公开(公告)号：KR1020060101302A

公开(公告)日：2006-09-22

申请号：KR1020060024138

申请日：2006-03-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오하시가오루 ,  하야미도시히로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/683

Abstract: 기판의 면 내부 온도를 균일하게 할 수 있는 서셉터를 제공한다. 서셉터(13)는, 기판(W)보다 작은 기판 유지면(20)을 가지고 있다. 기판 유지면(20)은, 외주 링(21)과 복수의 볼록부(22)를 구비하고 있다. 기판 유지면(20)의 중심 영역(R1)에는, 볼록부(22)를 균등하게 배치한다. 기판 유지면(20)의 중간 영역(R2)에는, 볼록부(22)를 중심 영역(R1)보다도 단위 면적당의 개수가 적어지도록 배치한다. 기판 유지면(20)의 외주 영역(R3)에는, 볼록부(22)와 외주 링(21)을 배치한다. 이에 의해, 기판 유지면(20)의 중간 영역(R2)에 있어서의 열 전달율을, 중심 영역(R1)보다도 낮게 하고, 외주 영역(R3)에 있어서의 열 전달율을 중심 영역(R1)보다도 높게 한다.

公开(公告)号：KR100557842B1

公开(公告)日：2006-03-10

申请号：KR1020047008844

申请日：2002-12-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야미도시히로 ,  오세다케시 ,  다카히라쥰이치 ,  시마다쥰이치

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/26

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32183

Abstract: In a high-frequency power source, a malfunction is prevented by precisely removing harmonic components or a modulated wave component which develops while producing a plasma, and a proper high frequency power can be impressed on a plasma processing apparatus. The high-frequency power source includes a power monitor constituted of a directional coupler, a mixer, a 100 kHz low-pass filter, a low-frequency detector, and an oscillator. A 100 MHz high-frequency wave including modulated wave components and the like extracted by the directional coupler and 99.9 MHz high-frequency wave oscillated by the oscillator are added by the mixer. An output of the addition is converted by the low-frequency detector into 100 kHz, resulting in detection.

公开(公告)号：KR100539095B1

公开(公告)日：2005-12-27

申请号：KR1020040009005

申请日：2004-02-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  신덴겐코교 가부시키가이샤

Inventor： 하야미도시히로 ,  이와사키마사히데 ,  다카히라준이치 ,  와타나베가즈요시 ,  고마츠신이치 ,  사사키유이치

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32082

Abstract: 본 발명의 플라즈마 처리장치는, 내부가 감압 가능한 처리용기와, 상기 처리용기 내에 배치된 제1전극, 상기 처리용기 내에 처리가스를 공급하기 위한 처리가스 공급수단, VHF대의 주파수를 갖는 고주파전력을 출력하는 고주파 전원부, 상기 고주파 전원부와 상기 제1전극에 전기적으로는 피처리기판이 배치 가능하고, 상기 제1전극에 전송되는 상기 고주파전력에 의해 발생하는 플라즈마에 의해, 당해 피처리기판에 플라즈마 처리를 실시하는 것이 가능하게 되어 있다. 상기 전송선로는, 상기 고주파전력의 제3고조파의 공진상태가 발생할 수 있는 최단의 길이 보다도 짧다.

公开(公告)号：KR101247857B1

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：KR1020117031575

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020120009516A

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020117031587

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020070022781A

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020067026949

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020040064732A

公开(公告)日：2004-07-19

申请号：KR1020047008844

申请日：2002-12-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야미도시히로 ,  오세다케시 ,  다카히라쥰이치 ,  시마다쥰이치

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/26

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32183

Abstract: 플라즈마 생성시에 발생하는 고조파 성분이나 변조파 성분을 높은 정밀도로 제거하여 오동작을 방지함과 동시에, 적정한 고주파 전력을 플라즈마 처리 장치에 인가할 수 있는 고주파 전원이 제공된다. 고주파 전원은 방향성 결합기(21)와, 믹서(22)와, 100kHz의 로우패스필터(23)와, 저주파 검파기(24)와, 발진기(25)로 구성된 파워 모니터를 구비하고, 방향성 결합기(21)에 의해서 출력된 변조파 성분 등을 포함하는 주파수 100MHz의 고주파와 발진기(25)에 의해서 발진된 주파수 99.9MHz의 고주파를 믹서(22)에 의해서 가산하고, 그 출력을 로우패스필터(23) 및 저주파 검파기(24)에 의해서 100kHz로 변환하여 검파를 한다.

公开(公告)号：KR101250717B1

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：KR1020117031569

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR101180125B1

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：KR1020067026949

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020120009514A

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020117031578

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.