公开(公告)号：KR1019950011046A

公开(公告)日：1995-05-15

申请号：KR1019940025299

申请日：1994-10-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 이시이가츠미 ,  기쿠치히사시

IPC: B23Q7/00

Abstract: 판형상체 반송장치는, 실질적으로 동일피치 간격으로 되도록 상하로 배열되고, 각각의 판형상체를 1매씩 실질적으로 수평으로 지지하는 복수의 아암과, 상기 복수의 아암중에서 하나의 아암을 단독으로 진퇴구동시키는 제1모우터, 상기 단독으로 구동되는 제2구동수단과, 상기 제1 및 제2모우터의 각각의 급전하는 전원과, 상기 전원으로부터 제1구동수단에만 급전하는가, 또는 상기 제1 및 제2구모우터의 양쪽으로 급전하는가를 선택하는 콘트롤러를 갖는다.

公开(公告)号：KR1019950006954A

公开(公告)日：1995-03-21

申请号：KR1019940019356

申请日：1994-08-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 안도마사노리 ,  모리시타나오야스

IPC: H01L21/00

Abstract: (목적) 정전후, 순간정전과 같이 단시간에 전원이 회복한 경우, 전류제한기를 작동시키는 일 없이 반도체 처리장치에 전력을 공급하여 반도체 처리장치를 원활하게 동작하여 처리를 재개, 계속하고, 처리중의 피처리체를 구제할 수 있는 반도체 처리장치의 전력공급제어방법 및 반도체 처리장치의 전력공급제어장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
(구성) 본 반도체 처리장치의 공급전력 제어방법은 제어장치(4)에 의하여 사이리스터(3)를 제어하면서 열처리 장치 본체(1)에 의하여 반도체 웨이퍼를 처리하고 있는 도중에, 정전에 의하여 중단한 처리를 전원 회복후 그대로 계속시키는 때의 전력공급제어방법으로, 정전시에 백업장치(5)에 의하여 제어장치(4)의 전원을 백업함과 동시에 제어장치(4)에 정전에 관한 정전검출신호(S
2 )를 송신하는 스텝과, 정전검출신호(S
2 )에 의거하여 상기 제어장치(4)로부터 사이리스터(3)에 전력제한신호(S
2 )를 송시하는 스텝과, 전력제한신호(S
2 )에 의거하여 사이리스터(3)를 조작하여 회복 후의 전원으로부터의 공급전력을 정전직전의 공급전력의 일정비율에 제한하여 처리장치본체(1)에 공급하는 스텝을 가지는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019950001932A

公开(公告)日：1995-01-04

申请号：KR1019940013531

申请日：1994-06-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 니시가쓰오 ,  데라다가즈오 ,  오오카세와타루 ,  야마가겐이치

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C30B31/12 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  G05D23/1934

Abstract: 고속열처리장치의온도에서방법은, 프로세스튜브내에더미기판을모의적으로히터로가열하여, 더미기판이목표온도에도달할때까지기판승온패턴과가열수단이목표온도에도달할때까지의히터승온패턴을프로세스튜브내의각 영역마다공도검출수단에의하여각각미리검출하여파악하여놓고, 처리할기판을면접촉(face to face) 배열로되도록프로세스튜브내에수용하고, 웨이퍼를가열할때에, 상기온도센서에의하여각 영역의온도및 히터엘레멘트의온도를각각검출하며, 각영역의기판의온도가목표온도로도달하여안정할때까지의사이에서, 상기각 검출온도와상기기판승온패턴및 히터승온패턴에의거하여각 히터를콘트롤러에의하여제어하고, 신속하고도균일하게기판을승온시킨다. 선택도 : 제2도

Abstract translation: 在高速热处理系统的温度的方法是用模拟到加热器中，当基板温度上升模式和加热工序中的加热器的温度上升图案kkajiui装置直到它到达到伪基片的目标温度达到目标温度来加热堆板在管的方法 到管内的每个区域，放置由每个预先检测由公路检测装置识别，如果要被处理的基板收容在接触（面对面）处理管以阵列和加热晶片，由温度传感器 感测每个区域中，温度和每一个和跨度的每个区域的衬底温度之间的加热器元件的温度是稳定的，以达到目标温度时，每个所述检测到的温度中的每个驻留和所述基片温度的升高图案和所述加热器温度升高图案 由加热器控制器来控制，快速hagodo基板均匀地加热。 选择性：图2

公开(公告)号：KR1019950001882A

公开(公告)日：1995-01-04

申请号：KR1019940001926

申请日：1994-02-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 니이노레이지 ,  오부도모유키 ,  이케가와히로아키 ,  나타오켄 ,  후지다요시유키 ,  하라오카쓰도무 ,  고바야시마코토 ,  가네다나오야

IPC: H01L21/26

Abstract: 반도체 웨이퍼의 표면에 대한 막형성을 위하여 웨이퍼 보우트의 링형상 얹어놓는대의 여러개의 웨이퍼를 각각 얹어놓는 한편, 반응관내 온도를 가령 400℃로 하며, 또한 질소가스 분위기로 하여 두고, 웨이퍼 보우트를 반응관 내로 반입한 후, 반응관 내를 가령 100℃/분의 속도로 620℃까지 승온하고, 실리콘 기판의 표면에 SiH
4 가스를 공급하여 폴리실리콘막을 형성한다. 막형성 후, 가열부 표면을 따라서 통풍하여 반응관 내를 강제 냉각시킨다. 또, 실리콘 기판의 표면의 금속막을 형성한 웨이퍼를 사용하여 금속 실리콘막을 형성하는 경우는 가령 반응관 내를 100℃로 설정하고, 웨이퍼를 로우딩한다. 이에 의하여 자연 산화막의 성장이 억제되고, 반도체 디바이스의 특성이 향상된다. 같은 원리는 산화막 형성 및 불순물 확산을 위해서도 사용된다.

公开(公告)号：KR1019940020526A

公开(公告)日：1994-09-16

申请号：KR1019940002653

申请日：1994-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 오사와테쓰

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 용기 내의 각 단에 있어서 판상의 피이재물의 유무 및 피이재물의 튀어나옴을 확실하게 검지할 수 있고, 또한 장치의 점유 스페이스가 좁아도 되는 이재장치를 제공하는 것으로서, 피이재물을 유지하는 수단과, 이 유지수단 방향으로 초음파 빔을 발진하는 발진부 및 초음파의 반사파를 수신하는 수신부를 가진 초음파 센서와, 피이재물의 단면에 초음파 빔을 순차로 조사하는 구동수단과, 상기 수신부에서 수신한 반사파에 기초하여 유지수단의 피치재물의 유무와 피이재물의 튀어나옴 중 적어도 한 쪽을 검지하는 수단을 구비한다.
상기 구성의 이재장치에 있어서는 초음파 발진부를 용기 앞면에 마주 보도록 위치시켜, 여기에서 앞쪽에 초음파를 발진하면, 그 방사방향으로 피이재물이 위치하는 경우에는 피이재물의 단면에 의해 초음파가 반사하고, 이 반사파가 수신부에서 수신되며, 피이재물이 없는 경우에는 용기의 후벽, 혹은 후벽에 형성된 개부를 통하여, 용기의 후방에 위치하는 이재장치를 수용한 장치 본체에서 반사파가 수신되므로 수신부의 수신신호를 감시함으로써, 피이재물의 유무를 검지할 수 있다.
또, 수수한 반사파의 강도나 반사시간 등을 검지함으로써, 피이재물의 위치를 파악할 수 있고, 이재부를 이동시켜 이재부의 위치정보와 수신부에서의 수신신호에 의거하여, 용기 내의 각단에 있어서 피이재물의 유무와(또는) 튀어나옴을 검출할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019940020490A

公开(公告)日：1994-09-16

申请号：KR1019940002137

申请日：1994-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 다나하시다카시

IPC: H01L21/30

Abstract: 본 발명의 공기청정장치는 처리공간내의 공기가 흡인되는 흡인구와, 이 흡인구를 통하여 흡인된 공기가 처리공간내에 토출되는 토출구를 가지는 장치본체와, 장치본체의 내부에 설치되고, 처리공간내의 공기를 흡인구로부터 장치본체에 흡인함과 동시에 흡인한 공기를 토출구로부터 처리공간내에 향하여 토출하는 송풍장치와, 장치본체의 내부에 설치되고, 흡인구로부터 흡인된 흡인공기중의 함유되고, 처리공간내의 있어서의 처리에 있어서, 유해로 되는 불순가스를 제거하는 불순가스 제거장치와, 불순가스 제거장치의 배기쪽에 설치되고, 불순가스 제거장치에 의하여 불순가스가 제거된 흡인공기중의 파티클을 제거하는 파티클 제거장치를 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR1019940010264A

公开(公告)日：1994-05-24

申请号：KR1019930020597

申请日：1993-10-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 이시모리타카시

IPC: H01L21/68

Abstract: 반도체 웨이퍼를 하방으로 부터 밀어 올리는 푸셔에서 반도체 웨이퍼를 걸어서 멈추게 하기 위한 웨이퍼 걸어멈춤홈이 형성되어 있다. 이들 웨이퍼 걸어멈춤홈내의 측벽에는 반도체 웨이퍼의 유무를 검출하기 위한 웨이퍼 검출센서가 매설되어 있다. 푸셔의 표면에 알루마이트처리를 함과 동시에 접지된 알루미늄체 기본체와, 이 기본체 표면에 테프론코오팅된 두께 20㎛ 정도의 수지제 피복으로서 이루어지고 있다.

公开(公告)号：KR1019940010173A

公开(公告)日：1994-05-24

申请号：KR1019930020485

申请日：1993-10-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 이시이가쓰미 ,  다키가와마사오

IPC: H01L21/00

Abstract: 여러 개의 반도체 웨이퍼를 수납하는 용기는 2개의 단벽과 2개의 측벽을 구비한다. 상기 용기에는 상기 웨이퍼를 끼우고 빼기위한 주개구와, 웨이퍼카운터가 액세스하는 부개구가 형성된다.
용기에는 간격을 두고 웨이퍼를 1매씩 지지하는 여러 개의 슬로트가 형성된다. 슬로트는 양 측벽의 내면에 형성되고 또한 용기의 안쪽을 향하여 끝이 넓어지게 개구하는 단면 V자형의 1쌍의 홈을 구비한다. 각 홈을 규정하는 한편의 면은, 단벽에 형성된 기준면이 수평면상에 위치하도록 용기가 배치되었을 때, 각 웨이퍼가 실질적으로 수평상태로 재치되는 유지면으로서 기능한다. 유지면은 제2 개구를 향하여 수속하는 수속부를 구비한다. 부개구에 인접하여 수속부에는, 웨이퍼의 측부에 맞닿는 내면을 가지는 충전체가 배설된다. 충전체의 내면은, 웨이퍼의 위치를 규제하여 웨이퍼가 각 유지면의 같은 높이의 부분에 재치되도록 한다.

公开(公告)号：KR100282463B1

公开(公告)日：2001-04-02

申请号：KR1019940001400

申请日：1994-01-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 오사와데쓰

IPC: H01L21/324

Abstract: 여러개의 반도체 웨이퍼를 서로 간격을 두고 수납하고, 열처리로 내에서 웨이퍼를 열처리하기 위한, 열처리보오트는, 바닥판과, 바닥판 바깥면부에 세워서 설치된 제1의 지주와, 제1의 지주에 대해서 중심각이 105∼120도가 되도록 양측에 각각 바닥판 위에 세워서 설치된 제2 및 제3의 지주와, 바닥판과 대향해서 바닥판과 함께 제1, 제2 및 제3의 지주를 유지하는 천정판을 구비하고 있다. 이 열처리용 보오트에 웨이퍼를 지지한 상태에서 웨이퍼에 가하여지는 최대 응력은 3지점으로 분산되어 최소가 된다.

公开(公告)号：KR100276127B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019940005067

申请日：1994-03-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 이와부치가쓰히코 ,  오쿠라료이치 ,  아사노다카노부

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67757 ,  Y10S414/137 ,  Y10S414/139 ,  Y10S414/14

Abstract: 본 발명의 처리장치는, 피처리체에 소정의 처리를 실시하는 처리실과, 처리체를 유지한 유지체를 처리설에 대하여 반입 및 반출하는 반송수단을 구비한 반송실과, 반송실 내를 소정의 불활성 가스 분위기로 유지하는 불활성 가스 공급 및 배기수단과, 반송실에 인접하여 설치되고, 적어도 유지체를 수용가능한 용적을 가지며, 반송실 내의 분위기를 외기와 차단시킨 상태에서 유지체를 반송실에 대하여 반출 및 반입가능하게 하는 유지체 수용실과, 유지체 수용실 내를 진공분위기 또는 소정의 불활성 가스 분위기로 치환가능하게 한 내부 분위기 치환수단과, 유지체 수용실에 인접하여 설치되고, 피처리체를 유지체 수용실 내의 유지체에 이송하는 이송수단을 구비한 피처리체 이송실을 갖추고 있다.