Abstract:
PURPOSE: A method for forming a contact of a 3D laminate memory array is provided to reduce processing costs and steps by forming step type contacts with different depths once regardless of the number of layers. CONSTITUTION: A plurality of semiconductor layers(10) with a step protrusion part are formed on a substrate. A first hard mask material layer is formed on a first interlayer dielectric layer. A plurality of contact hole patterns(32) are formed by etching the first hard mask material layer. A second interlayer dielectric layer fills the plurality of contact hole patterns. A second hard mask material layer is deposited on the front side of the substrate. A plurality of contact holes(70) are formed by anisotropically etching the first and second interlayer dielectric layers.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a thin film transistor having a rounded gate is provided to prevent the generation of hump because an edge part of a gate electrode is rounded by an undercut phenomenon. CONSTITUTION: A first conductive film is evaporated on an insulation board(10). After the first conductive film is dry-etched, a wet-etching process is implemented for a constant time to form a gate(26). A gate insulation layer(40) is formed on the gate and the board. A semiconductor material is evaporated on the gate insulation layer. A source section(52), a drain section(54), and a channel section(56) are formed on the semiconductor material. A source electrode(72) and a drain electrode(74) are respectively formed on the source and the drain sections.
Abstract:
본 발명은 수직 적층된 3차원 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 수직하게 적층된 반도체층들을 구별하기 위해 일측에 적층된 반도체층들의 층수보다 적은 층선택라인들을 구비하여 이를 통해 전기적 초기화로 구현되는 3차원 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 저항성 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 저항 가변층에서 스위칭에 관여하는 전도 경로인 filament의 수를 최소화하여 동작의 신뢰성을 높이며 저전력 구동이 가능하도록 저항 가변층이 스페이서 구조로 형성된 저항성 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 바디 컨택이 가능한 나노 와이어 소자 및 이를 이용한 3차원 적층형 낸드 플래시 메모리 어레이에 관한 것으로, SOI 기판이나 반도체 적층 구조에서도 와이어 형태의 액티브 바디가 소스 및 드레인에 의하여 막혀 있지 않고 바디 영역 또는 바디 컨택부로 이웃 소자함께 또는 다른 층의 바디와 서로 연결될 수 있도록 함으로써, 이를 이용한 3차원 적층형 낸드 플래시 메모리 어레이는 바디 컨택부로 형성된 바디컨택라인을 통하여 하나의 바디 컨택만으로 블록 이레이즈가 가능하도록 한 효과가 있다.
Abstract:
PURPOSE: An RRAM(Resistive Random Access Memory) device with a spacer structure and a fabrication method thereof are provided to improve the reliability of an operation by minimizing the number of filaments which are the conduction route taking part in switching in a resistance variable layer. CONSTITUTION: A resistance variable layer is formed in the form of spacers(42a,42b). The spacers are made of a transition metal oxide with a resistance variable characteristic. The spacers is formed in the sidewall of a first insulating layer which is filled between a bottom electrode(20) and an upper electrode(62). The first insulating layer is formed to be separated at a constant interval between trenches. A second insulating layer(54) is formed on the spacers.
Abstract:
PURPOSE: A DRAM device with a single transistor structure for storing 2 bits is provided to store 2 bits per a cell by forming an impurity doping layer with the opposite polarity of a semiconductor body in the center of the semiconductor body. CONSTITUTION: An active area, which includes semiconductor bodies(13,17), is formed into a P-type semiconductor. A source(11) and a drain(19) are formed in the upper side and the down side of the semiconductor body. A gate(30) is formed on the side of the semiconductor body while being placed between gate insulating layers(20). An impurity doping layer(15), which has the opposite polarity of the semiconductor body, is formed in the center of the upper side and the down side of the semiconductor body. The impurity doping layer electrically disconnects the semiconductor body.
Abstract:
본 발명은 비휘발성 메모리 어레이와 그 동작 및 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 워드라인과 비트라인 사이에 PN 접합 또는 쇼트키(Schottky) 접합을 형성하고 워드라인과 접한 절연막을 파괴시킴으로써 프로그램하고, 상기 PN 접합 또는 쇼트키 접합의 성질을 이용하여 읽기하는 것을 특징으로 하는 일회 프로그램 가능한 비휘발성 메모리 어레이와 그 동작 및 제조방법에 관한 것이다. 일회프로그램, 비휘발성메모리, 어레이, PN접합, 쇼트키접합, Schottky