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公开(公告)号：KR1020170104282A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：KR1020160027138
申请日：2016-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L29/417 , H01L29/66
CPC classification number: H01L29/7854 , H01L21/823431 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/1211 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/66818 , H01L29/7843 , H01L29/7846
Abstract: 집적회로소자는일직선상에서연장되는한 쌍의핀형활성영역과, 분리영역에형성된핀 분리용절연구조물을포함한다. 한쌍의핀형활성영역은핀 분리영역의일부를한정하는제1 챔퍼코너를가지는제1 핀형활성영역을포함한다. 핀분리용절연구조물은한 쌍의핀형활성영역각각의측벽을덮는하부절연패턴과, 하부절연패턴위에서제1 챔퍼코너의적어도일부를덮고한 쌍의핀형활성영역각각의상면보다높은레벨의상면을가지는상부절연패턴을포함한다.
Abstract translation: 该集成电路器件包括在直线上延伸的一对钉扎有源区和在隔离区中形成的用于引脚分离的绝缘结构。 该对被钉扎的有源区域包括具有限定钉扎区域的一部分的第一倒角的第一钉扎有源区域。 去除绝缘结构用于销，一对销状的有源区的每一个的下部覆盖上至少第一倒角一对销形的有效区的侧壁绝缘图案和下部绝缘图案的高级别顶表面比所述顶表面的覆盖角的部 该分支包括上绝缘图案。
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公开(公告)号：KR1020170009191A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：KR1020150100843
申请日：2015-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823871 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/665 , H01L29/7848 , H01L2029/7858
Abstract: 반도체장치가제공된다. 상기반도체장치는, 기판상에형성되고제1 방향으로연장되는제1 핀형패턴, 상기제1 핀형패턴과교차하도록형성되는게이트구조체, 상기게이트구조체의적어도일측에서, 상기제1 핀형패턴상에형성되는제1 에피텍셜층, 및상기게이트구조체의측벽과접하는제1 부분과, 상기제1 부분상에서상기게이트구조체의측벽과이격되는제2 부분을포함하는금속컨택을포함하되, 상기제1 부분은상기제1 에피텍셜층과접하고, 상기제1 부분및 상기제2 부분사이의경계면에서, 상기제1 부분의폭은상기제2 부분의폭보다크다.
Abstract translation: 半导体器件包括从场绝缘膜的上表面向上突出并沿第一方向延伸的第一鳍式图案和第二鳍片型图案。 栅极结构与第一鳍状图案和第二鳍片图案相交。 第一外延层位于栅极结构的至少一侧的第一鳍式图案上，第二外延层位于栅极结构的至少一侧上的第二鳍型图案上。 金属接触覆盖第一外延层和第二外延层的外圆周表面。 第一外延层接触第二外延层。
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公开(公告)号：KR1020160133706A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020150066565
申请日：2015-05-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L21/823431 , H01L21/823481
Abstract: 소자분리특성을개선한반도체장치및 그제조방법이제공된다. 상기반도체장치는핀(fin)을정의하는제1 깊이의제1 트렌치; 상기제1 깊이보다더 깊은제2 깊이의제2 트렌치; 상기핀 상에, 상기핀과교차하고서로나란하게형성된제1 게이트와제2 게이트; 상기제1 게이트와상기제2 게이트사이에형성되고, 상기제1 깊이보다얕게형성된제3 트렌치; 및상기제1 트렌치내지제3 트렌치내에각각형성된제1 소자분리막내지제3 소자분리막을포함하고, 상기제1 소자분리막내지제3 소자분리막은서로다른물질을포함한다.
Abstract translation: 提供了形成半导体器件的半导体器件和方法。 所述方法可以包括形成翅片，在翅片的侧面上形成第一器件隔离层，形成延伸穿过第一器件隔离层的第二器件隔离层，形成穿过翅片的第一和第二栅极并形成第三器件隔离层 在第一和第二个门之间。 第一器件隔离层可以包括第一材料和第一深度处的最下表面。 第二装置隔离层可以包括第二材料和在比第一深度大的第二深度的最下表面。 第三装置隔离层可以延伸到翅片中，可以包括在比第一深度小的第三深度处的最下表面和不同于第一和第二材料的第三材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140146874A
公开(公告)日：2014-12-29
申请号：KR1020130069736
申请日：2013-06-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L29/66545 , H01L29/785
Abstract: Provided are a semiconductor device and a method for fabricating the same. A semiconductor device includes an active pattern which is extended from a semiconductor substrate, includes a source and a drain region, and a channel region between them in a point of a horizontal view and a local insulating pattern locally formed between the channel region of the active pattern and the semiconductor substrate in a point of vertical view, a gate electrode which crosses the channel region of the active pattern and the sidewall of the local insulating pattern, a sidewall spacer of both sides of the gate electrode, and a protection spacer which is interposed between the both sidewalls of the gate electrode and the sidewall spacer and is made of a material which has etch selectivity to the sidewall spacer.
Abstract translation: 提供一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括从半导体衬底延伸的有源图案，包括源极和漏极区域，以及在水平视点之间的它们之间的沟道区域和局部形成在活性物质的沟道区域之间的局部绝缘图案 图案和半导体衬底，垂直视图上的跨越有源图案的沟道区域和局部绝缘图案的侧壁的栅电极，栅极两侧的侧壁间隔件和保护间隔件，其是 插入在栅电极的两个侧壁和侧壁间隔件之间，并且由对侧壁间隔物具有蚀刻选择性的材料制成。
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公开(公告)号：KR1020140133726A
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：KR1020130053207
申请日：2013-05-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L29/4966 , H01L29/66545 , H01L29/785 , H01L29/7853
Abstract: 반도체 장치의 제조방법은, 기판을 패터닝하여 활성 핀을 형성하는 것, 상기 기판 상에 상기 활성 핀을 가로지르는 희생 게이트 패턴을 형성하는 것, 상기 희생 게이트 패턴을 덮는 층간 절연막을 형성하는 것, 상기 희생 게이트 패턴을 제거하여, 상기 층간 절연막 내에 상기 활성 핀을 노출하는 갭 영역을 형성하는 것, 및 상기 갭 영역에 의해 노출된 상기 활성 핀의 일부를 산화하여 상기 활성 핀과 상기 기판 사이에 절연 패턴을 형성하는 것을 포함한다.
Abstract translation: 半导体器件的制造方法包括：通过对基板进行图案化而形成有源引脚，在基板上形成穿过有源引脚的牺牲栅极图案，形成覆盖牺牲栅极图案的层间绝缘膜，通过使有源引脚 通过去除牺牲栅极图案在层间绝缘膜中，并且通过氧化由间隙区域暴露的有源销的一部分，在衬底和有源引脚之间形成绝缘图案。
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公开(公告)号：KR1020140088419A
公开(公告)日：2014-07-10
申请号：KR1020130000276
申请日：2013-01-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/7848
Abstract: Provided is a field effect transistor. An active region protrudes from a substrate. A gate electrode is provided on the active region. Source drain regions are arranged on both sides of the active region. The lower width of the gate electrode is wider than the upper width of the gate electrode.
Abstract translation: 提供了场效应晶体管。 有源区从基板突出。 在有源区上设置栅极电极。 源极漏极区域布置在有源区域的两侧。 栅电极的较低宽度比栅电极的上宽度宽。
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公开(公告)号：KR1019990065098A
公开(公告)日：1999-08-05
申请号：KR1019980000206
申请日：1998-01-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 차동호
IPC: H01L21/027
Abstract: 위상 반전 마스크(phase shift mask)를 사용하는 포토레지스트막(photoresist layer) 노광(exposure) 방법 및 이에 이용되는 노광 장치를 개시한다. 본 발명은 광원, 파리눈 렌즈(fly's eye lens), 집속 렌즈(condenser lens), 위상 반전 마스크 및 편광기(polarizer)를 포함한다. 편광기는 파리눈 렌즈 및 위상 반전 마스크 사이에 도입되어 위상 반전 마스크를 통과할 빛을 편광시킨다. 이와 같이 편광된 빛은 반도체 기판 상에 형성된 포토레지스트막을 선택적으로 노광시킨다.
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公开(公告)号：KR1019990018381A
公开(公告)日：1999-03-15
申请号：KR1019970041557
申请日：1997-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 시어링 간섭계(shearing interferometry)를 포함하는 PSM(Phase Shift Mask)의 결함 검사 장치에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 포토마스크의 결함 검사 장치는 광원과, 상기 광원으로부터의 빛을 투과시키는 필터와, 상기 필터를 통과한 빛을 2방향으로 분기시키는 그레이팅 애퍼처(grating aperture)와, 간섭 무늬의 피치와 방향을 조정하는 가변 위상 시프터(variable phase shifter)를 구비한 시어링 간섭계(shearing interferometry)를 구비한다.
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