trench structure. After a gate oxide layer(9) is grown, a polycrystalline silicon thin film doped with impurities is deposited to fill a trench. The polycrystalline silicon thin film is anisotropically etched to form a polycrystalline gate structure(10). After the sidewall layer is removed, N+ impurity ions are implanted into the region where the sidewall layer is eliminated, to form a source region(11). The oxide layers(3,4) are etched and a field oxide layer(12) are grown. A portion where a source electrode(13) contacts a gate electrode is formed. After a metal layer is deposited to form the source electrode and the gate electrode, a drain electrode(14) is formed on a back side of the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造沟槽栅极功率器件的方法，以通过在通过使用沟槽栅极掩模形成N阱或P-阱之后形成源极区域来减少蚀刻掩模的数量，并且将侧壁层形成为 制造沟槽门。 构成：在N外延层（2）生长并且在N +硅衬底上形成氧化物层之后，限定并蚀刻用于沟槽栅极的部分以形成P阱（5）。 形成用于形成侧壁层和沟槽栅极的层。 在限定侧壁层的一部分之后，蚀刻用于侧壁层的层以形成侧壁层。 通过深度比P-阱的深度蚀刻N外延层以形成沟槽结构。 在栅极氧化物层（9）生长之后，沉积掺杂有杂质的多晶硅薄膜以填充沟槽。 多晶硅薄膜被各向异性蚀刻以形成多晶栅极结构（10）。 在去除侧壁层之后，将N +杂质离子注入到去除侧壁层的区域中以形成源极区域（11）。 蚀刻氧化物层（3,4）并生长场氧化物层（12）。 形成源电极（13）与栅电极接触的部分。 在沉积金属层以形成源电极和栅电极之后，在基板的背面形成漏电极（14）。
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公开(公告)号：KR1020010011735A
公开(公告)日：2001-02-15
申请号：KR1019990031256
申请日：1999-07-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C09K11/08
CPC classification number: C09K11/7703
Abstract: PURPOSE: The titled phosphor capable of manufacturing a fluorescent display without causing desorption by electronic scanning for a long period of time and having high fluorescent efficiency and color purity at low voltages and process for producing the same are provided, which can be produced at low cost in a simple manner. CONSTITUTION: This phosphor contains at least one or more bivalent transition metal elements and two or more trivalent metal elements and comprises a composition represented by the formula, SrTi1-x-yMxNyO3:zPr3+ in which M represents a bivalent transition metal element, N represents Ga, or a trivalent metal element of Al, In and B, 0≤x≤0.1, 0≤y≤0.1, 0≤z≤0.1. The phosphor is prepared by sintering the composition at 900 to 1,300deg.C for less than 10 hr.
Abstract translation: 目的：提供能够制造荧光显示器的标题荧光体，而不会长时间通过电子扫描而导致解吸，并且在低电压下具有高荧光效率和色纯度，并且其制造方法可以低成本生产 以简单的方式。 构成：该荧光体含有至少一种以上的二价过渡金属元素和两种以上的三价金属元素，其含有式SrTi1-x-yMxNyO3：zPr3 +，其中M表示二价过渡金属元素，N表示Ga ，或Al，In和B的三价金属元素，0≤x≤0.1,0≤y≤0.1,0≤z≤0.1。 通过在900〜1300℃下将组合物烧结少于10小时来制备荧光体。
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公开(公告)号：KR1020010010348A
公开(公告)日：2001-02-05
申请号：KR1019990029172
申请日：1999-07-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A resonant tunneling transistor having carbon nano tubes as source/drain is provided to allow a switching operation at room temperature. CONSTITUTION: A resonant tunneling transistor includes the first carbon nano tube(1) acting as a source, the second carbon nano tube(2) acting as a drain, a C60 molecule(4) forming an electron overlap region, and an insulative metal compound(3) connecting the first and the second carbon nano tubes(1,2) to the C60 molecule(4), respectively, and acting as a tunneling barrier to electron. The first carbon nano tube(1) is shorter in length than the second carbon nano tube(2), and thereby a switching operation can be possible. In addition, the carbon nano tubes(1,2) have no need of doping, and further, have a nanometer size in all directions as well as an electron flow direction. Moreover, since one-directional tunneling is made in a molecule level, a switching operation at room temperature can be possible.
Abstract translation: 目的：提供具有碳纳米管作为源极/漏极的谐振隧穿晶体管，以允许在室温下的开关操作。 构成：谐振隧道晶体管包括用作源的第一碳纳米管（1），用作漏极的第二碳纳米管（2），形成电子重叠区的C60分子（4）和绝缘金属化合物 （3）分别将第一和第二碳纳米管（1,2）连接到C60分子（4），并且作为电子的隧道势垒。 第一碳纳米管（1）的长度比第二碳纳米管（2）短，从而可以进行切换操作。 此外，碳纳米管（1,2）不需要掺杂，并且还具有在所有方向上的纳米尺寸以及电子流动方向。 此外，由于在分子水平上进行单向隧穿，因此在室温下的切换操作是可能的。
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公开(公告)号：KR100277833B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019980042335
申请日：1998-10-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05H1/00
Abstract: 본 발명은 노즐 뚜껑, 플라즈마 튜브 및 초고주파(RF:radio frequency) 유도코일에 완충노즐 뚜껑, 상층금속 차단막 및 하층금속 차단막을 부착하여 챔버로부터 분리효과를 줌으로써 플라즈마 압력을 수백에서 수천 토르(torr)의 압력으로 유지하여 안정된 플라즈마를 발생하고 유지하도록 하는 RF 유도 플라즈마 소스 발생장치에 관한 것이다. 이와같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 수단은 PBN 튜브와, RF 유도코일과, 노즐과, 노즐 뚜껑으로 구성된 RF 유도 플라즈마 소스 발생장치에 있어서, 상기 플라즈마 튜브내에 형성된 플라즈마 소스의 압력을 완충하는 완충노즐과, 상기 노즐 뚜껑과 플라즈마 튜브 사이에 설치되어, 가스흐름을 조절하여 챔버압력과 플라즈마 압력의 차이를 조절하는 완충노즐 뚜껑과, 상기 완충노즐 뚜껑, 노즐 뚜껑 및 플라즈마 튜브의 PBN 입구 언저리 부위를 봉합하여 가스의 누출을 방지하는 밀봉막과, 상기 RF 유도코일에서 유도된 RF 전계의 퍼짐을 차단하여 플라즈마 소스를 집속시키는 상층 금속 차단막 및 하층 금속 차단막을 포함하여 구성된다.
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公开(公告)号：KR1020000065562A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：KR1019990011966
申请日：1999-04-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G03F7/207
CPC classification number: G03F7/70191 , G02B17/08 , G02B27/0075 , G03F7/70341 , G03F7/70775 , G03F7/7085
Abstract: PURPOSE: A method for controlling an extension scope of a focus depth in an optical system using a double refraction material is provided to extend a depth of a focus by having an image of the optical system focused in different positions in an optical axis direction, and to control a position of the image by a simple manipulation of optical parts in the optical system. CONSTITUTION: In an optical system of an exposure equipment for forming a fine shape by focusing an image of an original mask on a photoresist layer applied on a substrate, parts forming the optical system is composed of penetrating optical parts made of a double refraction material or an optical unit composed of a combination of the penetrating optical parts. A depth of a focus is extended by having the image focused in different positions in an optical axis direction. And, the scope of the focus is controlled and maintained.
Abstract translation: 目的：提供一种用于控制使用双折射材料的光学系统中的聚焦深度的扩展范围的方法，以通过使光学系统的图像在光轴方向上聚焦在不同位置来延长焦点的深度，以及 以通过简单地操纵光学系统中的光学部件来控制图像的位置。 构成：在用于通过将原始掩模的图像聚焦在施加在基板上的光致抗蚀剂层上形成微细形状的曝光设备的光学系统中，形成光学系统的部件由穿透光学部件组成，由双折射材料制成， 由穿透光学部件的组合构成的光学单元。 通过使图像在光轴方向上聚焦在不同位置来扩大焦点的深度。 并且，重点的范围得到控制和维护。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020000037779A
公开(公告)日：2000-07-05
申请号：KR1019980052528
申请日：1998-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a diaphragm for an exposure equipment is provided to maintain the resolution and improve the light transmitting degree. CONSTITUTION: A first resist pattern is formed in a selected area on a substrate. A first optical shielding material is formed on the substrate, which includes the first resist pattern. After the first resist pattern is removed, a second resist is formed on the structure. Then, the central portion of the second resist is removed. After a second optical shielding material is formed on the structure, the second resist is removed.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造用于曝光设备的隔膜的方法以保持分辨率并提高透光度。 构成：在衬底上的选定区域中形成第一抗蚀剂图案。 第一光屏蔽材料形成在包括第一抗蚀剂图案的基板上。 在去除第一抗蚀剂图案之后，在结构上形成第二抗蚀剂。 然后，除去第二抗蚀剂的中心部分。 在结构上形成第二光屏蔽材料之后，去除第二抗蚀剂。
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公开(公告)号：KR100258174B1
公开(公告)日：2000-06-01
申请号：KR1019970053135
申请日：1997-10-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: PURPOSE: A field emission display having stable electron emission characteristic and manufacturing method thereof is provided to improve stability and uniformity of electron emission characteristic by adapting resistor, coating film and control thin film transistor on the cathode tip in field emission display. CONSTITUTION: A silicon thin film(210) is formed on the top of insulated substrate(20). Cathode electrode(211) is formed at the selected area of silicon thin film(210). Cylindrical insulator(212) is formed at the selected area of cathode electrode. Conical cathode(213) is formed at the top of insulator. Thin coating film is formed at the surface of cathode. The first gate is insulated electrically by above cathode electrode(211) and the first gate insulation film and is apart in a designated distance from above cathode(213). Drain(222) is formed to be connected electrically with cathode electrode at silicon thin film. Source(223) is formed at silicon thin film leaving above drain(222) and channel(221) between an interval. The second gate is formed to be insulated electrically by above channel(221) and the second gate insulation film.
Abstract translation: 目的：提供具有稳定的电子发射特性的场发射显示器及其制造方法，以通过在场发射显示器中使阴极尖端上的电阻器，涂膜和控制薄膜晶体管适配来改善电子发射特性的稳定性和均匀性。 构成：在绝缘基板（20）的顶部上形成硅薄膜（210）。 阴极电极（211）形成在硅薄膜（210）的选定区域。 在阴极的选定区域形成圆柱形绝缘体（212）。 锥形阴极（213）形成在绝缘体的顶部。 在阴极表面形成薄膜。 第一栅极由上述阴极电极（211）和第一栅极绝缘膜电绝缘，并且与阴极（213）之间的指定距离分开。 漏极（222）形成为在硅薄膜处与阴极电连接。 源极（223）形成在硅薄膜上，在间隔之间留下漏极（222）和沟道（221）。 第二栅极形成为通过上述沟道（221）和第二栅极绝缘膜电绝缘。
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公开(公告)号：KR100233853B1
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：KR1019960056398
申请日：1996-11-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: 본 발명은 전자원 장치(electron source device)에 관한 것으로, 절연성 기판 위에 기둥이 있는 원추형의 캐소드(cathode)를 가지며, 기둥 부분은 도핑되지 않은(undoped) 실리콘으로 구성되고, 원추 부분은 전체 또는 일부가 도핑된 실리콘으로 구성되어 있고, 600℃이하의 반도체 공정으로 제조될 수 있기 때문에 대면적 및 저가격의 유리를 기판으로 사용할 수 있고, 또한 제조 생산성을 크게 증대시킬 수 있는 전계방출 소자의 구조 및 제조 방법이 제시된다.
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公开(公告)号：KR1019990051077A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970070316
申请日：1997-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명의 광전소자는 전계방출에 의한 전자를 반도체 소자에 주입하여 전자-정공쌍을 생성시키킴으로써 그들의 재결합과정에서 단파장의 광자를 발생시키는 원리와 발생된 광자를 가두어 양자우물의 에너지 준위에 일치하는 광방출을 유도한다.
본 발명은 복수개의 가속전극을 가지는 광소자와 복수개의 가속전극을 가지는 전계 방출소자를 합착하여 구성되며, 5-6eV 부위의 에너지밴드갭 즉 200-250nm 정도의 단파장 광소자를 제작하는 방법에 대한 것으로 전계방출소자에서 주입되는 전자로 전자-정공쌍을 생성시키며 그들의 재결합시 광자를 방출하는 원리를 이용 한다. 이 방법을 이용하면 반도체를 np접합을 만들기 위한 불순물도핑이 필요치 않으며, 고에너지의 전자는 하나 이상의 전자-정공쌍을 발생시키게 되므로 매우 높은 효율을 낼 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019990050436A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970069555
申请日：1997-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: 본 발명은 전계 방출 소자 (Field Emitter Device)를 위한 팁 제작에 관한 것으로, 팁의 기둥부분을 전류제한을 위한 저항층으로 사용하려고 할 때, 저항의 크기를 자유롭게 조절할 수 있는 방법에 관한 것이다. 실리콘이나 비정질 실리콘 혹은 폴리 실리콘 등으로 팁을 만드는 과정에서 첫번째 단계에서 등방성 식각을 하여 팁의 모양을 형성하고, LTO(Low Temperature Oxide)나 기타 측벽증착특성이 우수한 방법으로 측벽(side-wall)의 두께를 자유롭게 조절, 다음 단계에서 비등방성 식각을 하여 기둥부분의 반지름을 조절할 수 있다. 이러한 방법은 기둥부분의 높이와 반지름을 측벽 산화막의 두께와 식각시간으로 자유롭게 조절할 수 있어서 원하는 저항값을 쉽게 조절할 수 있다. 이는 전계 방출 소자의 방출 전류를 안정화시키는 데 유용한 기술이 될 것이다.
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