플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법, 플라즈마 처리 장치의 클리닝 방법 및 플라즈마 처리 장치용 압력 조정 밸브
    21.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법, 플라즈마 처리 장치의 클리닝 방법 및 플라즈마 처리 장치용 압력 조정 밸브 有权
    等离子体处理装置,等离子体处理方法,等离子体处理装置的清洗方法和等离子体处理装置的压力控制阀

    公开(公告)号:KR101269937B1

    公开(公告)日:2013-05-31

    申请号:KR1020117004274

    申请日:2009-08-27

    Abstract: 플라즈마처리장치(11)는, 배기공(13)으로부터하방측으로연장되는제1 배기로(15)와, 제1 배기로(15)의배기방향의하류측단부(端部)에접속되어있고, 제1 배기로(15)와수직인방향으로연장되며, 배기방향에대하여직교하는단면에있어서상하방향보다도폭 방향이긴 횡장단면형상의제2 배기로(16)와, 제2 배기로(16)의배기방향의하류측단부에접속되어있고, 제2 배기로(16)와수직인방향으로연장되는제3 배기로(17)와, 제3 배기로(17)의배기방향의하류측단부에접속되어있고, 처리용기(12) 내를감압하는펌프(18)와, 제2 배기로(16) 내에설치되어있고, 제2 배기로(16)를폐쇄가능하여, 배기방향의상류측과하류측과의압력을조정하는압력조정용밸브플레이트(20)를갖는압력조정밸브(21)와, 제3 배기로(17) 내에설치되어있고, 제3 배기로(17)의개폐를행하는셧오프밸브플레이트(22)를갖는셧오프밸브(23)를구비한다.

    Abstract translation: 等离子体处理装置设置有从排气孔向下延伸的第一排气路径; 第二排气通道,其沿着排气方向连接到第一排气通路的下游端部,并且沿与第一排气通路延伸的方向垂直的方向延伸,其横截面与排气通道 方向为水平长,使得宽度方向长度大于横截面中的垂直长度; 第三排气通道,其沿排气方向连接到第二排气路径的下游端部,并且沿与第二排气通路延伸的方向垂直的方向延伸; 泵,其在排气方向上连接到第三排气路径的下游端部,并且减压处理容器的内部; 设置在第二排气路径中的压力控制阀,包括能够关闭第二排气通路并控制排气方向上游侧和下游侧的压力的压力控制阀板; 以及截止阀,其设置在所述第三排气路径中并且包括打开和关闭所述第三排气路径的截止阀板。

    플라즈마 처리 장치
    22.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 有权
    等离子体加工设备

    公开(公告)号:KR1020110058699A

    公开(公告)日:2011-06-01

    申请号:KR1020100117013

    申请日:2010-11-23

    Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus for improving reproducibility and reliability is provided to enhance a hight frequency cutoff function by controlling a parallel resonance frequency arbitrarily. CONSTITUTION: A filter(102(1)) accepts coaxially a coil(104(1)) within a cylindrical outer conductor(110). A ring member(122) is installed between the coil and the outer conductor coaxially. The ring member comprises a plate extended as an annular shape on a plane in perpendicular to the axial direction of the outer conductor. The ring member is made of copper, aluminum etc. The ring member is electrically connected to the outer conductor. The ring member is electrically insulated from the coil.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于提高再现性和可靠性的等离子体处理装置,以通过任意地控制并联谐振频率来增强高频截止功能。 构成:过滤器(102(1))同轴地接收圆柱形外部导体(110)内的线圈(104(1))。 环形构件(122)同轴地安装在线圈和外导体之间。 环构件包括在垂直于外导体的轴向方向的平面上延伸为环形的板。 环构件由铜,铝等制成。环构件电连接到外导体。 环形构件与线圈电绝缘。

    플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법, 플라즈마 처리 장치의 클리닝 방법 및 플라즈마 처리 장치용 압력 조정 밸브
    23.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법, 플라즈마 처리 장치의 클리닝 방법 및 플라즈마 처리 장치용 압력 조정 밸브 有权
    等离子体处理装置,等离子体处理方法,等离子体处理装置的清洗方法和等离子体处理装置的压力控制阀

    公开(公告)号:KR1020110033948A

    公开(公告)日:2011-04-01

    申请号:KR1020117004274

    申请日:2009-08-27

    Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는, 배기공(13)으로부터 하방측으로 연장되는 제1 배기로(15)와, 제1 배기로(15)의 배기 방향의 하류측 단부(端部)에 접속되어 있고, 제1 배기로(15)와 수직인 방향으로 연장되며, 배기 방향에 대하여 직교하는 단면에 있어서 상하 방향보다도 폭 방향이 긴 횡장 단면 형상의 제2 배기로(16)와, 제2 배기로(16)의 배기 방향의 하류측 단부에 접속되어 있고, 제2 배기로(16)와 수직인 방향으로 연장되는 제3 배기로(17)와, 제3 배기로(17)의 배기 방향의 하류측 단부에 접속되어 있고, 처리 용기(12) 내를 감압하는 펌프(18)와, 제2 배기로(16) 내에 설치되어 있고, 제2 배기로(16)를 폐쇄 가능하여, 배기 방향의 상류측과 하류측과의 압력을 조정하는 압력 조정용 밸브 플레이트(20)를 갖는 압력 조정 밸브(21)와, 제3 배기로(17) 내에 설치되어 있고, 제3 배기� ��(17)의 개폐를 행하는 셧오프 밸브 플레이트(22)를 갖는 셧오프 밸브(23)를 구비한다.

    Abstract translation: 等离子体处理装置设置有从排气孔向下延伸的第一排气路径; 第二排气通道,其沿着排气方向连接到第一排气通路的下游端部,并且沿与第一排气通路延伸的方向垂直的方向延伸,其横截面与排气通道 方向为水平长,使得宽度方向长度大于横截面中的垂直长度; 第三排气通道,其沿排气方向连接到第二排气路径的下游端部,并且沿与第二排气通路延伸的方向垂直的方向延伸; 泵,其在排气方向上连接到第三排气路径的下游端部,并且减压处理容器的内部; 设置在第二排气路径中的压力控制阀,包括能够关闭第二排气通路并控制排气方向上游侧和下游侧的压力的压力控制阀板; 以及截止阀,其设置在所述第三排气路径中并且包括打开和关闭所述第三排气路径的截止阀板。

    탑재대의 온도 제어 장치 및 탑재대의 온도 제어 방법 및처리 장치 및 탑재대 온도 제어 프로그램
    24.
    发明授权
    탑재대의 온도 제어 장치 및 탑재대의 온도 제어 방법 및처리 장치 및 탑재대 온도 제어 프로그램 有权
    用于控制安装表的温度的装置和方法,其程序和包括其的处理装置

    公开(公告)号:KR100905897B1

    公开(公告)日:2009-07-02

    申请号:KR1020060028274

    申请日:2006-03-29

    Abstract: 비교적 소규모 또한 간단한 구성으로써 탑재대의 온도 내지 온도 분포를 다종다양 또는 고정밀도로 제어하고, 또한 탑재대의 고속 승강온을 가능하게 한다. 탑재대 온도 제어 장치는, 탑재대(12) 내부의 냉매 통로, 칠러 유닛(14), 가열 유닛(16), 유로 전환 유닛(18), 배관류(26, 28, 30, 32, 58, 60 등) 및 컨트롤러(20)를 가지고 있다. 컨트롤러(20)의 제어에 의해 가열 유닛(16)에 있어서의 가열 동작의 온·오프 상태와 유로 전환 유닛(18)에 있어서의 개폐 밸브(62, 64, 66, 68)의 온·오프 상태를 조합함으로써, 탑재대(12)에 대한 온도 제어에 대하여 여러 종류의 모드를 얻을 수 있다.

    플라즈마 처리 장치
    25.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101872053B1

    公开(公告)日:2018-06-27

    申请号:KR1020137033375

    申请日:2012-06-29

    CPC classification number: H01J37/32201 H01J37/32211 H01J37/3222

    Abstract: RF 바이어스용고주파를인가하기위한급전봉과, 상기급전봉의상단에서셉터를접속하고, 하단에매칭유닛내의정합기의고주파출력단자를접속하며, 급전봉을내부도체로하여그 주위를둘러싸는원통형의외부도체를설치하고, 동축선로를형성한마이크로파플라즈마처리장치에있어서, 상기동축선로에는, 챔버내의플라즈마생성공간으로부터선로내에들어간원하지않는마이크로파의공간전파를차단하기위한쵸크기구를설치하고, 마이크로파의 RF 급전라인에대한누설을라인도중에서차단하여마이크로파누설장애를방지한다.

    플라즈마 처리 장치
    26.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치 有权
    等离子体加工设备

    公开(公告)号:KR101687566B1

    公开(公告)日:2016-12-19

    申请号:KR1020100117013

    申请日:2010-11-23

    CPC classification number: H01J37/32174 H01J37/32091 H01J37/32522 H05H1/46

    Abstract: 처리용기내의고주파전극그 외의전기적부재로부터급전라인또는신호선등의선로상에들어오는고주파노이즈에대하여병렬공진주파수를임의로조정할수 있도록하여, 상이한주파수의고주파노이즈를모두효율적으로안정되고확실하게차단한다. 필터(102(1))는, 통형상의외도체(110) 내에코일(104(1))을동축에수용하고, 코일(104(1))과외도체(110) 간에링 부재(122)를동축에설치한다. 링부재(122)는, 바람직하게는외도체(110)의축방향과직교하는평면상에원환형상으로연장되는판체로서구성되고, 바람직하게는구리, 알루미늄등의도체로이루어지고, 외도체(110)에전기적으로접속되고코일(104(1))과는전기적으로절연되어있다.

    Abstract translation: 可以调节并联谐振频率,以便稳定且可靠地阻止流入来自包括处理室内的高频电极的电气部件的馈电线或信号线的线路的不同高频噪声。 过滤器102(1)在圆柱形外部导体110内同轴地容纳线圈104(1),并且环形构件122同轴地安装在线圈104(1)和外部导体110之间。环形构件122可以是 在与外导体110的轴向正交的平面上并且由诸如铜或铝的导体制成并且与外导体110电连接并且与线圈104(1)电绝缘的平板体。

    성막 장치 및 샤워 헤드
    27.
    发明公开
    성막 장치 및 샤워 헤드 审中-实审
    电影成型装置和淋浴头

    公开(公告)号:KR1020160052336A

    公开(公告)日:2016-05-12

    申请号:KR1020150148531

    申请日:2015-10-26

    Abstract: 본발명은, 배치대의회전중심으로부터배치대의직경방향에있어서의피처리기판의막 두께의균일성을향상시키는것을목적으로한다. 개시하는성막장치는, 기판을배치하고, 축선(X)을중심으로회전하는배치대와, 제1 영역에있어서하면이배치대에대향하도록설치되고, 내부에제1 및제2 버퍼공간을갖는유닛(U)과, 제1 및제2 버퍼공간에공급되는전구체가스의유량을독립적으로제어하는유량제어기를구비한다. 유닛(U)의하면에는, 제1 버퍼공간으로연통되고, 제1 버퍼공간에공급된전구체가스를분사하는복수의분사구(16h)를포함하는내측분사부(161a)와, 제2 버퍼공간으로연통되고, 제2 버퍼공간에공급된전구체가스를분사하는복수의분사구(16h)를포함하는중간분사부(162a)가마련된다. 내측분사부(161a)에포함되는분사구(16h)는모두중간분사부(162a)에포함되는분사구(16h)보다도축선(X)에가까운위치에마련된다.

    Abstract translation: 提供本发明用于提高从放置台的旋转中心沿着放置台的直径方向的被处理基板的膜厚的均匀性。 公开的成膜装置包括:放置台,其布置基板并围绕轴线(X)旋转; 单元(U),其安装成具有位于第一区域中的放置台的下侧并且具有内部的第一和第二缓冲空间; 以及流量控制器,其独立地控制供应到第一和第二缓冲空间的前体气体的流动。 单元(U)的下侧布置有:连接到第一缓冲空间的内部喷射单元(161a),并且包括喷射供应到第一缓冲空间的前体气体的多个喷射孔(16h) 和连接到第二缓冲空间的中间喷雾单元(162a),并且包括喷射供给到第二缓冲空间的前体气体的多个喷射孔(16h)。 包括在内部喷雾单元(161a)中的所有喷射孔(16h)布置在比包括在中间喷射单元(162a)中的喷射孔(16h)更靠近轴线(X)的位置。

    성막 장치
    28.
    发明公开
    성막 장치 有权
    成膜装置

    公开(公告)号:KR1020150037889A

    公开(公告)日:2015-04-08

    申请号:KR1020157001975

    申请日:2013-04-17

    Abstract: 일실시형태의성막장치는, 배치대, 처리용기, 가스공급부및 플라즈마생성부를구비한다. 배치대는, 그복수의기판배치영역이둘레방향으로이동하도록축선을중심으로회전가능하게설치되어있다. 처리실은, 배치대를수용하고있고, 제1 영역및 제2 영역을포함한다. 배치대의회전에의해축선에대하여둘레방향으로이동하는기판배치영역은, 제1 영역및 제2 영역을순서대로통과한다. 가스공급부는, 배치대에대면하도록설치된분사부로부터제1 영역에전구체가스를공급한다. 플라즈마생성부는, 제2 영역의위쪽에있어서도파로를구획하는 1 이상의도파관과, 그 1 이상의도파관에접속된마이크로파발생기와, 1 이상의도파관의하측도체부에형성된복수의개구를통과하여제2 영역까지연장된유전체제의복수의돌출부를포함한다. 복수의돌출부는, 상기축선에대하여방사방향으로배열되어있다.

    플라즈마 처리 장치
    29.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101173268B1

    公开(公告)日:2012-08-10

    申请号:KR1020117016076

    申请日:2008-03-28

    Abstract: 소정의 플라즈마 처리가 실시되는 기판을 수납하는 감압 배기 가능한 처리실과, 플라즈마를 생성하기 위해 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기와, 상기 마이크로파 발생기로부터의 마이크로파를 상기 처리실로 전파하는 도파관과, 상기 도파관의 일단에 연결된 도파관-동축관 변환기와, 마이크로파가 상기 도파관-동축관 변환기로부터 상기 처리실로 전파되는 라인을 형성하는 동축관을 포함하는 플라즈마 처리 장치가 개시된다. 상기 동축관의 내부 도전체는, 중공부와, 상기 동축관의 내부 도전체의 중공부를 통해 상기 처리실로 처리 가스를 공급하는 제 1 처리 가스 공급부를 구비한다.

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