公开(公告)号：KR1020110081296A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：KR1020117011259

申请日：2009-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카야마노부유키 ,  마츠모토나오키

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/452 ,  C23C16/4558 ,  H01J37/32192

Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는 처리 용기(12) 내로 플라즈마 처리용의 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부(13)를 구비한다. 반응 가스 공급부(13)는 유전체판(16)의 중앙부에 설치되어 있으며 보지대(14)에 보지된 피처리 기판(W)의 중앙 영역을 향하여 직하 방향으로 반응 가스를 공급하는 제 1 반응 가스 공급부(61)와, 보지대(14) 상에 보지된 피처리 기판(W)의 직상 영역을 피한 위치이고 보지대(14)의 직상 영역에 설치되어 있으며 보지대(14)에 보지된 피처리 기판(W)을 향하여 경사 방향으로 반응 가스를 공급하는 제 2 반응 가스 공급부(62)를 포함한다.

Abstract translation: 等离子体处理装置11具备用于向处理容器12内供给等离子体处理用的反应气体的反应气体供给部13。 反应气体供给部13设置在电介质板16的中央部，具备：第一反应气体供给部16，其向正下方向向保持基台14所保持的基板W的中央区域供给反应气体; （未图示），其设置于靶基座14的正上方位置，且位于避开保持在保持基座14上的被处理基板W的正上方的区域的位置; 以及第二反应气体供应单元62，用于沿着朝向基板W的倾斜方向供应反应气体。

公开(公告)号：KR1020100105787A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：KR1020107019000

申请日：2009-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  다카이카즈토 ,  코레이카 ,  오카야마노부유키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 플라즈마 에칭 처리 장치(11)는, 그 위에 반도체 기판(W)을 보지하는 보지대(14)와, 보지대(14)에 보지된 반도체 기판(W)의 중앙부의 영역을 가열하는 제 1 히터(18a)와, 보지대(14)에 보지된 반도체 기판(W)의 중앙부의 주변에 위치하는 단부의 영역을 가열하는 제 2 히터(18b)와, 보지대(14)에 보지된 반도체 기판(W)의 중앙부의 영역을 향하여 플라즈마 처리용의 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부(13)와, 보지대(14)에 보지된 반도체 기판(W)의 중앙부 및 단부의 영역의 온도를 상이하게 하도록 제 1 및 제 2 히터(18a, 18b)를 제어하여 반도체 기판(W)의 플라즈마 에칭 처리를 행하는 제어부(20)를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020070037516A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：KR1020077006051

申请日：2002-05-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무토신지 ,  다구치치히로 ,  오카야마노부유키

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/68757 ,  C23C4/02 ,  C23C4/18 ,  H01L21/6833 ,  Y10T279/23

Abstract: 플라즈마 처리 장치의 서셉터(10), 즉 기판 테이블의 정전 척(12)이 세라믹 용사에 의해 형성된다. 세라믹 용사층(12A)은 메타크릴 수지(12D)에 의해 봉공된다. 메크릴산메틸을 주 성분으로 하는 수지 원료액을 세라믹 용사층에 도포 함침시켜, 그것을 경화시킴으로써, 세라믹 용사층의 세라믹 입자간의 기공을 메타크릴 수지에 의해 충전시킨다. 메타크릴 수지 원료액은 경화시에 기공을 발생시키지 않는 완전한 봉공 처리를 실행할 수 있다.
플라즈마 처리 장치, 기판 테이블, 봉공

公开(公告)号：KR1020040035884A

公开(公告)日：2004-04-29

申请号：KR1020047004313

申请日：2002-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기야마노리카즈 ,  사에구사히데히토 ,  오카야마노부유키 ,  이무로슌이치 ,  이마후쿠고스케 ,  나가야마노부유키 ,  미츠하시고지 ,  나카야마히로유키 ,  후앙야후이

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C03C15/02 ,  C03B29/025 ,  C03C19/00 ,  Y02P40/57

Abstract: 사용 초기의 파티클 발생 및 그 후의 치핑 발생을 억제한 플라즈마 처리 장치용 석영부재의 가공 방법, 플라즈마 처리 장치용 석영부재 및 그 석영부재가 실장된 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 쉴드 링, 포커스 링 등에 이용되는 플라즈마 처리 장치용 석영부재(151)에 발생하고 있는 다이아몬드 연삭 후의 다수의 크랙(155)을 예컨대 입도가 #320 내지 400인 연마 입자에 의한 표면 가공을 실행하여 제거한다. 그 후, 더욱 작은 입자 직경의 연마 입자를 이용하여 표면 가공을 실행하여, 퇴적물을 부착 및 유지 가능한 요철을 유지하면서 파쇄층(163)을 제거한다.

Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置用石英材料的加工用部件，其能够在开始使用时抑制粒子的产生，其后用于制造芯片，等离子体处理装置用石英材料以及具有石英的等离子体处理装置 该方法包括以下步骤：通过用研磨剂进行表面处理，去除在用于屏蔽环和聚焦环的等离子体处理装置的石英部件151中在金刚石研磨之后产生的大量裂纹155 例如晶粒尺寸为＃320至400的晶粒，并通过使用较小晶粒尺寸的磨粒进行表面处理以除去破裂层​​163，同时保持能够粘附和保持沉积于其上的不规则性。

公开(公告)号：KR3003095290002S

公开(公告)日：2002-11-02

申请号：KR3020020015505

申请日：2002-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Designer： 이마푸쿠코수케 ,  오카야마노부유키

公开(公告)号：KR3003095300000S

公开(公告)日：2002-10-31

申请号：KR3020010016334

申请日：2001-06-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Designer： 이마푸쿠코수케 ,  오카야마노부유키