公开(公告)号：KR100532409B1

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：KR1020010049036

申请日：2001-08-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임재순 ,  이승환 ,  최한메 ,  이윤정 ,  남갑진 ,  박기연 ,  김영선 ,  김성태

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L28/55

Abstract: 본 발명의 반도체 소자의 커패시터 형성 방법에 의하면, 먼저 반도체 기판 위에 하부 전극을 형성한다. 다음에 하부 전극 위에 높은 유전율을 갖는 물질막으로 이루어진 유전체막을 형성한다. 이어서 유전체막 위에 금속 질화물막으로 이루어진 상부 전극을 형성한다. 그리고 하부 전극, 유전체막 및 상부 전극이 순차적으로 형성된 구조체에 대하여 200-500℃의 온도와 산소 분위기에의 제1 열처리 공정, 및 300-700℃의 온도와 진공 상태의 제2 열처리 공정을 순차적으로 수행한다.

公开(公告)号：KR1020050095388A

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：KR1020040020765

申请日：2004-03-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정숙진 ,  이승환 ,  김성태 ,  김영선 ,  임재순 ,  박영근

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10867 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/1087 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

Abstract: SiGe를 이용한 트렌치 커패시터 및 그 형성방법에 관해 개시한다. 본 발명의 트렌치 커패시터 형성방법에서는, 실리콘 기판 위에 SiGe층, Si층 및 개구부를 갖는 식각 마스크를 형성한다. 식각 마스크를 이용하여 Si층 및 SiGe층을 식각함으로써 제1 트렌치를 형성한 다음, SiGe층을 선택적으로 등방성 식각하여 SiGe층 안에 요홈을 형성한다. 요홈을 포함한 결과물 상에 절연막을 형성한 후, 절연막을 이방성 건식 식각하여 요홈 안에 절연막 칼라를 형성한다. 식각 마스크를 이용하여 실리콘 기판을 식각하여 제1 트렌치가 연장된 제2 트렌치를 형성한다. 식각 마스크를 제거한 다음, 제2 트렌치 바깥쪽을 감싸는 매립형 플레이트를 형성한다. 제2 트렌치 내벽에 유전막을 형성하고 저장 전극을 형성한다.

公开(公告)号：KR100496890B1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：KR1020030054092

申请日：2003-08-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최한메 ,  권종완 ,  임재순 ,  김기철 ,  김성태 ,  김영선

IPC: H01L21/30

CPC classification number: C23C16/448 ,  B01B1/005 ,  B01J4/02 ,  B01J2219/0011 ,  B01J2219/00164 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/0329 ,  Y10T436/2575

Abstract: 액체 케미컬 공급 시스템 및 이 장치를 이용한 액체 케미컬 유출 절감 방법을 제공한다. 이 시스템은 가압 가스를 공급하는 가압 가스 공급원과, 액체 케미컬을 담고 있고, 가압 가스 공급원과 가압 라인으로 연결된 저장 캐니스터와, 캐니스터와 운반 라인으로 연결되고, 캐니스터로부터 운반된 액체 케미컬을 기화시키는 기화기와, 운반 라인에 설치되어 액체 케미컬의 흐름을 제어하는 액체 유량 제어기와, 기화기와 공급라인으로 연결되고 기화된 케미컬(vaporized chemical)을 공급받아 증착 공정이 수행되는 반응챔버와, 반응챔버로의 케미컬 공급이 중단될 때, 케미컬의 흐름을 우회시켜 저장하는 액체 케미컬 재활용 장치(liquid chemical recycling element)을 구비하고 있다. 소정의 유량으로 제어된 액체 케미컬은 상기 반응 챔버로의 케미컬 공급 차단시, 상기 반응 챔버로 향하는 케미컬의 흐름을 우회시켜 액체 케미컬을 저장된다.

公开(公告)号：KR1020050001832A

公开(公告)日：2005-01-07

申请号：KR1020030042171

申请日：2003-06-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기철 ,  김영선 ,  남갑진 ,  김성태 ,  권종완 ,  최한메 ,  임재순

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/32051 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L28/91

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device with a capacitor is provided to simplify a fabricating process by forming a pad-including stud type buried contact composed of polysilicon and by eliminating the necessity of a recess process. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(100) includes a cell array region(A) and a peripheral circuit region(B). An interlayer dielectric includes a contact hole(120) exposing the semiconductor substrate in the cell array region. The contact hole is filled with a stud-type buried contact(130a) that protrudes to the outside of the contact hole and has a pad part having a width greater than that of the contact hole. An ohmic layer pattern(140a) and a barrier layer pattern(150a) are sequentially arranged on the stud-type buried contact, self-aligned with the pad part. The upper part and sidewall of a barrier layer, the sidewall of the ohmic layer pattern and the sidewall of the pad part are conformally covered with an etch stop layer. A lower electrode(200a) penetrates the etch stop layer to be electrically connected to the stud-type buried contact. A dielectric layer(220) and an upper electrode(230) are conformally stacked according to the profile of the lower electrode.

Abstract translation: 目的：提供具有电容器的半导体器件，以通过形成由多晶硅构成的包括衬垫的螺柱型埋入触点并且消除凹陷工艺的必要性来简化制造工艺。 构成：半导体衬底（100）包括电池阵列区域（A）和外围电路区域（B）。 层间电介质包括暴露电池阵列区域中的半导体衬底的接触孔（120）。 接触孔填充有突出到接触孔的外侧的螺柱型埋入触头（130a），并且具有宽度大于接触孔宽度的焊盘部分。 欧姆层图案（140a）和阻挡层图案（150a）依次布置在柱状埋层接触件上，与衬垫部件自对准。 阻挡层的上部和侧壁，欧姆层图案的侧壁和焊盘部分的侧壁共形地覆盖有蚀刻停止层。 下电极（200a）穿透蚀刻停止层以电连接到螺柱型埋入触头。 电介质层（220）和上电极（230）根据下电极的轮廓共形堆叠。

公开(公告)号：KR1020040091354A

公开(公告)日：2004-10-28

申请号：KR1020030025168

申请日：2003-04-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임재순 ,  김성태 ,  김영선 ,  남갑진 ,  김기철 ,  권종완

IPC: H01L27/04

Abstract: PURPOSE: A method for forming a low temperature titanium nitride thin film is provided to prevent Cl from penetrating a dielectric layer and avoid deterioration of an electrical characteristic by depositing a TiN thin film at a low temperature. CONSTITUTION: TiCl4 gas and NH3 gas are blown into a reaction space. The reaction space is purged. NH3 gas is blown into the reaction space and an annealing process is performed. The reaction space is purged. A TiN thin film is formed at a temperature not higher than 500 deg.C.

Abstract translation: 目的：提供一种形成低温氮化钛薄膜的方法，以防止Cl渗透介电层，并通过在低温下沉积TiN薄膜来避免电特性的恶化。 构成：将TiCl 4气体和NH 3气体吹入反应空间。 反应空间被清除。 将NH 3气体吹入反应空间，进行退火处理。 反应空间被清除。 在不高于500℃的温度下形成TiN薄膜。

公开(公告)号：KR1020040072351A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：KR1020030008801

申请日：2003-02-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기철 ,  김성태 ,  김영선 ,  남갑진 ,  권종완 ,  임재순

IPC: H01L21/8242

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device having a capacitor is provided to cure sufficiently a high dielectric layer by forming the high dielectric layer on the bottom electrode and performing an ozone heat treatment process for the high dielectric layer. CONSTITUTION: A bottom electrode(111a) is formed on a semiconductor substrate(101). A high dielectric layer(117) is deposited on the bottom electrode. An ozone heat treatment process using an ozone gas is performed on the high dielectric layer. A top electrode(119) is formed on the high dielectric layer. A dielectric constant of the high dielectric layer is higher than a dielectric constant of a silicon oxide layer. The density of the ozone gas is more than 180g/m¬3.

Abstract translation: 目的：提供一种制造具有电容器的半导体器件的方法，用于通过在底部电极上形成高电介质层并对高电介质层进行臭氧热处理工艺来充分固化高电介质层。 构成：在半导体衬底（101）上形成底部电极（111a）。 高电介质层（117）沉积在底部电极上。 在高电介质层上进行使用臭氧气体的臭氧热处理工艺。 顶电极（119）形成在高电介质层上。 高介电层的介电常数高于氧化硅层的介电常数。 臭氧气体的密度大于180g / m 3。

公开(公告)号：KR100363084B1

公开(公告)日：2002-11-30

申请号：KR1019990045316

申请日：1999-10-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임재순 ,  김영관 ,  박흥수 ,  이상인

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616

Abstract: 박막구조를위한다중막을포함하는커패시터및 그제조방법을개시한다. 본발명의일 관점은상호작용상수가서로다른물질원소들을각각포함하여이루어진하부물질층및 상부물질층의계면에조성전이층이도입되는다중막을제공한다. 조성전이층은상부물질층을이루는원소및 하부물질층을이루는원소를함께함유하며하부물질층상으로부터상부물질층에이르기까지농도구배를가져, 상부물질층에인접하는부분에서상부물질층을구성하는원소의농도가상대적으로크다. 이러한하부물질층또는상부물질층은알루미늄, 실리콘, 지르코늄, 세륨, 티타늄, 이리듐, 탄탈륨또는니오븀의산화물또는질화물로이루어질수 있다. 이러한다중막을상부전극과하부전극사이에유전체로도입한커패시터를제공한다.

公开(公告)号：KR1020000051044A

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：KR1019990001277

申请日：1999-01-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최성제 ,  김영선 ,  임재순 ,  이종호

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a thin film is provided to promote the uniformity of a thin film formed by using an atomic layer deposition method. CONSTITUTION: A first reacting material is injected to a chamber wherein a substrate is loaded and the first reacting material is adsorbed chemically. The chamber is pumped after purging gas in the chamber or the chamber is purged after pumping the chamber. By the dual processes, the chemically adsorbed first reacting material is removed. A second reacting material is injected to the chamber to adsorb the second reacting material on the first reacting material. A solid thin film of an atomic layer unit is formed by the chemical metathesis of the two reacting materials.

Abstract translation: 目的：提供薄膜的制造方法，以促进通过使用原子层沉积方法形成的薄膜的均匀性。 构成：将第一反应材料注入到其中负载基材并且第一反应材料被化学吸附的室中。 在腔室中吹扫气体之后泵送腔室，或者在泵送腔室之后将腔室清除。 通过双重过程，去除化学吸附的第一反应材料。 将第二反应材料注入到室中以将第二反应材料吸附在第一反应材料上。 通过两种反应材料的化学分解形成原子层单元的固体薄膜。

公开(公告)号：KR1020000039578A

公开(公告)日：2000-07-05

申请号：KR1019980054955

申请日：1998-12-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임재순 ,  김영관 ,  최성제 ,  이상인

IPC: H01L27/108

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a dielectric film and a cell capacitor are provided to prevent the dielectric film from the chemical fault by restraining the creation of impurities when an alkyl metal is oxidized. CONSTITUTION: A trimethyl aluminum(200) is supplied as a source for forming an alumina film. An oxidized gas without hydrogen is supplied so as to react with the trimethyl aluminum source(200). The oxidized gas includes O3(210). The oxidized gas includes an activated oxygen radical. The alkyl metal is supplied as a source for forming a dielectric film. The dielectric film is one selected from a group consisting of Al2O3, TiO2, ZrO2, HfO2, Ta2O5, Nb2O5, CeO2, Y2O3, SiO2, N2O3.

Abstract translation: 目的：提供一种制造电介质膜和电池电容器的方法，以在烷基金属被氧化时通过抑制杂质的产生来防止电介质膜发生化学故障。 构成：提供三甲基铝（200）作为形成氧化铝膜的来源。 供给不含氢气的氧化气体，与三甲基铝源（200）反应。 氧化气体包括O3（210）。 氧化气体包括活化的氧自由基。 提供烷基金属作为形成电介质膜的源。 电介质膜选自由Al 2 O 3，TiO 2，ZrO 2，HfO 2，Ta 2 O 5，Nb 2 O 5，CeO 2，Y 2 O 3，SiO 2，N 2 O 3组成的组中的一种。

公开(公告)号：KR1020150038808A

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：KR1020130116462

申请日：2013-09-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조규호 ,  양현정 ,  오세훈 ,  이용재 ,  임기빈 ,  임재순 ,  임한진 ,  장재완 ,  정창화

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/65 ,  H01L28/91

Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 상기반도체장치는, 기판, 상기기판상에형성된하부전극, 상기하부전극상에형성된유전막, 상기유전막상에형성된접착막, 및상기접착막상에형성된상부전극을포함하되, 상기접착막은상기유전막과상기상부전극에접촉하고, 도전성물질을포함한다.

Abstract translation: 提供一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括衬底; 形成在所述基板上的下电极; 形成在下电极上的电介质膜; 形成在电介质膜上的粘合膜; 以及形成在所述粘合膜上的上电极，其中所述粘合膜附着到所述电介质膜和所述上电极，并且包含导电材料。