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公开(公告)号：KR102046100B1
公开(公告)日：2019-11-18
申请号：KR1020130016595
申请日：2013-02-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
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公开(公告)号：KR101919425B1
公开(公告)日：2018-11-19
申请号：KR1020120112087
申请日：2012-10-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/16 , B82Y99/00 , H01L29/0895 , H01L29/1606 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 그래핀채널을포함한터널링전계효과트랜지스터가개시된다. 개시된터널링전계효과트랜지스터는, 기판상의제1전극, 상기제1전극상의반도체층, 상기반도체층상에서상기제1전극과이격된제1영역으로연장된그래핀채널, 상기제1영역상에서상기그래핀채널상의제2전극, 상기그래핀채널을덮는게이트절연층, 상기게이트절연층상의게이트전극을구비한다. 상기제1전극및 상기그래핀채널은제2영역에서상기반도체층을마주보고배치된다.
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公开(公告)号：KR101878739B1
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：KR1020110108807
申请日：2011-10-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02 , B32B15/04 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L29/1606 , H01L29/42384 , H01L29/66742 , H01L29/7781 , H01L29/78684 , Y10T428/24917
Abstract: 그래핀전사부재, 그래핀전사방법및 이를이용한그래핀소자제조방법이개시된다. 개시된그래핀전사부재는접착부재상에순차적으로적층된금속박막층및 그래핀층을포함하며, 상기금속박막층및 상기그래핀층은동일한형상을가진다. 그래핀전사부재는그래핀소자의제조시전사대상기판에전사한후, 금속박막층의일부를제거하여남은금속박막층을전극으로이용할수 있다.
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公开(公告)号：KR101878737B1
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：KR1020110083054
申请日：2011-08-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/786
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L21/2007 , Y10T156/10 , Y10T428/2457 , Y10T428/24612
Abstract: 트렌치를이용한그래핀전사방법및 그래핀전사대상기판이개시된다. 개시된트렌치를이용한그래핀전사방법은, 기판을패터닝하여기판의상면에트렌치를형성하는단계와, 상기기판상으로점착액을적신그래핀층을배치하는단계와, 상기그래핀층을상기기판상으로가압하는단계와, 상기기판을건조하여상기점착액을제거하는단계를구비한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101813181B1
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：KR1020110085818
申请日：2011-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , B82Y10/00 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/66045 , H01L29/78684
Abstract: 튜너블배리어를포함하는그래핀전계효과트랜지스터를구비한인버터논리소자가개시된다. 개시된인버터논리소자는백게이트기판상의게이트옥사이드와, 상기게이트옥사이드상에서서로이격된제1 그래핀층및 제2 그래핀층과, 상기제1 그래핀층상에서이격된제1전극및 제1 반도체층와, 상기제2 그래핀층상에서이격된제2전극및 제2 반도체층과, 상기제1 반도체층및 상기제2 반도체층에연결되며상기제1 그래핀층및 상기제2 그래핀층과마주보는출력전극을구비한다. 상기제1 반도체층및 상기제2 반도체층은각각 n형불순물및 p형불순물중 서로다른불순물로도핑된다.
Abstract translation: 公开了一种具有包括可调栅栏的石墨烯场效应晶体管的逆变器逻辑器件。 公开的逆变器逻辑元件返回到栅基片上的栅氧化层，所述彼此隔开的栅极氧化物，第一是被钉扎层和第二是被钉扎层和第一电极和第一是被钉扎层上间隔开的第一半导体cheungwa，其中 2所以所述第二电极和所述被钉扎层和所述第一半导体层上分隔开并连接到所述第二半导体层具有钉扎层和面对钉扎第二是一个输出电极的第二半导体层和所述第一是。 第一半导体层和第二半导体层分别掺杂有n型杂质和p型杂质的不同杂质。
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公开(公告)号：KR1020170014870A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020150108864
申请日：2015-07-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/28525 , H01L21/28568 , H01L23/485 , H01L23/53209 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53271 , H01L29/45
Abstract: 확산방지층, 확산방지층을포함하는다층구조체및 이를구비하는소자에관해개시되어있다. 개시된다층구조체는제1 물질층과제2 물질층사이에이차원물질(2D material)을포함하는확산방지층을구비할수 있다. 상기이차원물질은비그래핀계열(non-graphene-based)의물질일수 있다. 예컨대, 상기이차원물질은이차원결정구조를갖는금속칼코게나이드계(metal chalcogenide-based) 물질일수 있다. 상기제1 물질층은반도체또는절연체일수 있고, 상기제2 물질층은도전체일수 있다. 상기다층구조체의적어도일부는전자소자용연결배선(interconnection)을구성할수 있다.
Abstract translation: 多层结构包括第一材料层（L10），第二材料层（L20）和扩散阻挡层（B10）。 第二材料层连接到第一材料层。 第二材料层与第一材料层间隔开。 扩散阻挡层在第一材料层和第二材料层之间。 扩散阻挡层可以包括二维（2D）材料。 2D材料可以是非石墨烯材料，例如具有2D晶体结构的金属硫族化物基材料。 第一材料层可以是半导体或绝缘体，第二材料层可以是导体。 多层结构的至少一部分可以构成电子设备的互连。
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公开(公告)号：KR1020160141589A
公开(公告)日：2016-12-09
申请号：KR1020150077490
申请日：2015-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L23/53271 , H01L27/101 , H01L27/228
Abstract: 배선구조및 이를적용한전자소자가개시된다. 개시된배선구조는, 두전도성물질층과, 그사이의계면에이차원층상물질층을구비하는구조를가진다.
Abstract translation: 布线结构可以包括在至少两个导电材料层之间的界面中的至少两个导电材料层和二维层状材料层。 二维层状材料层可以包括使二维层状材料层上的导电性材料层的粒径增大的晶粒扩展层。 增加的晶粒尺寸可能导致第二导电材料层的电阻降低。 结果，可以减小布线结构的总电阻。 二维层状材料层可有助于减小布线结构的总厚度。 因此，可以实现不增加其厚度的低电阻和高性能布线结构。
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公开(公告)号：KR1020140045167A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：KR1020120111379
申请日：2012-10-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/10 , H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/407 , H01L29/66977 , H01L29/772 , H01L29/872 , H01L29/88
Abstract: A method array using a graphene switching device is disclosed. The disclosed memory array includes multiple graphene switching devices which are arranged in a matrix shape, multiple word lines which are connected to the gate electrode of the graphene switching device of each column, multiple bit lines which are connected to the drain electrode of the graphene switching device of each row, and multiple source line which are connected to the source electrode of the graphene switching device of each column. The graphene switching device includes a schottky barrier between the drain electrode and a channel in a drain electrode direction from the source electrode.
Abstract translation: 公开了一种使用石墨烯切换装置的方法阵列。 所公开的存储器阵列包括以矩阵形状布置的多个石墨烯切换装置，连接到每列的石墨烯切换装置的栅电极的多条字线，连接到石墨烯切换的漏电极的多个位线 每行的设备，以及连接到每列的石墨烯切换装置的源电极的多源线。 石墨烯开关装置包括在漏电极和源电极的漏电极方向的沟道之间的肖特基势垒。
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公开(公告)号：KR1020140010720A
公开(公告)日：2014-01-27
申请号：KR1020120077368
申请日：2012-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , B82Y10/00 , H01L29/1095 , H01L29/1606 , H01L29/66045 , H01L29/66477 , H01L29/78 , H01L29/78684 , Y10S977/734 , Y10S977/842 , Y10S977/938
Abstract: The present invention relates to a high-performance field effect transistor including a graphene channel layer. According to one embodiment of the present invention, the field effect transistor includes: a substrate; a grapheme channel layer which is placed on the substrate and includes a slit; a source electrode and a drain electrode which apply a voltage to the graphene channel layer and are placed at an interval; a gate electrode which forms an electric field in the graphene channel layer; and a gate insulation layer which is placed between the graphene channel layer and the gate electrode.
Abstract translation: 本发明涉及包括石墨烯通道层的高性能场效应晶体管。 根据本发明的一个实施例，场效应晶体管包括：衬底; 一个放置在基片上并包括狭缝的图形通道层; 源极电极和漏电极，其对石墨烯沟道层施加电压并以一定间隔放置; 在所述石墨烯沟道层中形成电场的栅电极; 以及位于石墨烯通道层和栅电极之间的栅极绝缘层。
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