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    SWITCHABLE GAS CLUSTER AND ATOMIC ION GUN, AND METHOD OF SURFACE PROCESSING USING THE GUN
    221.
    发明申请
    SWITCHABLE GAS CLUSTER AND ATOMIC ION GUN, AND METHOD OF SURFACE PROCESSING USING THE GUN 审中-公开
    可切换气体组合和原子枪，以及使用枪的表面处理方法

    公开(公告)号：WO2012049110A3

    公开(公告)日：2012-06-28

    申请号：PCT/EP2011067626

    申请日：2011-10-10

    Applicant: VG SYSTEMS LTD ,  BARNARD BRYAN

    Inventor： BARNARD BRYAN

    IPC: H01J37/08

    CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/026 ,  H01J37/05 ,  H01J37/3171 ,  H01J49/142 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/0827

    Abstract: A method of processing one or more surfaces is provided, comprising: providing a switchable ion gun (1) which is switchable between a cluster mode setting for producing an ion beam substantially comprising ionised gas clusters for irradiating a surface and an atomic mode setting for producing an ion beam substantially comprising ionised gas atoms for irradiating a surface; and selectively operating the ion gun in the cluster mode by mass selecting ionised gas clusters using a variable mass selector thereby irradiating a surface substantially with ionised gas clusters or the atomic mode by mass selecting ionised gas atoms using a variable mass selector thereby irradiating a surface substantially with ionised gas atoms. Also provided is a switchable ion gun comprising: a gas expansion nozzle (4) for producing gas clusters; an ionisation chamber for ionising the gas clusters and gas atoms; and a variable (preferably a magnetic sector) mass selector (50) for mass selecting the ionised gas clusters and ionised gas atoms to produce an ion beam variable between substantially comprising ionised gas clusters and substantially comprising ionised gas atoms. Preferably, the gun comprises an electrically floating flight tube (52) for adjusting the energy of the ions whilst within the mass selector.

    Abstract translation: 提供了一种处理一个或多个表面的方法，包括：提供可切换离子枪（1），其可在用于产生基本上包括用于照射表面的电离气体簇的离子束的簇模式设置和用于产生辐射的原子模式设置之间切换 基本上包含用于照射表面的电离气体原子的离子束; 并且通过使用可变质量选择器质量选择电离气体簇来选择性地操作离子枪，从而通过使用可变质量选择器大量选择电离气体原子而基本上用电离气体簇或原子模式照射表面，从而基本上照射表面 具有电离气体原子。 还提供了一种可切换离子枪，包括：用于产生气体团的气体膨胀喷嘴（4） 用于电离气团和气原子的电离室; 以及用于质量选择电离气体团簇和电离气体原子以产生基本上包含电离气体团簇并且基本上包含电离气体原子的离子束可变的变量（优选磁性扇形体）质量选择器（50）。 优选地，枪包括用于在质量选择器内调节离子的能量的电浮动飞行管（52）。

    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM BESCHICHTEN EINER OBERFLÄCHE
    223.
    发明申请
    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM BESCHICHTEN EINER OBERFLÄCHE 审中-公开
    方法和设备用于涂覆表面的

    公开(公告)号：WO2011160749A1

    公开(公告)日：2011-12-29

    申请号：PCT/EP2011/002468

    申请日：2011-05-18

    Applicant: MERCK PATENT GMBH ,  STOESSEL, Philipp ,  HEIL, Holger ,  SPREITZER, Hubert ,  SCHUBACH, Bernhard ,  DASENBROCK, Johannes

    Inventor： STOESSEL, Philipp ,  HEIL, Holger ,  SPREITZER, Hubert ,  SCHUBACH, Bernhard ,  DASENBROCK, Johannes

    IPC: C23C14/04 ,  C23C14/12 ,  C23C14/32 ,  H01L51/00 ,  H01J37/317

    CPC classification number: C23C14/32 ,  C23C14/04 ,  C23C14/12 ,  C23C14/221 ,  H01J37/05 ,  H01J37/3178 ,  H01J49/00 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/0815 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/0827 ,  H01L51/0008

    Abstract: Bei einem Verfahren zum Beschichten einer Oberfläche (1) eines Trägermaterials (2) mit Molekülen (5, 6), wobei die Moleküle (5, 6) aus einem Molekülvorrat (3, 4) in einen gasförmigen Zustand überführt und ionisiert werden, werden die elektrisch geladenen Moleküle (5, 6) auf dem Weg zu der Oberfläche (1) mindestens einem elektrischen und/oder magnetischen Feld ausgesetzt werden, das mindestens eine Feldkomponente senkrecht zu der gerichteten Bewegung der elektrisch geladenen Moleküle (5, 6) aufweist, um eine senkrecht zu der gerichteten Bewegung der elektrisch geladenen Moleküle (5, 6) gerichtete Kraftwirkung auf die elektrisch geladenen Moleküle (5, 6) auszuüben. Zwischen dem Molekülvorrat (3, 4) und der Oberfläche (1) wirkt eine elektrische und/oder magnetische Fokussiereinrichtung (8), beispielsweise ein Quadrupolfeld, auf die gerichtete Bewegung der elektrisch geladenen Moleküle (5, 6) ein. Zwischen dem Molekülvorrat (3, 4) und der Oberfläche (1) ist eine Blendenvorrichtung (12) so angeordnet, dass nur Moleküle (5, 6) mit einem vorgebbaren Massen-Ladungs-Verhältnis durch die Blendenvorrichtung (12) hindurch zur Oberfläche (1) gelangen. Mittels geeigneter elektrischer und/oder magnetischer Felder oder mittels zeitlich veränderbarer Blendeneinrichtungen (14) wird für vorgebbare Zeitdauern ein Auftreffen der elektrisch geladenen Moleküle (5, 6) auf der Oberfläche (1) verhindert. Dadurch wird die strukturierte Beschichtung der Oberfläche ermöglicht.

    Abstract translation: 在用于涂覆的载体材料（2）与分子的表面（1）的方法（5，6），所述分子（5,6）从供应的一个分子（3，4）被转移到气体状态和离子化，该 带电分子（5,6）经受至少一个电气和/或磁场上的方式向表面（1），所述至少一个场分量垂直于带电分子的定向运动（5,6），一个 垂直于带电分子的定向运动（5,6）指向的力作用在带电分子（5,6）施加。 分子之间的股票（3,4）和所述表面（1）而起作用的电场和/或磁聚焦装置（8），例如，一个四极场，带电分子的定向运动（5,6）。 分子股票（3,4）和表面（1）之间设置在光阑装置（12），以便只有分子（5，6）（与预定质量由遮阳板装置（12）通过荷比到表面1 ）到达。 通过适当的电和/或磁场的装置或通过在时间上可变光阑装置（14）中的带电分子的碰撞的装置（5,6）的表面上（1）防止用于预先确定的持续时间。 由此，表面的图案化的涂层成为可能。

    POST-DECEL MAGNETIC ENERGY FILTER FOR ION IMPLANTATION SYSTEMS
    226.
    发明申请
    POST-DECEL MAGNETIC ENERGY FILTER FOR ION IMPLANTATION SYSTEMS 审中-公开
    用于离子植入系统的后胶磁能过滤器

    公开(公告)号：WO2010008458A1

    公开(公告)日：2010-01-21

    申请号：PCT/US2009/003722

    申请日：2009-06-23

    Applicant: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. ,  RYDING, Geoffrey ,  FARLEY, Marvin ,  VANDERBERG, Bo ,  SMICK, Theodore ,  SAKASE, Takao

    Inventor： RYDING, Geoffrey ,  FARLEY, Marvin ,  VANDERBERG, Bo ,  SMICK, Theodore ,  SAKASE, Takao

    IPC: H01J37/05 ,  H01J37/317

    CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J2237/0492 ,  H01J2237/103 ,  H01J2237/1405 ,  H01J2237/1501 ,  H01J2237/1523 ,  H01J2237/153 ,  H01J2237/21 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/31705

    Abstract: A system (200) and method for magnetically filtering an ion beam (210) during an ion implantation into a workpiece (228) is provided, wherein ions are emitted from an ion source (212) and accelerated the ions away from the ion source to form an ion beam. The ion beam is mass analyzed by a mass analyzer (214), wherein ions are selected. The ion beam is then decelerated via a decelerator (242) once the ion beam is mass-analyzed, and the ion beam is further magnetically filtered downstream of the deceleration. The magnetic filtering is provided by a quadrapole (quadrupole) magnetic energy filter (250), wherein a magnetic field is formed for intercepting the ions in the ion beam exiting the decelerator to selectively filter undesirable ions and fast neutrals (264).

    Abstract translation: 提供了一种用于在离子注入工件（228）期间对离子束（210）进行磁过滤的系统（200）和方法，其中离子从离子源（212）发射并将离子从离子源加速到 形成离子束。 通过质量分析器（214）对离子束进行质量分析，其中选择离子。 一旦离子束被质量分析，离子束然后通过减速器（242）减速，并且离子束在减速度的下游进一步磁过滤。 磁过滤由四极（四极）磁能过滤器（250）提供，其中形成磁场用于截取离开减速器的离子束中的离子，以选择性地过滤不期望的离子和快速中和（264）。

    ION BEAM APPARATUS AND METHOD EMPLOYING MAGNETIC SCANNING
    229.
    发明申请
    ION BEAM APPARATUS AND METHOD EMPLOYING MAGNETIC SCANNING 审中-公开
    离子束设备和使用磁性扫描的方法

    公开(公告)号：WO2007146395A2

    公开(公告)日：2007-12-21

    申请号：PCT/US2007/013985

    申请日：2007-06-13

    Applicant: SEMEQUIP, INC. ,  GLAVISH, Hilton, F. ,  JACOBSON, Dale, Conrad ,  HORSKY, Thomas, N. ,  HAHTO, Sami, K. ,  HAMAMOTO, Nariaki ,  NAITO, Masao ,  NAGAI, Nobuo

    Inventor： GLAVISH, Hilton, F. ,  JACOBSON, Dale, Conrad ,  HORSKY, Thomas, N. ,  HAHTO, Sami, K. ,  HAMAMOTO, Nariaki ,  NAITO, Masao ,  NAGAI, Nobuo

    IPC: H01J37/05

    CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J37/09 ,  H01J2237/0044 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/047 ,  H01J2237/0492 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/14 ,  H01J2237/30477 ,  H01J2237/31703 ,  H01L21/26513

    Abstract: A multipurpose ion implanter beam line configuration comprising a mass analyzer magnet followed by a magnetic scanner and magnetic collimator combination that introduce bends to the beam path, the beam line constructed for enabling implantation of common monatomic dopant ion species cluster ions, the beam line configuration having a mass analyzer magnet defining a pole gap of substantial width between ferromagnetic poles of the magnet and a mass selection aperture, the analyzer magnet sized to accept an ion beam from a slot-form ion source extraction aperture of at least about 80 mm height and at least about 7 mm width, and to produce dispersion at the mass selection aperture in a plane corresponding to the width of the beam, the mass selection aperture capable of being set to a mass-selection width sized to select a beam of the cluster ions of the same dopant species but incrementally differing molecular weights, the mass selection aperture also capable of being set to a substantially narrower mass-selection width and the analyzer magnet having a resolution at the mass selection aperture sufficient to enable selection of a beam of monatomic dopant ions of substantially a single atomic or molecular weight, the magnetic scanner and magnetic collimator being constructed to successively bend the ion beam in the same sense, which is in the opposite sense to that of the bend introduced by the analyzer magnet of the beam line.

    Abstract translation: 多用途离子注入机束线配置，其包括质量分析器磁体，随后是磁扫描仪和将准弯曲引导到光束路径的光束线，所述光束线被构造用于使得能够注入常见的单原子掺杂离子簇簇离子，所述束线配置具有 质量分析器磁体限定磁体的铁磁极之间的相当宽度的极隙和质量选择孔，分析器磁体的尺寸设计成接受来自至少约80mm高度的槽形离子源提取孔的离子束，并且在 至少约7mm的宽度，并且在与所述梁的宽度相对应的平面中的所述质量选择孔处产生分散体，所述质量选择孔能够被设置为质量选择宽度，所述质量选择宽度的尺寸被选择为选择聚束离子的束 相同的掺杂剂种类但递增不同的分子量，质量选择孔径也能够被大大地设定 质量选择宽度较窄的分析器磁体和质量选择孔径处的分辨率足以能够选择基本上单原子或分子量的单原子掺杂离子束，磁扫描器和磁准直器被构造为连续弯曲离子 在相同意义上的光束，其与由光束线的分析器磁体引入的弯曲的方向相反。

    DOSE CUP LOCATED NEAR BEND IN FINAL ENERGY FILTER OF SERIAL IMPLANTER FOR CLOSED LOOP DOSE CONTROL
    230.
    发明申请
    DOSE CUP LOCATED NEAR BEND IN FINAL ENERGY FILTER OF SERIAL IMPLANTER FOR CLOSED LOOP DOSE CONTROL 审中-公开
    用于封闭环路剂量控制的串联移植物的最终能量过滤器中的剂量杯

    公开(公告)号：WO2007013869A1

    公开(公告)日：2007-02-01

    申请号：PCT/US2005/019526

    申请日：2005-06-06

    Applicant: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. ,  RATHMELL, Robert

    Inventor： RATHMELL, Robert

    IPC: H01J37/317 ,  H01J37/147 ,  H01J37/05

    CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05

    Abstract: An ion implantation system (600) having a dose cup (634) located near a final energy bend of a scanned or ribbon-like ion beam of a serial ion implanter for providing an accurate ion current measurement associated with the dose of a workpiece or wafer. The system comprises an ion implanter having an ion beam source for producing a ribbon-like ion beam (602). The system further comprises an AEF system configured to filter an energy of the ribbon-like ion beam by bending the beam at a final energy bend. The AEF system further comprises an AEF dose cup associated with the AEF system and configured to measure ion beam current, the cup located substantially immediately following the final energy bend. An end station (610) downstream of the AEF system is defined by a chamber wherein a workpiece is secured in place for movement relative to the ribbon-like ion beam for implantation of ions therein. The AEF dose cup is beneficially located up stream of the end station near the final energy bend mitigating pressure variations due to outgassing from implantation operations at the workpiece. Thus, the system provides accurate ion current measurement before such gases can produce substantial quantities of neutral particles in the ion beam, generally without the need for pressure compensation. Such dosimetry measurements may also be used to affect scan velocity to ensure uniform closed loop dose control in the presence of beam current changes from the ion source and outgassing from the workpiece.

    Abstract translation: 离子注入系统（600）具有位于串联离子注入机的扫描或带状离子束的最终能量弯曲附近的剂量杯（634），用于提供与工件或晶片的剂量相关联的精确离子电流测量 。 该系统包括具有用于产生带状离子束（602）的离子束源的离子注入机。 该系统还包括被配置为通过在最终能量弯曲处弯曲光束来过滤带状离子束的能量的AEF系统。 AEF系统还包括与AEF系统相关联并被配置为测量离子束电流的AEF剂量杯，所述杯基本上紧接在最终能量弯曲之后。 AEF系统下游的终端（610）由腔室限定，其中工件被固定在适当位置以相对于带状离子束移动以便在其中注入离子。 AEF剂量杯有利地位于终端站的上游，靠近最终能量弯曲，减轻了由于在工件处的植入操作而引起的放气的压力变化。 因此，该系统在这种气体可以在离子束中产生大量的中性粒子之前提供精确的离子电流测量，通常不需要压力补偿。 这样的剂量测量也可用于影响扫描速度，以确保在存在来自离子源的束电流变化和从工件脱气的情况下的均匀闭环剂量控制。

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