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    반도체 소자 측정 장치 및 이를 사용한 반도체 소자 측정 방법
    21.
    发明公开
    반도체 소자 측정 장치 및 이를 사용한 반도체 소자 측정 방법 有权
    用于测量半导体器件的装置和用于测量半导体器件的方法

    公开(公告)号：KR1020100098146A

    公开(公告)日：2010-09-06

    申请号：KR1020090017169

    申请日：2009-02-27

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김영석 ,  백종선 ,  김영남 ,  조형석 ,  강선진 ,  유버들

    IPC: H01L21/66

    CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L22/12

    Abstract: PURPOSE: An apparatus for measuring a semiconductor device and a method for measuring the semiconductor device are provided to improve the reliability of a CD value by analyzing reflection value of a semiconductor device. CONSTITUTION: A beam projection unit project electronic beam on a sample. The whole-area is comprised of a CD region and a normal region. An analysis section(200) is electrically connected to the beam projection unit. The analysis section is comprised of a recognition part(220) and a controller(210). The recognition part recognizes the reflected light from the surface of the sample to transmit it to the controller.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于测量半导体器件的装置和用于测量半导体器件的方法，以通过分析半导体器件的反射值来提高CD值的可靠性。 规定：光束投影单元将电子束投射在样品上。 整个区域由CD区域和正常区域组成。 分析部分（200）电连接到光束投影单元。 分析部分由识别部分（220）和控制器（210）组成。 识别部件识别来自样品表面的反射光以将其发送到控制器。

    램프, 이의 제조 방법, 이를 포함한 백라이트 어셈블리 및액정 표시 장치
    24.
    发明公开
    램프, 이의 제조 방법, 이를 포함한 백라이트 어셈블리 및액정 표시 장치 无效
    灯，其制造方法，背光组件和液晶显示

    公开(公告)号：KR1020080008818A

    公开(公告)日：2008-01-24

    申请号：KR1020060068575

    申请日：2006-07-21

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 왕민정 ,  김영남 ,  남석현 ,  김희태 ,  윤상혁 ,  김현진 ,  김경민

    IPC: G02F1/13357

    CPC classification number: G02F1/133604 ,  G02F1/133608 ,  H01J9/022

    Abstract: A lamp, a method of manufacturing the lamp, a back light assembly including the lamp and an LCD(Liquid Crystal Display) are provided to form a shock-absorbing layer on the outer face of a glass tube of a lamp using an elastic polymer material to protect the lamp from an external shock applied to the glass tube and improve shock-resistant characteristic of the lamp. A lamp includes a glass tube(1), electrodes(3), a fluorescent layer(2) and a shock-absorbing layer(7). The electrodes are respectively formed at both ends of the glass tubes. The fluorescent layer is formed on the inner face of the glass tube. The shock-absorbing layer envelops the outer face of the glass tube. The shock-absorbing layer includes a transparent polymer material. The polymer material has elasticity and includes a component bonded to oxygen molecules of the glass tube.

    Abstract translation: 提供一种灯，制造该灯的方法，包括该灯和LCD（液晶显示器）的背光组件，以使用弹性聚合物材料在灯的玻璃管的外表面上形成减震层 以保护灯免受施加到玻璃管的外部冲击并提高灯的抗冲击特性。 灯包括玻璃管（1），电极（3），荧光层（2）和减震层（7）。 电极分别形成在玻璃管的两端。 荧光层形成在玻璃管的内表面上。 吸震层包围玻璃管的外表面。 减震层包括透明聚合物材料。 聚合物材料具有弹性并且包括与玻璃管的氧分子结合的组分。

    미세 회로 패턴을 갖는 반도체 제조에서의 이미지 인식방법
    26.
    发明公开
    미세 회로 패턴을 갖는 반도체 제조에서의 이미지 인식방법 无效
    在半导体制造中检查图像的方法

    公开(公告)号：KR1020070067253A

    公开(公告)日：2007-06-28

    申请号：KR1020050128331

    申请日：2005-12-23

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 곽정호 ,  김봉수 ,  김영남 ,  이영선 ,  김지용 ,  강호성

    IPC: H01L21/02

    CPC classification number: H01L22/26 ,  G06K9/6201 ,  H01L22/10

    Abstract: A method for recognizing an image having a fine circuit pattern in a semiconductor manufacture is provided to rapidly manage defects by using plural stored images and reference images. A first stored image being registered is validated(S11). A first reference image, which is formed on an upper of a semiconductor substrate so as to be matched to the first stored image, is validated(S13). The first stored image and the first reference image is compared to each other and then it is checked whether or not a matching ratio of the first stored image and the first reference image is within an error range(S17). When the matching ratio is out of the error range, a (n-1)-th stored image is validated(S19). A (n-1)-th reference image, which is formed on an upper of the semiconductor substrate at a region different from the first reference image so as to be matched to the (n-1)-th stored image, is validated(S21). The (n-1)-th stored image and the (n-1)-th reference image are compared to each other, and then it is checked whether or not a matching ratio of the (n-1)-th stored image and the (n-1) reference image is within an error range(S23). When the matching ratio is out of the error range, an n-th stored image is validated(S27). An n-th reference image, which is formed on an upper of the semiconductor substrate at a region different from the (n-1)-th reference image so as to be matched to the n-th stored image, is validated(S29). The n-th stored image and the n-th reference image are compared to each other, and then it is checked whether or not a matching ratio of the n-th stored and the n-th reference image is within an error range(S31).

    Abstract translation: 提供一种在半导体制造中识别具有精细电路图案的图像的方法，以通过使用多个存储的图像和参考图像来快速地管理缺陷。 登录的第一存储图像被验证（S11）。 验证第一参考图像（S13），其形成在半导体衬底的上部以与第一存储图像匹配。 将第一存储图像和第一参考图像彼此进行比较，然后检查第一存储图像和第一参考图像的匹配比率是否在误差范围内（S17）。 当匹配比超出误差范围时，第（n-1）个存储的图像被验证（S19）。 在与第一参考图像不同的区域形成在半导体衬底上的与第（n-1）个存储图像相匹配的第（n-1）个参考图像被验证（ S21）。 将第（n-1）个存储图像和第（n-1）个参考图像彼此进行比较，然后检查第（n-1）个存储图像的匹配比和 （n-1）参考图像在误差范围内（S23）。 当匹配比超出误差范围时，第n个存储的图像被验证（S27）。 第n个参考图像被形成在半导体衬底的与第（n-1）个参考图像不同的区域上，以便与第n个存储的图像匹配的区域上被验证（S29） 。 将第n个存储图像和第n个参考图像相互比较，然后检查第n个存储的和第n个参考图像的匹配比率是否在误差范围内（S31 ）。

    절연 물질 제거용 조성물, 이를 이용한 절연막의 제거 방법및 기판의 재생 방법
    27.
    发明授权
    절연 물질 제거용 조성물, 이를 이용한 절연막의 제거 방법및 기판의 재생 방법 有权
    用于去除绝缘材料的组合物，使用该组合物去除绝缘膜的方法

    公开(公告)号：KR100706822B1

    公开(公告)日：2007-04-12

    申请号：KR1020050097372

    申请日：2005-10-17

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  솔브레인 주식회사

    Inventor： 강동민 ,  백귀종 ,  한웅 ,  이춘득 ,  임정훈 ,  김영남 ,  김현준

    IPC: C09K13/08 ,  H01L21/30 ,  C09K3/00

    Abstract: 절연막을 효과적으로 제거할 수 있는 절연 물질 제거용 조성물, 이를 이용한 절연막의 제거 방법 및 기판의 재생 방법에 있어서, 절연 물질 제거용 조성물은 불소 화합물 5 중량% 내지 40 중량%, 제1 산화제 0.01 중량% 내지 20 중량%, 제2 산화제 10 중량% 내지 50 중량% 및 여분의 순수를 포함한다. 절연 물질 제거용 조성물을 저유전율막 및/또는 보호막이 형성된 기판에 적용하여, 기판의 손상 없이 저유전율막 및/또는 보호막을 제거할 수 있고, 경제적으로 기판을 재생할 수 있다.

    Abstract translation: 在保温以除去绝缘膜有效物质去除组合物，除去使用相同的方法和衬底的再现方法中，除去组合物的绝缘材料的绝缘膜的是5％至40％（重量）的氟化合物的，第一氧化剂从0.01％至 20重量％，第二氧化剂10重量％至50重量％，以及额外的纯水。 通过施加绝缘材料以除去所述组合物为低介电常数膜和/或基板中形成的保护膜，也能够除去该低介电常数膜和/或保护层，而不损坏基片，有可能在经济上玩的基板。

    막 두께 측정장비의 웨이퍼 스테이지
    29.
    发明公开
    막 두께 측정장비의 웨이퍼 스테이지 无效
    厚度测量仪器的波形段

    公开(公告)号：KR1020060002338A

    公开(公告)日：2006-01-09

    申请号：KR1020040051308

    申请日：2004-07-01

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 곽정호 ,  김봉수 ,  김영남 ,  손기백

    IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L21/68714

    Abstract: 반도체 웨이퍼 상에 형성된 막의 두께를 측정하는 막 두께 측정 장치의 웨이퍼 스테이지를 제공한다. 상기 웨이퍼 스테이지는 레퍼런스 칩의 엣지 깨짐 및 이로 인하여 발생하는 파티클 오염을 방지하기 위하여 상기 레퍼런스 칩을 홈이 형성된 금속 플레이트에 끼워 넣음으로써 측정 데이터의 신뢰성을 확보하고 부품수명을 연장할 수 있다.

    셀리사이드 공정에서의 산화막 제거방법
    30.
    发明授权
    셀리사이드 공정에서의 산화막 제거방법 失效
    自杀过程中去除氧化膜的方法

    公开(公告)号：KR100505059B1

    公开(公告)日：2005-11-30

    申请号：KR1019980032304

    申请日：1998-08-08

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 양희석 ,  김영남 ,  황경환 ,  백두현

    IPC: H01L21/31

    Abstract: 본 발명은 셀리사이드 공정에서의 산화막 제거 방법에 관한 것으로서, 금속 증착 공정, 열처리(Rapid Thermal Silicidation)공정과 세정(Strip)공정으로 이루어지는 셀리사이드 공정에서 상기 세정공정의 식각액과 불안정한 실리사이드 화합물이 결합하여 생성되는 산화막을 제거하는 셀리사이드 공정에서의 산화막 제거방법에 있어서, 상기 스트립 공정 후에 건식 식각 공정단계 또는 습식 식각 공정단계를 부가하여 이루어진다.
    본 발명에 따른 산화막 제거 방법으로 절연막질인 산화막을 제거하여 주므로써 접촉저항을 크게 줄일 수 있다.

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