公开(公告)号：KR1020140020348A

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：KR1020140012961

申请日：2014-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카모리미츠노리 ,  후지타아키라 ,  토시마타카유키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/68792

Abstract: The present invention can prevent the collapse of a convex form unit when an object to be treated, on which an inorganic layer and a metal layer are laminated, is treated. A liquid processing device comprising a body unit (Wi) and a plurality of convex form units (Wm) formed on the body unit (Wi) treats an object (W) to be treated, on which inorganic layer and metal layer are laminated. The liquid processing device comprises: a support unit (50) supporting the body unit (Wi) of an object (W) to be treated; a hydrophobized liquid proving device (30) providing hydrophobized liquid for the object (W) to be treated supported by the supporter (50); and a rinse liquid proving unit (22) providing rinse liquid for the object (W) to be treated in which hydrophobized liquid is provided by the hydrophobized liquid proving device (30). The the hydrophobized liquid proving device (30) comprises: a first hydrophobized liquid proving unit (32) providing a first hydrophobized liquid for the object (W) to be treated to hydrophobize the inorganic layer and a second hydrophobized liquid providing unit (37) providing a second hydrophobized liquid for the object (W) to be treated to hydrophobize the metal layer.

Abstract translation: 本发明能够防止在层叠有无机层和金属层的待处理物体时，凸形单元的塌陷。 包括主体单元（Wi）和形成在主体单元（Wi）上的多个凸形单元（Wm））的液体处理装置处理层叠了无机层和金属层的被处理物体（W）。 液体处理装置包括：支撑单元（50），其支撑待处理物体（W）的主体单元（Wi）; 疏水化液体检测装置（30），用于为由待支撑物（50）支撑的待处理物体（W）提供疏水化液体; 以及冲洗液体检测单元（22），用于为被处理物体（W）提供漂洗液体，其中疏水化液体检测装置（30）提供疏水化液体。 疏水化液体检测装置（30）包括：第一疏水化液体检测单元（32），为待处理物体（W）提供第一疏水化液体以使无机层疏水化;以及第二疏水化液体提供单元（37），提供 用于待处理物体（W）的第二疏水化液体使金属层疏水化。

公开(公告)号：KR100929809B1

公开(公告)日：2009-12-07

申请号：KR1020020049080

申请日：2002-08-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마이마사루 ,  무코야마마사히로 ,  토시마타카유키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/04 ,  Y10S134/902

Abstract: A substrate processing apparatus includes a substrate processing part 46 for processing a substrate by a processing liquid and a processing-liquid recovery path 137 allowing of a passage of the processing liquid discharged from the substrate processing part 46 . The processing-liquid recovery path 137 is provided with foreign substance removal lines 181, 182 including filters 200, 201 for removing an foreign substance from the processing liquid and cleaners 201, 211 for cleaning the filters 200, 201 respectively. With this constitution, it is possible to cancel the blocking of foreign substances in pipes etc. and also possible to lengthen the life span of the filters.

Abstract translation: 基板处理装置具备：利用处理液对基板进行处理的基板处理部46;以及使从基板处理部46排出的处理液通过的处理液回收路径137。 在处理液回收路径137中设置有包含用于从处理液中除去异物的过滤器200,201和用于分别清洁过滤器200,201的清洁器201,211的异物除去线181,182。 利用这种结构，可以取消管道中异物的堵塞等，并且还可以延长过滤器的使用寿命。

公开(公告)号：KR100834080B1

公开(公告)日：2008-06-02

申请号：KR1020060092852

申请日：2006-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

Abstract translation: 基板处理方法和基板处理装置技术领域本发明涉及一种基板处理方法和基板处理装置，为了清洁半导体晶片（W），在处理容器中容纳晶片，在晶片表面上形成纯水液膜， 并且，通过臭氧水的液膜除去晶片表面的抗蚀剂膜，通过在晶片表面上冷凝水蒸气而形成纯液膜， 并且，通过这些反应产生羟基自由基等，可以除去晶片表面上的抗蚀剂膜，并且提出了能够通过这些方法获得高抗蚀剂去除能力的技术。

公开(公告)号：KR100735876B1

公开(公告)日：2007-07-06

申请号：KR1020000043817

申请日：2000-07-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR100728244B1

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020000067984

申请日：2000-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  오모리츠타에 ,  야마시타마사미

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  G03F7/265 ,  G03F7/70991

Abstract: 본 발명은 실리레이션(silylation)처리장치및 방법에 관한 것으로서 챔버와 상기 챔버내에 설치되어 기판을 가열하는 가열기구와 상기 챔버내에 실리레이션제를 포함하는 증기를 공급하는 공급기구와 상기 챔버내에서 상기 기판을 지지하고 상기 가열기구와 상기 기판의 간격을 적어도 3단계 이상으로 조절가능한 기판지지 치구를 구비하고 있다. 가열기구로부터의 간격을 최대한 떨어뜨려 챔버내의 열의 영향을 받기 어려운 상태에서 기판을 수취하고 상기에 비교하여 가열기구와의 간격을 결정하여 챔버내의 온도가 면내 균일성을 유지할 때까지 대기하여 면내 균일성을 얻은 후에 한층 가열기구에 가깝게하여 실리레이션 반응을 생기게하는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR1020050077502A

公开(公告)日：2005-08-02

申请号：KR1020050065118

申请日：2005-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR1020050076842A

公开(公告)日：2005-07-28

申请号：KR1020050065121

申请日：2005-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR1020030016186A

公开(公告)日：2003-02-26

申请号：KR1020020049080

申请日：2002-08-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마이마사루 ,  무코야마마사히로 ,  토시마타카유키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/04 ,  Y10S134/902

Abstract: PURPOSE: To provide a substrate treatment apparatus and a substrate treatment process which dissolve clogging of foreign body in a line or the like, and prolong the lifetime or a filter. CONSTITUTION: A substrate treating device is provided with a substrate treatment part for treating a substrate with a treatment agent and a treatment agent recovering route 137 for passing the treating agent exhausted from the substrate treatment part. The treatment agent recovering route 137 is provided with foreign body removal lines 181, 182 which comprise filters 200, 210 for removing foreign bodies mixed with the treatment agent and cleaning means 201, 211 for cleaning the filters 200, 210.

Abstract translation: 目的：提供将线状物等异物堵塞，延长寿命或过滤器的基板处理装置和基板处理工序。 构成：基板处理装置具有用于处理基板的基板处理部，处理剂和处理剂回收路径137使得从基板处理部排出的处理剂通过。 处理剂回收路径137设置有异物去除管线181,182，其包括用于除去与处理剂混合的异物的过滤器200,210和用于清洁过滤器200,210的清洁装置201,211。

公开(公告)号：KR1020020062703A

公开(公告)日：2002-07-29

申请号：KR1020020003783

申请日：2002-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  오리이타케히코

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67103 ,  B08B3/04 ,  B08B3/10 ,  H01L21/67051

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus and a substrate processing method are provided to smoothly load and unload a substrate and improve cleaning efficiency. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus for processing a substrate with a processing liquid fed to the substrate comprises: a holding member for holding the substrate; and a lower side member which is movable relatively with respect to an undersurface of the substrate held by the holding member between a processing position near the undersurface of the substrate and a retreat position remote from the undersurface of the substrate, the processing liquid being fed to a space between an upper surface of the lower side member moved to the processing position and the undersurface of the substrate held by the holding member to process the undersurface of the substrate.

Abstract translation: 目的：提供基板处理装置和基板处理方法，以顺利地对基板进行加载和卸载，并提高清洁效率。 构成：用于处理衬底的衬底处理设备，其中处理液体被馈送到衬底包括：用于保持衬底的保持构件; 以及下侧构件，其相对于由所述保持构件保持的所述基板的下表面在所述基板的下表面附近的处理位置与远离所述基板的下表面的退避位置相对移动，所述处理液体被供给到 移动到处理位置的下侧构件的上表面与由保持构件保持的衬底的下表面之间的空间，以处理衬底的下表面。

公开(公告)号：KR1020010051729A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020000067984

申请日：2000-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  오모리츠타에 ,  야마시타마사미

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  G03F7/265 ,  G03F7/70991

Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method of sylilation are to provide a uniform sylilated layer, without depending on the hardware constitution. CONSTITUTION: An apparatus and a method include carrying of a wafer W into a processing chamber, setting it while keeping a prescribed distance from a hot plate(5) established in the processing chamber, filling the processing chamber with a sylilation agent by introducing steam which contains a sylilation agent into the processing chamber heating the hot plate(5), bringing the wafer W close to the hot plate(5), uniformly spreading the sylilation agent atmosphere in the processing chamber at a temperature, at which the wafer W does not generate sylilation reaction, raising the temperature of the wafer W by bringing it close to the hot plate(5), and generating sylilation reaction on the surface of the wafer W.

Abstract translation: 目的：一种装置和一种方法是提供均匀的乙酰化层，而不依赖硬件结构。 构成：一种装置和方法包括将晶片W带入处理室，在与处理室中建立的热板（5）保持规定距离的同时进行设定，通过引入蒸汽将蒸汽填充到处理室中， 在加热室（5）中加入加热室（8），使晶片W靠近加热板（5）的均匀地分散在处理室内，使晶片W不会在处理室内均匀地分散在处理室内 产生硫化反应，使其靠近热板（5）使晶片W的温度升高，并在晶片W的表面产生锯齿反应。