公开(公告)号：KR1020090025379A

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：KR1020097002043

申请日：2007-07-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/045 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76873

Abstract: A wafer (W) is arranged on a susceptor (22) in a chamber (21), and a metal film is formed on the surface of a wafer (W) by continuously supplying the chamber (21) with a metal compound gas from a metal compound gas supplying section (51) and a reducing organic compound gas from a reducing organic compound gas supplying section (52) of a gas supplying mechanism (50).

Abstract translation: 晶片（W）布置在腔室（21）中的基座（22）上，并且通过从腔室（21）中连续供应金属化合物气体而在晶片（W）的表面上形成金属膜 金属化合物气体供给部（51）和来自气体供给机构（50）的还原性有机化合物气体供给部（52）的还原性有机化合物气体。

公开(公告)号：KR1020080104156A

公开(公告)日：2008-12-01

申请号：KR1020087023367

申请日：2007-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829

Abstract: Substrate treating apparatus (100) including support table (103) for not only supporting of treatment object substrate (W) but also heating of the treatment object substrate (W); treatment vessel (101) having the support table (103) disposed therein; and gas supply section (102) for supplying of treating gas into the treatment vessel (101), characterized in that the treating gas contains at least one member selected from among an organic salt, an organic acid amine salt, an organic acid amide and an organic acid hydrazide. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 基板处理装置（100），其包括用于不仅支撑处理对象基板（W）的支撑台（103），而且还包括处理对象基板（W）的加热; 具有设置在其中的支撑台（103）的处理容器（101） 以及用于将处理气体供给到处理容器（101）中的气体供给部（102），其特征在于，所述处理气体含有选自有机盐，有机酸胺盐，有机酸酰胺和 有机酸酰肼。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR1020080080941A

公开(公告)日：2008-09-05

申请号：KR1020080019100

申请日：2008-02-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가이히로유키 ,  미요시히데노리 ,  마에카와카오루

IPC: H01L21/28

CPC classification number: C23C14/14 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5846 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76873

Abstract: A method for fabricating a semiconductor device is provided to suppress oxidation of a copper layer in burying a copper interconnection by using an alloy layer of copper and added metal along a concave part of an insulation layer. An alloy layer formed by adding metal to copper is formed along the wall surface of a concave part(75) of an interlayer dielectric on a substrate. A barrier layer is formed which is made of a compound of the added metal and a constitution element of the interlayer dielectric. The substrate is heated in an atmosphere including organic acid, organic acid anhydride and ketone to extract surplus added metal to the surface of the alloy layer. The surplus added metal extracted to the surface of the alloy layer can be removed. Copper is filled in the concave part.

Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法，以通过使用铜的合金层和沿着绝缘层的凹部添加金属来抑制铜互连的铜层的氧化。 沿着衬底上的层间电介质的凹部（75）的壁面形成通过将铜添加而形成的合金层。 形成由添加金属的化合物和层间电介质的构成元素构成的阻挡层。 将基材在包括有机酸，有机酸酐和酮的气氛中加热，以向合金层的表面提取剩余的添加金属。 可以除去提取到合金层表面的剩余添加金属。 铜填充在凹部中。

公开(公告)号：KR1020040029108A

公开(公告)日：2004-04-03

申请号：KR1020047003005

申请日：2002-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  스기우라마사히토 ,  가시와기유사쿠 ,  가가와요시히사 ,  오타도모히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3185

Abstract: 분자 내에 환상 구조를 갖는 화합물로 구성되는 처리 가스를 챔버(12)내에 도입한다. 한편으로 아르곤 등의 여기용 가스를 액티베이터(34)에 의해서 여기시켜 챔버(12) 내에 도입하여 처리 가스를 여기시킨다. 여기된 처리 가스는 피처리 기판(l9)상에 퇴적하여, 환상 구조를 막 중에 갖는 다공질 저유전율막을 형성한다.

Abstract translation: 由分子中具有环结构的化合物构成的处理气体被导入腔室（12）。 同时，由激活器（34）激励诸如氩等的激励气体并将其引入腔室（12）中，以使处理气体被激发。 激发的处理气体沉积在处理目标基板（19）上，在膜中形成具有环形结构的多孔低介电常数膜。

公开(公告)号：KR101422982B1

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：KR1020127027017

申请日：2011-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  이토히토시 ,  사토히로시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 성막 방법은 성막 장치(100)의 처리용기(1) 내에, 절연막이 마련된 웨이퍼(W)를 배치하는 공정과, 처리용기(1) 내에, TEOS 등의 실리콘 원자를 포함하는 화합물의 가스와 수증기 등의 OH기 공여성 가스를 공급하고, 상기 절연막의 표면에 Si-OH기를 형성시키는 표면 개질 공정과, 처리용기(1) 내에 망간함유 재료를 포함하는 성막 가스를 공급하고, CVD법에 의해 Si-OH기가 형성된 절연막의 표면에 망간함유막을 성막하는 성막 공정을 구비하고 있다. 표면 개질 공정에서는 실리콘 원자를 포함하는 화합물의 가스와, OH기 공여성 가스를, 처리 용기 내에 동시에 공급해도 좋고, 교대로 공급해도 좋다.

Abstract translation: 沉积在成膜装置100的处理室1中进行，包括以下步骤：将晶片（W），绝缘膜设置，所述化合物的过程中容器（1）中，TEOS气体和水蒸汽含有硅原子，如，如 OH的阴气体，在绝缘膜的表面形成Si-OH基的工序;向处理容器1内供给含有含锰材料的成膜气体的工序， 以及在其上形成有OH基的绝缘膜的表面上形成含锰膜的膜形成步骤。 在表面改性步骤中，可以在处理容器中同时或同时供应含有硅原子和含OH基团的气体的化合物的气体。

公开(公告)号：KR101237634B1

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：KR1020107011265

申请日：2008-12-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 군지이사오 ,  미요시히데노리 ,  이토히토시

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/448 ,  C23C16/46 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/4488 ,  C23C18/08 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/288

Abstract: 본 발명의 성막 방법은, 2가의 카르복실산 금속염과 카르복실산을 반응시켜 1가의 카르복실산 금속염 가스를 생성하는 공정과, 기판(1) 상에 1가의 카르복실산 금속염 가스를 공급하여 1가의 카르복실산 금속염막(2)을 퇴적시키는 공정과, 1가의 카르복실산 금속염막(2)이 퇴적된 기판(1)에 에너지를 부여하여 1가의 카르복실산 금속염막(2)을 분해하고, 금속막(3)을 형성하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR101114623B1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：KR1020097003835

申请日：2007-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  이시카와겐지 ,  다테이시히데키 ,  하야시마사카즈 ,  니시카와노부유키

IPC: H01L51/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: A substrate processing method includes a first step of forming a metal complex by allowing a processing gas containing an organic compound to be adsorbed by a metal layer formed on a target substrate while setting the target substrate to be kept at a first temperature, and a second step of sublimating the metal complex by heating the target substrate to maintain it at a second temperature higher than the first temperature.

公开(公告)号：KR101132487B1

公开(公告)日：2012-03-30

申请号：KR1020097018799

申请日：2008-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  니시무라에이이치 ,  구보타가즈히로

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76814

Abstract: 반도체 장치를 구성하는 금속에 잔류하는 불소를 저감하여, 신뢰성이 높은 반도체장치를 제공한다. 피처리 기판에 형성되는 반도체 장치의 전극 혹은 배선을 형성하고 있는 금속에 생성된 금속 불화물을 제거하는 처리를 실행하는 불화물 제거 공정을 가지는 반도체 장치의 제조방법으로서, 상기 불화물 제거 공정에서는, 상기 피처리 기판에 기체상태의 포름산을 공급하여, 상기 금속 불화물을 제거하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020120025543A

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：KR1020117030618

申请日：2010-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이토히토시 ,  미요시히데노리 ,  호사카시게토시 ,  사토히로시 ,  네이시고지 ,  고이케주니치

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76867

Abstract: 오목부(2)를 갖는 low-k막으로 이루어지는 절연층(122)이 표면에 형성된 피처리체(W)에 Mn을 포함하는 홈막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 절연층의 표면에 친수화 처리를 실시해서 친수성의 표면으로 하는 친수화 공정과, 친수화 처리가 실행된 절연층의 표면에 Mn함유 원료를 이용해서 성막 처리를 실시하는 것에 의해 Mn을 포함하는 홈막을 형성하는 홈막 형성 공정을 갖는다. 이것에 의해, 비유전율이 낮은 low-k막으로 이루어지는 절연층의 표면에 Mn을 포함하는 홈막, 예를 들면, MnOx를 효율적으로 형성한다.

公开(公告)号：KR101020452B1

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：KR1020087023367

申请日：2007-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829

Abstract: 피처리 기판을 유지함과 동시에 해당 피처리 기판을 가열하는 유지대와, 상기 유지대를 내부에 구비한 처리용기와, 상기 처리용기 내에, 처리 가스를 공급하는 가스 공급부를 구비한 기판 처리 장치며, 상기 처리 가스는, 유기산 암모늄 염, 유기산 아민 염, 유기산 아미드, 및 유기산 하이드라지드 중, 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.