公开(公告)号：KR1020160078917A

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：KR1020150185844

申请日：2015-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키야스하루 ,  도미오카다케토시 ,  기시히로키 ,  서지수

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H01L21/687 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/67109 ,  H02N13/00

Abstract: 본발명은포커스링과정전척에의해샌드위치되는공간에공급되는열 매체의리크량의증대를억제하는것을목적으로한다. 정전흡착방법은, 기판이탑재되는정전척과, 기판이탑재되는영역을둘러싸고정전척 상에마련된포커스링과, 포커스링과정전척의사이에샌드위치되는공간에열 매체를공급하는공급부와, 정전척 내부의, 포커스링에대응하는영역에마련되는복수의전극을구비한기판처리장치를이용한정전흡착방법으로서, 기판을플라즈마처리하기위한플라즈마가생성되는기간인플라즈마처리기간에있어서공급부에의해서공간에열 매체를공급하고, 플라즈마처리기간이외의다른기간에있어서, 포커스링을정전척에흡착하도록복수의전극에서로다른전압을인가한다.

Abstract translation: 本发明的目的是抑制供给到由聚焦环和静电卡盘夹持的空间的加热介质的泄漏量的增加。 本发明涉及使用基板处理单元的静电吸收方法，该基板处理单元包括安装有基板的静电卡盘; 所述聚焦环围绕安装有所述基板的区域，并且布置在所述静电卡盘上; 供应部件，其将加热介质供应到夹在聚焦环和静电卡盘之间的空间; 以及布置在与静电卡盘内部的聚焦环相对应的区域上的多个电极。 此外，静电吸收方法的特征在于，在等离子体处理期间，通过供给部供给加热介质，该等离子体处理期间是等离子体生成等离子体的周期，用于等离子体处理基板; 并且在除了等离子体处理周期之外的其它周期中，将不同的电压施加到用于将聚焦环吸收到静电卡盘上的电极。

公开(公告)号：KR1020140107279A

公开(公告)日：2014-09-04

申请号：KR1020147016724

申请日：2012-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키야스하루 ,  스가마타다케시 ,  아오토다다시

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  C09J201/00

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/6831 ,  H01L2221/683

Abstract: 본 발명은 정전 척의 접착 결합에 이용되는 접착제의 열화를 방지할 수 있는 탑재대(70), 및 그러한 탑재대(70)를 구비하는 플라즈마 처리 장치(10)를 제공하는 것을 목적으로 한다. 탑재대(70)는 정전 척(50), 베이스(14) 및 통형상의 슬리브(80)를 구비한다. 정전 척(50)은 플라즈마에 노출되는 표면 및 이 표면과 대향하는 이면을 갖고, 제 1 관통 구멍이 형성된다. 베이스(14)는 정전 척(50)의 이면에 제 1 접착제(71)에 의해서 접합되고, 제 1 관통 구멍에 연통되어 상기 제 1 관통 구멍의 구경(R1)보다 큰 구경(R2)의 제 2 관통 구멍이 형성된다. 슬리브(80)는, 제 2 접착제(72)에 의해서, 제 1 관통 구멍과 연통한 상태로 정전 척(50)의 이면에 접합된다.

公开(公告)号：KR1020120115257A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：KR1020127014889

申请日：2010-12-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤

Inventor： 사사키야스하루 ,  마스자와겐지 ,  마카베도시유키 ,  고사카이마모루 ,  사토우다카시 ,  이시무라가즈노리 ,  하야하라류우지 ,  고우노히토시

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32642 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/338 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 본 발명은 정전 척부와, 이 정전 척부를 둘러싸도록 마련된 환상의 포커스 링부와, 이들 정전 척부 및 포커스 링부를 냉각하는 냉각 베이스부에 의해 구성되고, 포커스 링부는 환상의 포커스 링과, 환상의 열전도 시트와, 환상의 세라믹 링과, 비자성체의 히터와, 이 히터에 급전하는 전극부를 구비하여 이루어지는 정전 척 장치를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020110036503A

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：KR1020100094166

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키야스하루

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/68 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: A temperature control method of a substrate mounting table and system thereof are provided to efficiently use heat from a heating unit to increase the temperature of the substrate mounting table, thereby saving loss of heat energy. CONSTITUTION: A susceptor(12) includes a heater unit(14), a coolant flow path, and a coolant chamber(16). The susceptor mounts a wafer on which a plasma etch process is performed. Coolants flow in the coolant flow path and the coolant chamber. The flow of the coolant in the coolant chamber is stopped when the heater unit generates heat. A medium which is higher than the temperature of the coolant of the coolant flow path while the flow of the coolant in the coolant chamber is stopped.

Abstract translation: 目的：提供一种基板安装台及其系统的温度控制方法，以有效地利用来自加热单元的热量来增加基板安装台的温度，从而节省热能损失。 构成：基座（12）包括加热器单元（14），冷却剂流动路径和冷却剂室（16）。 基座安装执行等离子体蚀刻工艺的晶片。 冷却剂在冷却剂流动路径和冷却剂室中流动。 当加热器单元产生热量时，冷却剂室中的冷却剂流动停止。 当冷却剂室中的冷却剂流动停止时，其高于冷却剂流路的冷却剂的温度的介质。

公开(公告)号：KR1020100083742A

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：KR1020100003242

申请日：2010-01-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시오카켄 ,  다카하시슈이치 ,  사사키야스하루

IPC: H01L21/687 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01L21/67132 ,  Y10T29/49746 ,  Y10T428/219 ,  Y10T428/24777 ,  Y10T428/24843 ,  Y10T428/249982 ,  Y10T428/249985

Abstract: PURPOSE: An electrostatic chuck device and a method for repairing the same are provided to prevent the non-uniformity of thermal conductive of an adhesive layer after a repairing process by uniformly repairing the eroded absorbing layer and adhesive layer. CONSTITUTION: A wafer is absorbed on the upper side of an absorbing layer(23). The absorbing layer is made of an insulation resin sheet and ceramic with an electrode. A rotation unit(11) rotates an electrostatic chuck device(20). A bobbin(12) supplies a string type adhesive(14) to an adhesive layer(22). A position determining unit determines the position of the adhesive between a bobbin and the adhesive layer.

Abstract translation: 目的：提供一种静电卡盘装置及其修复方法，以通过均匀地修复被侵蚀的吸收层和粘合剂层来修复修复之后的粘合剂层的导热性不均匀。 构成：晶片被吸收在吸收层（23）的上侧。 吸收层由绝缘树脂片和具有电极的陶瓷制成。 旋转单元（11）使静电吸盘装置（20）旋转。 线轴（12）将线型粘合剂（14）供应到粘合剂层（22）。 位置确定单元确定线轴和粘合剂层之间的粘合剂的位置。

公开(公告)号：KR100963722B1

公开(公告)日：2010-06-14

申请号：KR1020080013475

申请日：2008-02-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히구마마사카즈 ,  사사키야스하루 ,  아오토다다시 ,  기쿠치에이이치로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/68757 ,  C23C16/4581 ,  H01J37/20 ,  H01L21/67366 ,  H01L21/6875

Abstract: 기판 탑재대는 기판의 흡착 불량을 방지하여 기판 처리 장치의 가동률을 향상시킨다. 기판 탑재대는 기판 처리 장치 내에 배치되고 기판을 탑재하는 기판 탑재면을 갖는다. 기판 탑재면의 산술 평균 거칠기(Ra)는 제 1 소정값 이상이고, 기판 탑재면의 초기 마모 높이(Rpk)는 제 2 소정값 이하이다.

公开(公告)号：KR1020090086171A

公开(公告)日：2009-08-11

申请号：KR1020090009726

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키야스하루

IPC: H01L21/687

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: A substrate mounting table, a substrate processing apparatus, and a method for controlling temperature of the substrate are provided to improve quality of a substrate by preventing variation of substrate temperature around a feed line of an electrostatic chuck. A substrate mounting table(2) is arranged inside a processing chamber for performing a plasma process of a substrate(W). The substrate mounting table includes at least one feed part, a cooling medium path(18), a convex part, an inlet, and a control unit. An insulation material surrounds a feed line(13) of the feed part. The convex part divides a substrate mounting surface of the substrate mounting table into a plurality of regions. The inlet introduces a cooling gas to a plurality of regions divided by the convex part. The control unit controls a flow rate or pressure of the cooling gas.

Abstract translation: 提供了基板安装台，基板处理装置和用于控制基板温度的方法，以通过防止静电卡盘的馈送线周围的基板温度的变化来提高基板的质量。 衬底安装台（2）布置在用于执行衬底（W）的等离子体处理的处理室内。 基板安装台包括至少一个进料部分，冷却介质路径（18），凸部，入口和控制单元。 绝缘材料围绕进料部分的进料管线（13）。 凸部将基板安装台的基板安装面分割成多个区域。 入口将冷却气体引入由凸部分开的多个区域。 控制单元控制冷却气体的流量或压力。

公开(公告)号：KR101902349B1

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：KR1020147018738

申请日：2013-02-06

Applicant: 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키야스하루 ,  오오하시가오루 ,  다카하시도모유키 ,  아오토다다시 ,  고사카이마모루 ,  마에타신이치 ,  미우라유키오 ,  사토다카시 ,  후루우치게이

IPC: H01L21/683 ,  B23Q3/15 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/6833 ,  B23Q3/15 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 상면을판 형상시료를재치하는재치면으로함과함께정전흡착용내부전극을내장한정전척부와, 정전척부를냉각하는냉각베이스부를구비하고, 정전척부와냉각베이스부는접착층을통하여접착일체화되며, 정전척부및 냉각베이스부에형성된냉각용가스구멍에, 절연애자와, 절연애자의외주부에동축적으로설치된절연애자로이루어지는 2중관구조의절연애자를, 냉각용가스구멍측의접착층의노출면을덮도록설치하였다.

公开(公告)号：KR101672859B1

公开(公告)日：2016-11-04

申请号：KR1020100099915

申请日：2010-10-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키야스하루 ,  노나카료 ,  나가야마노부유키

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67109

Abstract: 기판의온도상승을신속하게행할수 있고, 열에너지의손실을저감할수 있는기판재치대의온도제어시스템을제공한다. 히터유닛(14)과열 매체유로(15)를내장하고, 플라즈마에칭처리가실시되는웨이퍼(W)를재치하는서셉터(12)의냉매순환시스템은, 열매체유로(15)에접속되어비교적저온의냉매를열 매체유로(15)로공급하는냉매공급장치(20)와, 열매체유로(15)와냉매공급장치(20)의사이에배치되고비교적고온의고온매체를저장하는고온매체저장탱크(21)와, 냉매공급장치(20) 및고온매체저장탱크(21)와열 매체유로(15)의사이에배치되고, 서셉터(12)의온도를상승시킬때에냉매공급장치(20)로부터열 매체유로(15)로의냉매의공급을정지하고, 또한고온매체저장탱크(21)로부터열 매체유로(15)로고온매체를공급하는제 1 밸브군(23)을구비한다.

Abstract translation: 温度控制系统包括：传热介质供给，其构造成将第一温度的第一传热介质供给到传热介质路径中; 设置在传热介质路径和传热介质之间的至少一个传热介质存储器供应并构造成存储第二温度高于第一温度的第二传热介质; 传热介质供给控制装置，设置在所述传热介质供给与所述传热介质路径之间，以及所述传热介质储存部和所述传热介质路径之间，并且被配置为停止向所述传热介质供给所述第一传热介质 并且当加热单元产生热量时，从传热介质储存器将第二传热介质供应到传热介质路径中。

公开(公告)号：KR1020150057976A

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：KR1020140151262

申请日：2014-11-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키야스하루 ,  후시미아키히토

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00 ,  B23Q3/15 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/6833 ,  Y10T29/49998 ,  Y10T279/23

Abstract: 재치대에피흡착물을흡착시키는방법이제공된다. 재치대는, 감압가능한공간내에서피처리체를처리하기위한처리장치에서이 공간을구획하여형성하는처리용기내에설치되어있다. 또한, 처리장치는예를들면플라즈마처리장치이다. 이방법은, 재치대의정전척 상에피흡착물을재치하는공정과, 정전척의 3 개의전극에각각서로위상이상이한 3 개의교류전압을인가하는공정을포함한다.

Abstract translation: 提供了一种用于将目标物体吸附在安装台上的方法。 安装台安装在通过在可用于减压的空间中分割用于处理目标物体的处理装置中的空间而形成的处理容器中。 此外，处理装置是作为示例的等离子体处理装置。 该方法包括将目标物体安装在安装台的静电卡盘上的过程; 并且将具有不同相位的三个交流电压施加到静电卡盘的三个电极。