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    전극조립체를 구비하는 플렉서블 전기화학소자
    21.
    发明公开
    전극조립체를 구비하는 플렉서블 전기화학소자 审中-实审
    柔性电化学装置，包括电极组件

    公开(公告)号：KR1020160036282A

    公开(公告)日：2016-04-04

    申请号：KR1020140128282

    申请日：2014-09-25

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 권문석 ,  최재만 ,  도은철 ,  장재준 ,  정연지

    IPC: H01M2/02

    CPC classification number: H01M2/02 ,  H01M2002/0205

    Abstract: 다수의전극조립체를연결하여반복적인굽힘이가능한플렉서블전기화학소자가개시된다. 개시된전기화학소자는일 방향으로이격되어배열된적어도 2개의전극조립체및 상기적어도 2개의전극조립체들을포장하는외장재를포함하며, 외장재는각각의전극조립체를개별적으로수용하는적어도 2개의수용부와인접한두 수용부사이를연결하는연결부를가질수 있다. 여기서, 연결부는적어도하나의만곡된굴곡부를갖도록반복하여절곡될수 있다.

    Abstract translation: 公开了能够通过连接多个电极组件而能够重复接合的柔性电化学装置。 电化学装置包括：布置成在一个方向上彼此分离的至少两个电极组件; 以及壳体构件，其构造成封装所述至少两个电极组件。 壳体构件可以具有分别容纳电极组件的至少两个容纳部分和连接在两个相邻的容纳部分之间的连接部分。 连接部分可以重复弯曲以具有至少一个弯曲弯曲部分。

    반도체 장치
    22.
    发明公开
    반도체 장치 审中-实审
    半导体器件

    公开(公告)号：KR1020140113142A

    公开(公告)日：2014-09-24

    申请号：KR1020130028147

    申请日：2013-03-15

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 장재준 ,  정재현

    IPC: H01L21/8238

    CPC classification number: H01L29/4238 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7842

    Abstract: Disclosed is a semiconductor device. The device includes a silicon substrate of a first conductivity, a mesh-type gate electrode which has multiple openings and includes first parts extended in a first direction and second parts extended in a second direction vertical to the first direction on the silicon substrate, and drain regions and source regions of a second conductivity which are alternately provided in the first direction and the second direction in the silicon substrate exposed by the openings.

    Abstract translation: 公开了一种半导体器件。 该器件包括具有第一导电性的硅衬底，具有多个开口的网状栅电极，包括沿第一方向延伸的第一部分和沿着与硅衬底上的第一方向垂直的第二方向延伸的第二部分，以及漏极 区域和源极区域，其在通过开口暴露的硅衬底中沿第一方向和第二方向交替地设置。

    전력 ＭＯＳ 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자
    23.
    发明授权
    전력 ＭＯＳ 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자 有权

    公开(公告)号：KR101932661B1

    公开(公告)日：2018-12-26

    申请号：KR1020180124480

    申请日：2018-10-18

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 장재준 ,  김민환 ,  장동은 ,  장훈

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66 ,  H01L29/06

    Abstract: 발열량을 최소화하고, 신뢰성을 향상시킬 수 있는 전력 MOS 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자를 제공한다. 본 발명에 따른 전력 MOS 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자는 제1 전도성을 가지는 불순물 영역이 형성된 반도체 기판, 불순물 영역 내에 형성되며 제1 전도성을 가지는 드리프트 영역, 드리프트 영역에 인접하도록 불순물 영역 내에 형성되며, 제1 전도성과 다른 제2 전도성을 가지는 바디 영역, 드리프트 영역 상에 형성되는 드레인 확장 절연막, 바디 영역의 일부 및 드리프트 영역의 일부 상에 걸치도록, 반도체 기판 상에 순차적으로 적층되는 게이트 절연막 및 게이트 전극, 드레인 확장 절연막 상에 형성되는 드레인 확장 전극, 드리프트 영역 내의 바디 영역에 대한 반대 일측과 접하며, 제1 전도성을 가지는 드레인 영역 및 바디 영역 내에 형성되며, 제2 전도성을 가지는 소스 영역을 포함한다.

    유연한 전기화학소자용 포장재 및 이를 포함하는 전기화학소자
    24.
    发明公开
    유연한 전기화학소자용 포장재 및 이를 포함하는 전기화학소자 审中-实审
    用于柔性电化学装置和包括密封包装构件的电化学装置的气密包装构件

    公开(公告)号：KR1020170025991A

    公开(公告)日：2017-03-08

    申请号：KR1020150123199

    申请日：2015-08-31

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 장재준 ,  권문석 ,  최재만

    IPC: H01M2/02 ,  H01M10/052

    CPC classification number: H01M2/0267 ,  H01M2/0207 ,  H01M2/026 ,  H01M10/0525 ,  H01M2002/0297

    Abstract: 유연한전기화학소자용포장재및 이를포함하는전기화학소자가개시된다.전기화학소자용포장재는전극조립체를포장하여밀봉시키는것으로, 길이방향, 폭방향및 두께방향을가지며, 테두리부및 상기테두리부로부터두께방향으로소정깊이로형성되어그 내부에상기전극조립체를수용하는수용부를포함한다. 여기서, 상기수용부는, 상기테두리부와연결되도록마련되는경사부및 상기경사부에의해둘러싸인고원부를포함한다. 상기경사부는복수의산등성이및 상기복수의산등성이사이에형성된복수의골짜기를포함한다.

    Abstract translation: 用于封装和密封电化学装置的电极组件的密封包装部件包括边缘单元和接收单元，该边缘单元和接收单元具有从边缘单元沿密封包装构件的厚度方向的预定深度以接收其中的电极组件。 接收单元包括连接到边缘单元的斜坡部分和由斜坡部分包围的平台部分。 斜坡部分包括多个脊和多个脊之间，多个脊限定在多个脊之间。

    유연한 전극 조립체 및 이를 포함하는 전기화학 소자
    26.
    发明公开
    유연한 전극 조립체 및 이를 포함하는 전기화학 소자 审中-实审
    具有电极组件的柔性电极组件和电化学装置

    公开(公告)号：KR1020160042748A

    公开(公告)日：2016-04-20

    申请号：KR1020150060089

    申请日：2015-04-28

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 권문석 ,  최재만 ,  도은철 ,  박종환 ,  이운회 ,  장재준 ,  정연지

    IPC: H01M10/04 ,  H01M10/0585 ,  H01M2/16 ,  H01M2/02 ,  H01M2/26 ,  H01M10/05

    Abstract: 유연한전극조립체및 이를포함하는전기화학소자가개시된다. 개시된전극조립체는, 유연성을가지며교대로적층되는적어도하나의제1 전극조립체시트및 적어도하나의제2 전극조립체시트를포함하는전극적층구조체; 및상기전극적층구조체의일부분을고정하는고정부;를포함한다. 여기서, 상기제1 전극조립체시트는, 서로대향되게마련되는제1 및제2 분리막과, 상기제1 및제2 분리막사이에마련되는것으로제1 전극집전체와제1 활물질층을포함하는제1 전극시트와, 상기제1 및제2 분리막에대한상기제1 전극시트의움직임을제한하는제1 구속부를포함한다.

    Abstract translation: 公开了柔性电极组件和具有该柔性电极组件的电化学装置。 电极组件包括：电极多层结构，其包括至少一个第一电极组件片和至少一个第二电极组件片，其具有柔性并且交替堆叠; 以及用于结合电极多层结构的一部分的绑定单元。 第一电极组件片包括：设置成彼此面对的第一和第二分离膜; 第一电极片，设置在第一和第二分离膜之间，并且包括第一电极集电体和第一活性物质层; 以及用于限制第一电极片在第一和第二分离膜上的移动的第一限制单元。

    반도체 장치 그 제조 방법
    29.
    发明公开
    반도체 장치 그 제조 방법 审中-实审
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020150026531A

    公开(公告)日：2015-03-11

    申请号：KR1020130105513

    申请日：2013-09-03

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김현주 ,  장재준 ,  장훈 ,  김재호 ,  조규헌

    IPC: H01L29/872

    CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66143

    Abstract: 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치는, 제1 도전형의 에피층(epitaxial layer), 에피층 상에 서로 분리되어 배치된 애노드(anode) 전극 및 캐소드(cathod) 전극, 에피층 내에 형성된 제1 도전형의 제1 드리프트층(dirft layer), 에피층 내에 형성된 제1 도전형과 다른 제2 도전형의 불순물 영역, 및 애노드 전극과 제1 드리프트층이 접촉하여 정의되는 쇼트키 컨택 영역 하부에 형성된 아일랜드(island) 불순물 영역을 포함한다.

    Abstract translation: 提供一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括在外延层上彼此分离的第一导电性外延层，阳极电极和阴极电极，在外延层中形成的第一导电体的第一漂移层，第二导电层的杂质区域 电导率不同于第一导电性的岛状杂质区域和形成在由阳极电极和第一漂移层的接触限定的肖特基接触区域的下部的岛状杂质区域。

    반도체 소자 및 그의 제조 방법
    30.
    发明公开
    반도체 소자 및 그의 제조 방법 审中-实审
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020140091787A

    公开(公告)日：2014-07-23

    申请号：KR1020120149897

    申请日：2012-12-20

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 장재준 ,  김현주 ,  박서인

    IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

    Abstract: Provided are a semiconductor device and a method for fabricating the same. The semiconductor device comprises a semiconductor substrate; a drain region which is located in the semiconductor substrate; a body region which is located in the semiconductor substrate and is separated from the drain region; a source region which is located in the body region; and a gate pattern which includes a first gate which is formed on the semiconductor substrate and is adjacent to the source region and a second gate which is adjacent to the drain region. The gate pattern includes a first conductive dopant. The concentration of the first conductive dopant in the first gate is higher than the concentration of the first conductive dopant in the second gate.

    Abstract translation: 提供一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括半导体衬底; 位于所述半导体衬底中的漏区; 身体区域，其位于所述半导体衬底中并与所述漏极区域分离; 源区域，其位于身体区域中; 以及栅极图案，其包括形成在所述半导体衬底上并且与所述源极区域相邻的第一栅极和与所述漏极区域相邻的第二栅极。 栅极图案包括第一导电掺杂剂。 第一栅极中的第一导电掺杂剂的浓度高于第二栅极中的第一导电掺杂剂的浓度。

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