公开(公告)号：KR1020050112666A

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：KR1020040037811

申请日：2004-05-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고차원 ,  우상균 ,  김병수

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/095 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  G03F7/40

Abstract: 패턴 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 하부층이 형성된 기판 상에 하부 포토레지스트를 형성하고, 상기 하부 포토레지스트 상에 실리레이션층(silylated layer)을 포함하는 상부 포토레지스트 패턴을 형성하는 것을 포함한다. 상기 하부 포토레지스트를 이방성 에슁하여 하부 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이 때, 상기 실리레이션층이 산화되어 에슁 마스크 역할을 한다. 상기 상부 포토레지스트 패턴 및 상기 하부 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 하부층을 식각한다.

公开(公告)号：KR102160570B1

公开(公告)日：2020-09-28

申请号：KR1020130117885

申请日：2013-10-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고차원 ,  김현우 ,  이전일 ,  이효성

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/8247

公开(公告)号：KR101865839B1

公开(公告)日：2018-06-11

申请号：KR1020100109259

申请日：2010-11-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고차원 ,  박민준 ,  박창민

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/11521

Abstract: 본발명은미세패턴형성방법및 반도체소자의제조방법에관한것으로서, 더욱구체적으로는포토레지스트패턴을얇지만하드마스크와큰 식각선택비를갖는매개물질막에전사시키고, 그에의하여생성된매개패턴을이용하여하드마스크를형성하는것을포함하는미세패턴형성방법및 반도체소자의제조방법에관한것이다. 본발명의미세패턴형성방법및 반도체소자의제조방법을이용하면포토레지스트패턴의종횡비가낮기때문에포토레지스트패턴의붕괴가없음은물론얇은두께의포토레지스트막을사용하더라도패턴전사가가능하다.

公开(公告)号：KR1020170051955A

公开(公告)日：2017-05-12

申请号：KR1020150153703

申请日：2015-11-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고차원 ,  박철홍 ,  김현우 ,  한진규

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/306 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/3088 ,  B81C1/00952 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/3086

Abstract: 포토레지스트패턴형성방법및 이를이용한반도체장치제조방법을제공한다. 반도체장치제조방법은기판상에마스크층을형성하고, 마스크층상에, 제1 높이인패턴부와오목부를포함하는포토레지스트패턴을형성하고, 포토레지스트패턴에제1 액체를도포하고, 오목부에, 동일한에천트에대하여패턴부보다식각률이높은패턴충진물을제2 높이로충진하고, 제1 액체를제거하고, 제1 액체를제거한후, 패턴충진물을식각하고, 포토레지스트패턴을통해, 마스크층을식각하여마스크패턴을형성하고, 마스크패턴을통해, 기판을식각하여미세패턴을형성하는것을포함한다.

Abstract translation: 提供了一种光致抗蚀剂图案形成方法和使用该方法的半导体器件制造方法。 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成掩模层;在掩模层上形成包括具有第一高度和凹部的图案部分的光致抗蚀剂图案;向光致抗蚀剂图案施加第一液体; 具有比图案部分更高的蚀刻速率的图案填充材料相对于相同的蚀刻剂被填充在第二高度处，第一液体被去除，第一液体被去除，图案填充材料被蚀刻， 为了形成掩模图案，并通过掩模图案蚀刻基板以形成精细图案。

公开(公告)号：KR1020170006341A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：KR1020150096724

申请日：2015-07-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박철홍 ,  고차원 ,  김현우 ,  우상윤 ,  전혜진

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039

CPC classification number: G03F7/039 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/322 ,  H01L21/0274

Abstract: 극자외선용포토레지스트조성물및 이를이용하는포토레지스트패턴의형성방법을제공한다. 포토레지스트조성물에 OOB 흡수물질을포함하여, 100 내지 300nm 파장의광을흡수하여포토레지스트조성물을이용하여형성된포토레지스트패턴의분해능을향상시킬수 있다. OOB 흡수물질은노광된포토레지스트막을현상하는동안제거됨으로써, OOB 흡수물질을제거하는공정이따로필요하지않을수 있다.

Abstract translation: 所公开的实施方案提供了用于极紫外（EUV）的光致抗蚀剂组合物和使用其形成光致抗蚀剂图案的方法。 光致抗蚀剂组合物包括吸收波长为100nm至300nm的光的带外（OOB）吸收材料。

公开(公告)号：KR1020150039383A

公开(公告)日：2015-04-10

申请号：KR1020130117885

申请日：2013-10-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고차원 ,  김현우 ,  이전일 ,  이효성

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11286 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3085 ,  H01L27/11517

Abstract: 반도체장치의제조방법이제공된다. 상기반도체장치의제조방법은, 3차원의계단형구조가음각으로형성된탬플릿(template)을준비하고, 상기템플릿을이용하여상기계단형구조를갖는임프린트패턴(imprint pattern)을형성하고, 상기임프린트패턴을이용하여, 기판에계단형패턴을동시에형성하는것을포함한다.

Abstract translation: 提供一种半导体器件的制造方法。 制造半导体器件的方法包括以下步骤：制备包括雕刻的三维阶梯状结构的模板; 通过使用模板形成具有阶梯状结构的印模图案; 并通过使用压印图案同时在基板上形成阶梯图案。

公开(公告)号：KR1020140020448A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：KR1020120086810

申请日：2012-08-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고차원 ,  김수민 ,  김현우 ,  윤효진

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/426 ,  H01L21/0206 ,  G03F7/42 ,  H01L21/0274

Abstract: A photolithographic rinse solution is provided. The photolithographic rinse solution contains deionized water; cyclic amine; and a surfactant containing one or more cyclic compounds coupled with the cyclic amine. The cyclic amine has four to six carbon elements. A cyclic compound has five to eight carbon atoms.

Abstract translation: 提供光刻冲洗溶液。 光刻冲洗溶液含有去离子水; 环胺; 和含有一个或多个与环胺偶合的环状化合物的表面活性剂。 环胺具有4-6个碳元素。 环状化合物具有5-8个碳原子。

公开(公告)号：KR101348280B1

公开(公告)日：2014-01-10

申请号：KR1020070068170

申请日：2007-07-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이학선 ,  김명철 ,  전경엽 ,  고차원 ,  이지영

IPC: H01L21/027

Abstract: 미세 피치의 하드마스크 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법에 관하여 개시한다. 하드마스크 패턴을 형성하기 위하여 기판상에 식각 특성이 서로 다른 제1 하드마스크층, 제2 하드마스크층, 및 제3 하드마스크층을 차례로 형성한다. 제3 하드마스크층 위에 제1 피치로 반복 형성되는 복수의 제1 희생 패턴을 형성하고, 제1 희생 패턴의 양 측벽에 제1 피치의 1/2인 제2 피치로 반복 형성되는 복수의 제4 하드마스크 패턴을 형성한다. 상기 제4 하드마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 제3 하드마스크층, 제2 하드마스크층, 및 제1 하드마스크층을 차례로 식각하여 원하는 높이를 확보하는 제1 하드마스크 패턴을 형성한다. 제1 하드마스크 패턴을 식각마스크로 이용하여 기판을 식각하여 원하는 깊이의 트렌치를 형성한다.
하드마스크, 미세 피치, 더블 패터닝, 트렌치, 소자분리

公开(公告)号：KR1020070051196A

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：KR1020050108727

申请日：2005-11-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강율 ,  고차원 ,  우상균 ,  조한구

IPC: H01L21/027

Abstract: 반도체 장치의 패턴 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 기판 상에 1 피치의 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴의 측벽에 실리콘 함유 유기물을 화학흡착하여 1/2 피치의 실리콘 함유 레지스트 패턴을 형성하는 것을 포함한다. 상기 포토레지스트 패턴을 현상한다. 상기 실리콘 함유 레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 기판의 일부를 제거하여 미세 패턴을 형성한다.
상기 포토레지스트 패턴은 산소 함유 가스를 이용하여 현상할 수 있다. 예컨대, 상기 포토레지스트 패턴은 산소 건식 현상(O
2 chemistry dry development)을 이용하여 제거할 수 있다.
포토레지스트, 이중노광, 화학흡착

公开(公告)号：KR102122461B1

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：KR1020140004005

申请日：2014-01-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고차원

IPC: H01L21/027