公开(公告)号：KR1020110117699A

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：KR1020117020835

申请日：2010-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠이히데후미 ,  모리야츠요시 ,  니시무라에이치 ,  가와구치신이치 ,  야마와쿠준 ,  미야우치구니오

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02101 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109

Abstract: 간단한 장치 구성에서 실시 가능하고, 미세 패턴이 형성되어 있는 기판을 그 미세 패턴에 악영향을 주는 일 없이 단시간에 세정하기 위한 기판 세정 방법을 제공한다. 웨이퍼 W의 표면에 소정의 가공을 실시하는 처리 챔버로부터 웨이퍼 W의 세정을 실행하는 세정 챔버에 웨이퍼 W를 반송하고, 세정 챔버내에 있어 웨이퍼 W를 소정 온도로 냉각하고, 초유동체로서의 초유동 헬륨을 웨이퍼 W의 표면에 공급하고, 웨이퍼 W의 표면으로부터 초유동 헬륨을 유출하는 것에 의해서 미세 패턴내의 오염 성분을 흘러가게 한다.

公开(公告)号：KR100993392B1

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：KR1020080061061

申请日：2008-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마와쿠준 ,  모리야츠요시

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67766 ,  H01L21/67778 ,  H01L21/67781

Abstract: 구성 부품의 부식, 파티클의 기판으로의 부착 및 기판 반송 모듈의 비용 상승 및 대형화를 방지할 수 있는 기판 반송 모듈을 제공한다.
로더 모듈(14)은 웨이퍼(W)에 에칭 처리를 실시하는 프로세스 모듈(11)과 로드록 모듈(12)을 거쳐 연접(連接)되는 동시에, 웨이퍼(W)를 반송하는 기판 반송 장치(16) 및 상기 기판 반송 장치(16)를 수용하는 반송실(15)을 구비하고, 상기 반송실(15) 내는 외부 분위기로부터 격절(隔絶)되어, 반송실(15) 내의 압력은 대기압이며, 기판 반송 장치(16)는 웨이퍼(W)를 보지(保持)하는 피크(19) 및 상기 피크(19)를 이동시키는 아암부(20)를 갖고, 로더 모듈(14)은 피크(19) 및 상기 피크(19)에 보지된 웨이퍼(W)를 수용하여 반송실(15)의 내부 분위기로부터 격절하는 마이크로 주변 유닛(18)을 구비한다.

公开(公告)号：KR100990845B1

公开(公告)日：2010-10-29

申请号：KR1020087031948

申请日：2007-07-02

Applicant: 더 리츠메이칸 트러스트 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야노타카야 ,  마츠모토토시유키 ,  이케우치나오키 ,  모리야츠요시

IPC: H05H1/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00

CPC classification number: H05H1/0006 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/0206

Abstract: 플라즈마의 상태에 수반하여 변동하는 시계열 데이터를 취득하는 데이터 취득부(21)와, 데이터 취득부(21)에서 취득한 시계열 데이터로부터, 플라즈마에 있어서의 시계열 데이터가 결정론적인지 확률론적인지의 지표가 되는 결정론성을 나타내는 값을 산출하는 병진 오차(translation error) 연산부(24)와, 상기 플라즈마 발생 중에, 상기 결정론성 도출 수단에서 산출된 결정론성을 나타내는 값이, 소정의 문턱값 이하인 경우에, 상기 플라즈마가 이상(abnormal) 방전 상태라고 판정하는 이상 방전 판정부(26)를 구비한다. 결정론성을 나타내는 값은, 예를 들면, 병진 오차 또는 순열 엔트로피를 이용할 수 있다. 결정론성을 나타내는 값으로서 순열 엔트로피를 이용하는 경우는, 순열 엔트로피 연산부를 구비한다.
병진 오차, 순열, 엔트로피, 플라즈마, 방전

公开(公告)号：KR1020100053655A

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：KR1020107005444

申请日：2008-09-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와무라카즈히로 ,  모리야츠요시 ,  우메하라야스토시

IPC: H01L21/02

CPC classification number: G05B23/024 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: There has been a problem of low detection accuracy of semiconductor process status based on time-series data relating to the semiconductor process in conventional information processors. An information processor is provided with a first input receiving section (101) for receiving first information, i.e., time-series data relating to a semiconductor process; a second input receiving section (102) for receiving second information, i.e., time-series data relating to the semiconductor process; a window function processing section (103) for taking out information within a prescribed period from the first information by using a window function and obtaining window acquisition information; a correlation calculating section (109) for calculating a correlation function between the window acquisition information taken out by the window function processing section (107) and the second information; and an output section (111) for outputting information corresponding to the calculation results obtained from the correlation calculating section (109).

Abstract translation: 基于与常规信息处理器中的半导体处理相关的时间序列数据，存在半导体处理状态的检测精度低的问题。 信息处理器设置有用于接收第一信息的第一输入接收部分（101），即与半导体处理有关的时间序列数据; 用于接收第二信息的第二输入接收部分（102），即与半导体处理有关的时间序列数据; 窗口功能处理部（103），用于通过使用窗函数从所述第一信息中取出规定期间内的信息，获取窗口获取信息; 相关计算部（109），用于计算由窗函数处理部（107）取出的窗口获取信息与第二信息之间的相关函数; 以及用于输出与从相关计算部（109）获得的计算结果相对应的信息的输出部（111）。

公开(公告)号：KR1020100047165A

公开(公告)日：2010-05-07

申请号：KR1020090102313

申请日：2009-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠이히데후미 ,  모리야츠요시 ,  나가야마노부유키

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B08B7/04 ,  B08B5/04 ,  B08B6/00 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412

Abstract: PURPOSE: A vacuum exhaust method and a substrate processing device therefore are provided to prevent foreign materials from being attached on the surface of the mount stand by absorbing and removing at least one of out-gasses and foreign materials. CONSTITUTION: The surface of the mount stand is covered with a protection unit. A vacuum chamber(11) is hermetically sealed. A vacuum process chamber is decompressed. At least one of out-gasses or foreign materials is absorbed with a protection unit(25).

Abstract translation: 目的：提供一种真空排气法和基板处理装置，以通过吸收和去除至少一种排气和异物来防止异物附着在安装台的表面上。 规定：安装支架的表面覆盖有保护单元。 真空室（11）被密封。 真空处理室被减压。 至少一个外界气体或异物被保护单元（25）吸收。

公开(公告)号：KR100900594B1

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：KR1020070014540

申请日：2007-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나가세키가즈야

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/677

Abstract: 본 발명은 스루풋을 저하시키는 일 없이 양품률을 높일 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 시스템(1)은 대기계(大氣系) 반송 장치(3) 내에 반송 암(52)과 가스 공급계(60)를, 로드록실(4) 내에 탑재·이송 암(70)과 가스 공급계(72)를 구비한다. 대기계 반송 장치(3) 내에 있어서, 가스 공급계(60)는 히팅 유닛(62)에 의해 가열된 고온 가스를 반송 암(52) 및 반송 암(52)에 의해 반송되고 있는 웨이퍼 W에 분사한다. 또한, 로드록실(4) 내에 있어서, 가스 공급계(72)는 히팅 유닛(76)에 의해 가열된 고온의 N
2 가스 등의 불활성 가스를 탑재·이송 암(70) 및 탑재·이송 암(70)에 의해서 반송되고 있는 웨이퍼 W에 분사한다.

公开(公告)号：KR100772740B1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：KR1020030085691

申请日：2003-11-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠하시고지 ,  나카야마히로유키 ,  나가야마노부유키 ,  모리야츠요시 ,  나가이케히로시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/24 ,  C23C16/4404 ,  H01J37/32477 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/24997 ,  Y10T428/31544 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31721

Abstract: 본 발명은 탑 코트층으로서 형성된 용사 피막의 박리를 억제할 수 있는 플라즈마 처리 용기 내부재를 제공하는 것이다.
기재(71)와 용사 피막(72) 사이에, 할로겐 원소를 포함하는 프로세스 가스에 대하여 내(耐)부식성이 우수한 재료로 이루어지는 배리어 코트층(73)을 형성하고, 이 배리어 코트층(73)을 수지 또는 졸겔법을 이용해 봉공(封孔) 처리한다.

公开(公告)号：KR1020060047498A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050034866

申请日：2005-04-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나카야마히로유키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0209

Abstract: 기판을 손상하지 않고, 기판의 뒷면에 부착한 이물을 충분히 제거할 수 있는 기판세정장치를 제공한다.
기판세정장치로서의 플라즈마처리장치(1)는 챔버(10)와, 해당 챔버(10)내에 배치되어, 웨이퍼 W를 탑재하는 서셉터(11)와, 해당 서셉터(11)에 배치되어, 고전압이 인가되는 전극판(20)과, 챔버(10)내를 배기하는 대강 배기 라인과, 서셉터(11) 및 웨이퍼 W사이에 공간 S를 생기게 하는 푸셔핀(30)과, 공간 S에 N
2 가스를 공급하는 열전도가스공급구멍(27)과, 챔버(10)내에 처리가스 등을 도입하는 샤워헤드(33)를 구비하여, 공간 S가 발생하고 있을 때, 전극판(20)에는 다른 극성의 고전압이 교대로 인가되고, 웨이퍼 W의 뒷면을 향해 공간 S에 N
2 가스가 분출되고, 또한 챔버(10)내는 배기되고, 또한, 챔버(10)내가 감압되고 있을 때에, 챔버(10)내에 N
2 가스가 도입된다.

公开(公告)号：KR1020060047497A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050034865

申请日：2005-04-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나카야마히로유키

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01J37/32862 ,  B25J11/0095 ,  H01L21/67069

Abstract: 기판을 수용하는 수용실과, 상기 수용실 내에 배설되고 또한 상기 기판을 반송하는 기판반송부와, 상기 수용실 내를 배기하는 배기부와, 상기 수용실 내에 기체를 도입하는 기체도입부를 구비하는 기판반송장치가 제공된다. 상기 기판반송부는, 상기 기판을 탑재하는 탑재부와, 상기 탑재부에 일단이 접속되고 또한 상기 탑재부를 이동시키는 아암부와, 상기 탑재부에 배설되고 또한 전압이 인가되는 전극을 가지며, 상기 수용실 내에 상기 기체가 도입되고 또한 상기 수용실 내가 배기되고 있는 때에, 상기 전극에 고전압이 인가된다.
기판반송장치, 기판처리시스템, 세정방법

公开(公告)号：KR1020040048343A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：KR1020030085691

申请日：2003-11-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠하시고지 ,  나카야마히로유키 ,  나가야마노부유키 ,  모리야츠요시 ,  나가이케히로시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/24 ,  C23C16/4404 ,  H01J37/32477 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/24997 ,  Y10T428/31544 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31721

Abstract: PURPOSE: An inner member of a plasma treatment vessel is provided to restrain the delamination of a sprayed coating layer by preventing a base member from being exposed to process gas or cleaning solutions using a barrier coating layer and resin. CONSTITUTION: An inner member of a plasma treatment vessel includes a base member(71) and a coating layer(72) formed by performing ceramic spraying on the base member. The coating layer includes a main layer(73) and a barrier coating layer(74) between the base member and the main layer. The ceramic of the coating layer contains at least one selected from a group consisting of B, Mg, Al, Si, Ca, Cr, Y, Zr, Ta, Ce, and Nd. The coating layer is partially sealed with resin.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理容器的内部构件，以通过使用阻挡涂层和树脂防止基底部件暴露于处理气体或清洁溶液来抑制喷涂层的分层。 构成：等离子体处理容器的内部构件包括通过在基底构件上进行陶瓷喷涂而形成的基底构件（71）和涂层（72）。 涂层包括主层和主层之间的主层（73）和阻挡涂层（74）。 涂层的陶瓷含有选自B，Mg，Al，Si，Ca，Cr，Y，Zr，Ta，Ce和Nd中的至少一种。 涂层用树脂部分密封。