Abstract:
PURPOSE: A plasma processing apparatus for improving reproducibility and reliability is provided to enhance a hight frequency cutoff function by controlling a parallel resonance frequency arbitrarily. CONSTITUTION: A filter(102(1)) accepts coaxially a coil(104(1)) within a cylindrical outer conductor(110). A ring member(122) is installed between the coil and the outer conductor coaxially. The ring member comprises a plate extended as an annular shape on a plane in perpendicular to the axial direction of the outer conductor. The ring member is made of copper, aluminum etc. The ring member is electrically connected to the outer conductor. The ring member is electrically insulated from the coil.
Abstract:
플라즈마 처리 장치(11)는, 배기공(13)으로부터 하방측으로 연장되는 제1 배기로(15)와, 제1 배기로(15)의 배기 방향의 하류측 단부(端部)에 접속되어 있고, 제1 배기로(15)와 수직인 방향으로 연장되며, 배기 방향에 대하여 직교하는 단면에 있어서 상하 방향보다도 폭 방향이 긴 횡장 단면 형상의 제2 배기로(16)와, 제2 배기로(16)의 배기 방향의 하류측 단부에 접속되어 있고, 제2 배기로(16)와 수직인 방향으로 연장되는 제3 배기로(17)와, 제3 배기로(17)의 배기 방향의 하류측 단부에 접속되어 있고, 처리 용기(12) 내를 감압하는 펌프(18)와, 제2 배기로(16) 내에 설치되어 있고, 제2 배기로(16)를 폐쇄 가능하여, 배기 방향의 상류측과 하류측과의 압력을 조정하는 압력 조정용 밸브 플레이트(20)를 갖는 압력 조정 밸브(21)와, 제3 배기로(17) 내에 설치되어 있고, 제3 배기� ��(17)의 개폐를 행하는 셧오프 밸브 플레이트(22)를 갖는 셧오프 밸브(23)를 구비한다.
Abstract:
비교적 소규모 또한 간단한 구성으로써 탑재대의 온도 내지 온도 분포를 다종다양 또는 고정밀도로 제어하고, 또한 탑재대의 고속 승강온을 가능하게 한다. 탑재대 온도 제어 장치는, 탑재대(12) 내부의 냉매 통로, 칠러 유닛(14), 가열 유닛(16), 유로 전환 유닛(18), 배관류(26, 28, 30, 32, 58, 60 등) 및 컨트롤러(20)를 가지고 있다. 컨트롤러(20)의 제어에 의해 가열 유닛(16)에 있어서의 가열 동작의 온·오프 상태와 유로 전환 유닛(18)에 있어서의 개폐 밸브(62, 64, 66, 68)의 온·오프 상태를 조합함으로써, 탑재대(12)에 대한 온도 제어에 대하여 여러 종류의 모드를 얻을 수 있다.
Abstract:
본발명은, 배치대의회전중심으로부터배치대의직경방향에있어서의피처리기판의막 두께의균일성을향상시키는것을목적으로한다. 개시하는성막장치는, 기판을배치하고, 축선(X)을중심으로회전하는배치대와, 제1 영역에있어서하면이배치대에대향하도록설치되고, 내부에제1 및제2 버퍼공간을갖는유닛(U)과, 제1 및제2 버퍼공간에공급되는전구체가스의유량을독립적으로제어하는유량제어기를구비한다. 유닛(U)의하면에는, 제1 버퍼공간으로연통되고, 제1 버퍼공간에공급된전구체가스를분사하는복수의분사구(16h)를포함하는내측분사부(161a)와, 제2 버퍼공간으로연통되고, 제2 버퍼공간에공급된전구체가스를분사하는복수의분사구(16h)를포함하는중간분사부(162a)가마련된다. 내측분사부(161a)에포함되는분사구(16h)는모두중간분사부(162a)에포함되는분사구(16h)보다도축선(X)에가까운위치에마련된다.
Abstract:
소정의 플라즈마 처리가 실시되는 기판을 수납하는 감압 배기 가능한 처리실과, 플라즈마를 생성하기 위해 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기와, 상기 마이크로파 발생기로부터의 마이크로파를 상기 처리실로 전파하는 도파관과, 상기 도파관의 일단에 연결된 도파관-동축관 변환기와, 마이크로파가 상기 도파관-동축관 변환기로부터 상기 처리실로 전파되는 라인을 형성하는 동축관을 포함하는 플라즈마 처리 장치가 개시된다. 상기 동축관의 내부 도전체는, 중공부와, 상기 동축관의 내부 도전체의 중공부를 통해 상기 처리실로 처리 가스를 공급하는 제 1 처리 가스 공급부를 구비한다.
Abstract:
플라즈마 처리 장치(31)는, 처리 용기(32)와, 처리 용기(32) 내로 플라즈마 처리용의 가스를 공급하는 플라즈마 처리용 가스 공급부(33)와, 그 위에 피처리 기판(W)을 보지하는 보지대(34)와, 처리 용기(32) 내에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 기구(39)와, 보지대(34)의 상방측이 되는 제 1 위치 및 제 1 위치와 상이한 제 2 위치로 이동 가능하고 가스를 공급 가능한 헤드부(62)를 포함하며, 헤드부(62)가 제 1 위치에 배치되었을 때에 헤드부(62)와 보지대(34)와의 사이에 형성되는 소용적 영역에서 피처리 기판(W) 상에 성막 가스를 흡착시키는 가스 공급 기구(61)를 구비한다.