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    기판 처리 방법
    21.
    发明公开
    기판 처리 방법 失效
    基板处理方法

    公开(公告)号：KR1020050104411A

    公开(公告)日：2005-11-02

    申请号：KR1020057015979

    申请日：2004-02-20

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  사사키마사루

    IPC: H01L21/31

    CPC classification number: H01L21/02046 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/3185

    Abstract: A substrate processing method is disclosed which comprises a first step wherein the surface of a silicon substrate is exposed to a mixed gas plasma of an inert gas and hydrogen, and a following second step wherein the surface of the silicon substrate is subjected to oxidation, nitridation, or oxynitridation which is performed by plasma processing. Organic material remaining on the substrate surface is removed therefrom during the first step.

    Abstract translation: 公开了一种衬底处理方法，其包括第一步骤，其中将硅衬底的表面暴露于惰性气体和氢气的混合气体等离子体，以及随后的第二步骤，其中硅衬底的表面经受氧化，氮化 ，或通过等离子体处理进行的氧氮化。 在第一步骤中，从基板表面残留的有机材料被去除。

    에칭 방법 및 장치
    23.
    发明授权
    에칭 방법 및 장치 有权

    公开(公告)号：KR101903215B1

    公开(公告)日：2018-10-01

    申请号：KR1020147001138

    申请日：2012-07-12

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 도칸다카시 ,  사사키마사루 ,  가마타히카루

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069

    Abstract: 동일한처리용기내에서, 에칭해야할 막종, 및처리가스의종류가상이한복수의에칭공정을전환할수 있는에칭방법을제공한다. 본발명의에칭방법은, 에칭해야할 막종, 및처리가스의종류가상이한제1 및제2 에칭공정(S1, S3)을구비한다. 제1 에칭공정(S1)으로부터제2 에칭공정(S3)으로이행하는동안에, 처리용기에클리닝가스를도입하고, 클리닝가스를플라즈마화시켜, 제1 에칭공정에서처리용기내에퇴적된반응생성물을제거하는제1 전환처리공정(S2)을행한다. 그리고, 제2 에칭공정(S3)으로부터제1 에칭공정(S1)으로이행하는동안에, 처리용기에클리닝가스를도입하고, 클리닝가스를플라즈마화시켜, 제2 에칭공정에서처리용기내에퇴적된반응생성물을제거하는제2 전환처리공정(S4)을행한다.

    에칭 방법 및 장치
    24.
    发明公开
    에칭 방법 및 장치 审中-实审
    蚀刻方法和装置

    公开(公告)号：KR1020140051900A

    公开(公告)日：2014-05-02

    申请号：KR1020147001138

    申请日：2012-07-12

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 도칸다카시 ,  사사키마사루 ,  가마타히카루

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069

    Abstract: 동일한 처리 용기 내에서, 에칭해야 할 막종, 및 처리 가스의 종류가 상이한 복수의 에칭 공정을 전환할 수 있는 에칭 방법을 제공한다. 본 발명의 에칭 방법은, 에칭해야 할 막종, 및 처리 가스의 종류가 상이한 제1 및 제2 에칭 공정(S1, S3)을 구비한다. 제1 에칭 공정(S1)으로부터 제2 에칭 공정(S3)으로 이행하는 동안에, 처리 용기에 클리닝 가스를 도입하고, 클리닝 가스를 플라즈마화시켜, 제1 에칭 공정에서 처리 용기 내에 퇴적된 반응 생성물을 제거하는 제1 전환 처리 공정(S2)을 행한다. 그리고, 제2 에칭 공정(S3)으로부터 제1 에칭 공정(S1)으로 이행하는 동안에, 처리 용기에 클리닝 가스를 도입하고, 클리닝 가스를 플라즈마화시켜, 제2 에칭 공정에서 처리 용기 내에 퇴적된 반응 생성물을 제거하는 제2 전환 처리 공정(S4)을 행한다.

    반도체 디바이스 제조 방법 및 반도체 디바이스 제조 장치
    25.
    发明授权
    반도체 디바이스 제조 방법 및 반도체 디바이스 제조 장치 有权
    制造半导体器件的方法及其制造方法

    公开(公告)号：KR101384590B1

    公开(公告)日：2014-04-11

    申请号：KR1020147001310

    申请日：2010-10-02

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 사사키마사루

    IPC: H01L21/336

    CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

    Abstract: 반도체 디바이스를 제조하는 방법은, 게이트 절연막을 개재하여 기판의 표면에 게이트 전극을 형성하는 게이트 전극 형성 단계; 게이트 전극의 측면에 절연막을 형성하는 절연막 형성 단계; 및 기판의 표면에 산소 플라즈마를 노출하는 플라즈마 노출 단계를 포함한다. 절연막 형성 단계에서, 플루오르 탄소를 포함하는 증착물이 발생하고, 플라즈마 노출 단계에서 기판의 표면에 산소 플라즈마를 노출함으로써 증착물이 제거된다. 기판의 표면의 근방의 산소 플라즈마의 전자 온도(electron temperature)는 1.5eV 이하이고, 산소 플라즈마는 100mtorr 이상 200mtorr 이하의 압력으로 조사(flash)된다.

    플라즈마 처리 방법 및 장치
    29.
    发明公开
    플라즈마 처리 방법 및 장치 失效
    选择性等离子体处理方法

    公开(公告)号：KR1020080058349A

    公开(公告)日：2008-06-25

    申请号：KR1020087006948

    申请日：2006-09-21

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 사사키마사루

    IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3185

    Abstract: Disclosed is a selective plasma processing method performed in a plasma processing apparatus, wherein an oxygen-containing plasma is caused to act on an object to be processed having silicon and a silicon nitride layer on the surface thereof, thereby selectively oxidizing the silicon. In this selective plasma processing method, the ratio of the thickness of a silicon oxynitride film formed in the silicon nitride layer relative to the thickness of the thus-formed silicon oxide film is controlled to 20% or less.

    Abstract translation: 公开了一种在等离子体处理装置中进行的选择性等离子体处理方法，其中使含氧等离子体作用在其表面上具有硅和氮化硅层的被处理物体上，从而选择性地氧化硅。 在这种选择性等离子体处理方法中，将氮化硅层中形成的氮氧化硅膜的厚度相对于这样形成的氧化硅膜的厚度的比率控制在20％以下。

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