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公开(公告)号：CN105307784A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201580000240.4
申请日：2015-05-01
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: B05B17/04 , B05B9/04 , B05B13/0221 , B05B14/20 , B05B16/60 , B05D1/02 , B05D3/0493 , B05D5/083 , B05D2203/35 , C03C17/30 , C03C2217/76 , C03C2218/15
Abstract: 本发明提供一种以低成本成膜出具备耐久性的薄膜的方法。该成膜方法使用成膜装置(1)。该装置(1)包括：基板(100)配置于内部下方的真空容器(11)、对该容器(11)内进行排气的真空泵(15)、设置于容器(11)外部且储藏成膜剂溶液(21)的储藏容器(23)、一端具有成为可排出成膜剂溶液(21)的排出部(19)的喷嘴(17)、加压储藏容器(23)内所储藏的成膜剂溶液(21)的液面的加压单元(气体供给源(29)等)。使用由2种以上材料构成的溶液作为成膜剂溶液(21)，所述溶液包含第1材料(S1)和具有高于该S1的蒸汽压(P1)的蒸汽压(P2)的第2材料(S2)，且第1材料的浓度为0.01重量％以上。对于该成膜剂溶液(21)，在P2以上的压力(其中，不包括高于P2一个数量级以上的压力)的气氛下，以0.05～0.3MPa的排出压将其排出至基板上。
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公开(公告)号：CN105307783A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201580000239.1
申请日：2015-04-24
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: B05B17/04 , B05B9/04 , B05B13/0221 , B05B14/20 , B05B16/60 , B05D1/02 , B05D3/0493 , B05D5/083 , B05D2203/35 , C03C17/30 , C03C2217/76 , C03C2218/15
Abstract: 本发明提供一种以低成本成膜出具备耐久性的薄膜的方法。该成膜方法使用成膜装置(1)。该装置(1)包括：基板(100)配置于内部下方的真空容器(11)、对该容器(11)内进行排气的真空泵(15)、设置于容器(11)外部且储藏成膜剂溶液(21)的储藏容器(23)、一端具有可以排出成膜剂溶液(21)的排出部(19)的喷嘴(17)。使用由2种以上材料构成的溶液作为成膜剂溶液(21)，所述2种以上材料包括第1材料(S1)和具有高于该S1的蒸汽压(P1)的蒸汽压(P2)的第2材料(S2)。将该成膜剂溶液(21)在高于P1且低于P2的压力气氛下，排出至基板上。
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公开(公告)号：CN103946417A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280019492.8
申请日：2012-10-23
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/56 , C23C14/0042 , C23C14/0047 , C23C14/0089 , C23C14/0652 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/562 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32752 , H01J37/3405 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3476
Abstract: 本发明提供薄膜形成装置、溅射阴极以及薄膜形成方法，所述薄膜形成装置、溅射阴极及薄膜形成方法能够在大型基板上以高成膜速率形成光学多层膜。一种薄膜形成装置1，其中，在真空槽21内，利用溅射在基板43上形成金属化合物的薄膜。真空槽21内具备由金属或具有导电性的金属化合物构成的靶材63a、b和活性种源，所述活性种源按照在电磁性及压力方面与靶材63a、b相互影响的方式而设置、并且可生成反应性气体的活性种。活性种源具备供给反应性气体的气体源76、77和将能量供给至真空槽内从而将反应性气体激发为等离子体状态的能量源80。能量源80在与真空槽21之间具备用于将能量供给至真空槽21内的电介质窗，该电介质窗按照与基板43平行、或以相对于基板43呈小于90°的角度向靶材63a、b侧倾斜的方式配置。
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公开(公告)号：CN103154299A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201280003216.2
申请日：2012-09-26
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/58 , C23C14/0031 , C23C14/022 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C14/546
Abstract: 本发明提供一种能够高效地进行防污膜的成膜的成膜装置，该防污膜不但可耐实用而且耐磨耗性能也进一步得到提高。其是基板支架12可旋转地配设在真空容器10内的成膜装置1，所述基板支架12具有用于保持2个以上基板的基体保持面，成膜装置1的构成为具有蒸镀源34和离子源38，其中，所述蒸镀源34按照如下构成配置在真空容器10内：使其向旋转停止时的基板支架12工作的情况下，能够对所述基体保持面的部分区域即第1区域(A3)供给比该第1区域以外的其他区域(残余区域)更多量的成膜材料；所述离子源38按照如下构成、配置和/或朝向设置在所述真空容器10内：使其向旋转停止时的基板支架12工作的情况下，能够仅向着该基体保持面的部分区域即第2区域(A2)照射能量粒子。
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公开(公告)号：CN102076880B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200980124622.2
申请日：2009-06-16
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/30 , C23C14/0031 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/22 , G02B5/285
Abstract: 本发明提供一种能够抑制成膜条件的经时变化的蒸镀装置(1)。所述蒸镀装置(1)具备：被支承在接地的真空容器(10)内的基板支架(12)、保持在基板支架(12)上的基板(14)、离开基板(14)并与基板(14)相向的蒸发源(34，36)、对基板(14)照射离子的离子枪(38)、以及对基板(14)照射电子的中和器(40)，其中，真空容器(10)具备与真空容器(10)电气悬浮的内壁(30)，中和器(40)配设在真空容器(10)的内侧侧面侧并离开离子枪(38)。
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公开(公告)号：CN116417312A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111638914.7
申请日：2021-12-29
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: H01J37/08 , H01J37/147 , H01J9/14
Abstract: 本申请实施例提供一种离子引出栅极、离子源以及离子引出栅极的制造方法。所述离子引出栅极的截面呈弧状，在离子引出栅极上设置有贯穿离子引出栅极且中心轴线为直线的多个孔部；其中，多个孔部中的至少一部分孔部的中心轴线与孔部周围的离子引出栅极的表面的切线不垂直，和/或，离子引出栅极的厚度根据孔部的大小和相邻孔部之间的间隔被确定。由此，离子能够高效地通过离子引出栅极的孔部，从而进一步提升离子源的效率；此外，可以在提高栅极的离子束引出效率从而加大离子束密度的同时，兼顾地提高栅极的机械强度和延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN108690954B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201710229298.7
申请日：2017-04-10
Applicant: 株式会社新柯隆
Abstract: 本发明公开一种成膜装置及成膜方法，其用于形成薄膜，所述成膜装置包括：真空腔室；排气机构，其与所述真空腔室相通以进行排气；基板保持机构，其用于将基板保持在所述真空腔室内；成膜机构，其设置于所述真空腔室内；导入机构，其与所述真空腔室相连通；所述导入机构能够在所述成膜机构的成膜过程中向所述真空腔室内导入含羟基气体。
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公开(公告)号：CN111593309A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201910129730.4
申请日：2019-02-21
Applicant: 株式会社新柯隆
Abstract: 本申请公开一种溅射成膜装置，包括：具有排气机构的真空容器；基板保持单元，其能保持多个基板；位于所述真空容器内部并且在空间上相互分离的溅射区域和反应区域；所述溅射区域被配置为通过溅射靶材在基板上形成溅射物质；所述反应区域被配置为导入两种以上的反应气体并在该反应区域生成等离子体；所述反应区域通过等离子体中的离子与所述溅射物质相互作用形成含有至少四种元素的化合物薄膜。该溅射成膜装置便于形成期望材料的薄膜，并在形成四种元素以上的化合物薄膜时，并不受化合物材料的限制，同时成膜效率较快，具有非常良好的应用价值。
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公开(公告)号：CN110318028A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201810265405.6
申请日：2018-03-28
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: C23C14/46
Abstract: 本发明公开一种等离子体源机构及薄膜形成装置，其中，所述等离子源机构能够适用于具有真空槽的薄膜形成装置；所述等离子体源机构包括：安装于所述真空槽外的壳体；位于所述壳体内的天线组件，其经由电介质部配置在所述真空槽外；所述天线组件包括多个天线部；各个所述天线部具有单独的被施加高频电力的连接部；任一所述天线部所在区域与其他所述天线部所在区域无重叠区域。本发明提供的等离子体源机构及薄膜形成装置能够扩大ICP放电范围。
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