公开(公告)号：KR1020120009515A

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020117031581

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020120009512A

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020117031569

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

Abstract translation: 根据本发明，上部电极34和下部电极，作为用于在晶片（W）进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置的上部电极34，以产生16及其表面之间的处理气体等离子体 表面的磁偏压V达到可以获得适当溅射效果的程度

公开(公告)号：KR1020070020329A

公开(公告)日：2007-02-20

申请号：KR1020077001691

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 피처리 기판이 수용되고, 진공 배기 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에 대향하여 배치되는 제 1 전극 및 피처리 기판을 지지하는 제 2 전극과, 상기 제 1 전극에 상대적으로 주파수가 높은 제 1 고주파 전력을 인가하는 제 1 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 2 전극에 상대적으로 주파수가 낮은 제 2 고주파 전력을 인가하는 제 2 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 1 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 유닛과, 상기 직류 전원으로부터 상기 제 1 전극으로의 인가 전압, 인가 전류 및 인가 전력 중 어느 하나를 제어하는 제어 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020040073355A

公开(公告)日：2004-08-19

申请号：KR1020040009005

申请日：2004-02-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  신덴겐코교 가부시키가이샤

Inventor： 하야미도시히로 ,  이와사키마사히데 ,  다카히라준이치 ,  와타나베가즈요시 ,  고마츠신이치 ,  사사키유이치

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32082

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to guarantee repeatability and reliability of a process by securely preventing resonance of harmonics from plasma on a transmission line for transmitting high-frequency power of VHF(very high frequency) band. CONSTITUTION: A process receptacle(10) is prepared whose inside can be decompressed. The first electrode is installed in the process receptacle. A process gas supplying unit supplies process gas to the inside of the process receptacle. A high frequency power part outputs high frequency power(40) with a frequency of VHF band. A matching unit performs an impedance matching, electrically connected to the high frequency power part and the first electrode. High frequency power is transmitted from the high frequency power part to the matching unit by a transmission line. A substrate to be process can be disposed in the process receptacle, and a plasma treatment is performed on the corresponding substrate to be processed by using plasma generated by the high frequency power transmitted to the first electrode. The transmission line is shorter than a minimum length by which a resonance state of the third harmonic of the high frequency power can occur.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，以通过可靠地防止用于传输VHF（非常高频率）频带的高频功率的传输线上的等离子体的谐波的谐振来保证工艺的重复性和可靠性。 构成：制备其内部可以减压的过程容器（10）。 第一个电极安装在工艺容器中。 处理气体供给单元向处理容器的内部供给处理气体。 高频功率部分以VHF频带的频率输出高频功率（40）。 匹配单元执行阻抗匹配，电连接到高频功率部分和第一电极。 高频功率通过传输线从高频功率部分发送到匹配单元。 要处理的基板可以设置在处理容器中，并且通过使用通过传输到第一电极的高频功率产生的等离子体对待处理的相应基板进行等离子体处理。 传输线比通过其发生高频功率的三次谐波的共振状态的最小长度短。