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公开(公告)号：KR100614239B1
公开(公告)日：2006-08-18
申请号：KR1020040034351
申请日：2004-05-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 기판 처리 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 연마 단계와 세정 단계를 포함한다. 연마 단계는 종말점 검출법에 의해 웨이퍼의 하부막이 노출될 때까지 연마가 이루어지는 중간 연마 단계와 폐루프 제어에 의한 가변 타임 방식에 의해 설정두께까지 연마가 이루어지는 최종 연마 단계를 포함한다. 또한, 세정 단계는 탈이온수로 웨이퍼를 세척하는 단계, 불산을 포함한 약액으로 웨이퍼를 브러시 세정하는 단계, 암모니아를 포함한 약액으로 웨이퍼를 브러시 세정하는 단계, 암모니아, 과산화수소, 그리고 탈이온수의 혼합 약액으로 웨이퍼를 세정하는 단계, 그리고 마란고니 원리를 이용한 건조 단계를 포함한다.
연마 두께, 가변 타임 방식, 폐루프 제어, 세정Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理方法，该方法包括一个抛光步骤和清洁步骤。 抛光步骤包括中间研磨步骤的最后研磨步骤包括研磨所述废物通过可变时间的方式通过具有厚度的膜中的控制回路来设置被抛光，直到由终点检测方法制造的晶片曝光的下部。 此外，所述清洁步骤包括以下步骤：用去离子水洗涤该晶片，该方法包括：刷清洁晶片与化学液体含有氢氟酸，所述方法包括：刷清洁晶片与化学液体，包括氨，氨，过氧化氢，并与去离子水的混合化学溶液的晶片 步骤的清洁，以及包括使用所述马兰戈尼原理的干燥步骤。
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公开(公告)号：KR100423909B1
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：KR1020010011055
申请日：2001-03-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B37/30
Abstract: PURPOSE: A polishing head of a CMP(Chemical Mechanical Polishing) apparatus and a polishing method thereof are provided to minimize defects due to a stable fix of a wafer by directly adsorbing the wafer using vacuum state. CONSTITUTION: A CMP(Chemical Mechanical Polishing) apparatus comprises a polishing pad(112) mounted on a supporting part(114), a polishing head(130) for polishing a wafer located on the polishing pad(112) of the supporting part(114). The polishing head(130) further includes a bowl-shaped carrier(134), a retainer ring(140) located on the lower edge portion of the carrier(134), a supporter respectively providing a first chamber(160) and a second chamber(136), and a membrane. A plurality of first holes(156) connected to the first chamber(160) and second holes(158) connected to the second chamber(136) are formed on the surface of the supporter. The membrane includes a plurality of third holes(172) comparing to the first holes(156). At this point, the wafer is stably fixed.
Abstract translation: 目的：提供一种CMP（化学机械抛光）装置的抛光头及其抛光方法，以通过使用真空状态直接吸附晶片来稳定地固定晶片而使缺陷最小化。 一种CMP（化学机械抛光）装置包括安装在支撑部分（114）上的抛光垫（112），用于抛光位于支撑部分（114）的抛光垫（112）上的晶圆的抛光头（130） ）。 所述抛光头还包括碗状载体（134），位于所述载体（134）的下边缘部分上的挡圈（140），分别提供第一腔室（160）和第二腔室 （136）和膜。 连接到第一腔室（160）的多个第一孔（156）和连接到第二腔室（136）的第二孔（158）形成在支撑件的表面上。 与第一孔（156）相比，隔膜包括多个第三孔（172）。 此时，晶片稳定固定。
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公开(公告)号：KR1020030097471A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：KR1020020034860
申请日：2002-06-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B37/04 , B24B57/02 , H01L21/30625
Abstract: PURPOSE: A polishing station of a chemical mechanical polishing(CMP) apparatus is provided to prevent a wafer unloading error by stably unloading a semiconductor wafer from a transfer stage. CONSTITUTION: A turntable on which a polishing pad is mounted is formed on a polishing station. A polishing head(162) has a membrane(168) whose surface contacts the wafer, maintaining the wafer and pressing the wafer over the turntable. The polishing station includes a wafer transfer stage(120) for loading/unloading the wafer into/from the polishing head. The wafer transfer stage includes a pedestal(122) and a fluid supply apparatus. The wafer is placed on the pedestal. When the wafer is unloaded from the polishing head to the pedestal, the fluid supply apparatus supplies fluid to a gap between the wafer and the membrane to reduce the surface tension between the wafer and the membrane.
Abstract translation: 目的：提供化学机械抛光（CMP）装置的抛光站，以通过从转印台稳定地卸载半导体晶片来防止晶片卸载错误。 构成：在抛光台上形成有安装有抛光垫的转台。 抛光头（162）具有表面接触晶片的膜（168），保持晶片并将晶片压在转台上。 抛光站包括用于将晶片装载/从抛光头卸载的晶片传送台（120）。 晶片传送台包括基座（122）和流体供应装置。 将晶片放置在基座上。 当晶片从抛光头卸载到基座时，流体供应装置将流体供应到晶片和膜之间的间隙，以减小晶片和膜之间的表面张力。
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公开(公告)号：KR100378180B1
公开(公告)日：2003-03-29
申请号：KR1020000027503
申请日：2000-05-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/76224 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 화학기계적 연마 공정의 수행에 따라 슬러리에 노출되는 표면이 소수성을 띠는 물질층, 예를 들어 폴리실리콘층을 정지막으로 하여, 그 노출 표면이 친수성을 띠는 피연마 물질층, 예를 들어 실리콘산화막을 연마할 시 유용하게 사용할 수 있는 슬러리가 제공되며, 상기 슬러리는 물, 연마입자 및 친수성 작용기와 소수성 작용기를 동시에 갖는 폴리머 첨가제를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100338778B1
公开(公告)日：2002-05-31
申请号：KR1020000048326
申请日：2000-08-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
Abstract: 본 발명의 선택적 실리사이드 공정을 이용한 모스 트랜지스터의 제조 방법에 따르면, 먼저 실리콘 기판 위에 게이트 절연막 및 게이트 폴리실리콘막을 순차적으로 형성하고, 게이트 절연막 및 게이트 폴리실리콘막 측벽에 게이트 스페이서를 형성한다. 다음에 게이트 스페이서 및 게이트 폴리실리콘막을 마스크막으로 불순물 이온 주입 및 확산 공정을 수행하여 실리콘 기판에 소스/드레인 영역을 형성한다. 다음에 소스/드레인 영역, 게이트 스페이서 및 게이트 폴리실리콘막을 덮는 식각 저지막을 형성하고, 이어서 식각 저지막을 덮는 절연막을 형성한다. 다음에 절연막을 평탄화하여 게이트 폴리실리콘막 위의 식각 저지막을 노출시킨다. 다음에 노출된 식각 저지막 및 게이트 스페이서의 일부를 식각하여 게이트 폴리실리콘막의 상부 표면 및 상부 측면이 노출되도록 한다. 그리고 게이트 폴리실리콘막의 노출 부분 위에 실리사이드막을 형성한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980073452A
公开(公告)日：1998-11-05
申请号：KR1019970008723
申请日：1997-03-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 화학기계적 연마(CMP) 장치를 개시한다. 이는 회전 운동을 하는 패드(pad); 상기 패드 상부에서 웨이퍼를 사이에 두고 회전 운동을 하는 폴리셔(polisher); 상기 패드 중심부에 슬러리(slurry)를 공급하는 슬러리 공급 수단; 및 상기 패드 중심부에서 수직 압력 및 회전시켜 상기 슬러리에 포함된 분산제의 입경을 조절함으로써 상기 폴리셔에 유입되는 분산제를 한정하는 회전 구조물을 구비한다. 즉, 슬러리가 공급되는 패드 중심부에 회전 장벽을 설치하여 입도가 큰 슬러리가 폴리셔(Polisher)로 유입되는 것을 막음으로써 연마 공정 중 웨이퍼에 스크래치 및 피팅 현상이 나타나는 것을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970060351A
公开(公告)日：1997-08-12
申请号：KR1019960001398
申请日：1996-01-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 CMP(Chemical Mecanical Polishing) 평탄화 공정과 단차를 이용하여 사진식각 공정의 정렬(alignment)에 잇점이 있는 얼라인 키(ALIGN KEY) 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 반도체 장치의 얼라인 키(Align Key) 형성방법은, 막질에 따라 CMP의 리무벌 레이트(Removal Rate)가 변하는 특징을 이용하여 불투광성 물질과의 선택비를 가지는 물질을 이용하여 포토얼라인 키를 형성함으로써 슬러리에 의한 오염 문제를 해결할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150058127A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：KR1020150065224
申请日：2015-05-11
Applicant: 이화다이아몬드공업 주식회사 , 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304 , H01L21/02
Abstract: 본발명은반도체소자제작공정의일부인화학적기계적연마(CMP) 공정에서사용되는 CMP 패드용컨디셔너에관한것으로, 보다구체적으로는슬러리종류와컨디셔너의압력변화에도연마패드의마모량변화가크지않은절삭팁구조를갖는 CMP 패드컨디셔너에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种在半导体制造工艺的CMP工艺中使用的化学机械抛光（CMP）垫调节器，更具体地，涉及一种配备有对抛光垫的侵蚀影响较小的切割段的CMP垫调节器，而不管 浆料类型和调理压力。
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