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公开(公告)号：KR1019990001421A
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019970024735
申请日：1997-06-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L23/02
Abstract: 본 발명은, 크기가 2 내지 5㎛이고, 중량 퍼센트로 99.9% 이상의 순도를 가지는 텅스텐 분말을 고분자 결합제와 혼합하여 사출용 피드스톡을 만드는 단계와; 상기 피드스톡을 분말 사출 성형하여 3 차원 성형체를 만드는 단계와; 얻어진 사출 성형체로부터 상기 결합제를 제거하여 텅스텐 골격 구조를 얻는 단계와; 얻어진 상기 텅스텐 골격 구조의 밑면 위에 동 판재를 올려놓고 1250℃에서 2 시간 동안 수소 분위기에서 구리 용침을 수행하는 단계;로 제조되는 마이크로파 소자용 텅스텐-구리 밀폐 패키지용 용기로, 별도의 가공 공정 없이 열방산 특성이 우수하고 열팽창 계수가 GaAs와 유사하며, 스트립 와이어 연결이 가능한 용기를 제공하고, 그의 제조 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1019960015218B1
公开(公告)日：1996-11-04
申请号：KR1019940002664
申请日：1994-02-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C22C27/04
Abstract: This W-Cu alloy is produced by the processes of (1) infiltration of copper in tungsten frame, repeatedly, (2) rapid heating of infiltrated W-Cu alloy at higher 1150deg.C than melting temperature 1083deg.C of copper for the holding time of over 5min, and (3) rapid cooling up to 800deg.C, for decreasing direct contact between tungsten particles, removing the residual porosity and homogenizing micro structure by contraction and expansion. This alloy comprises 65 to 85wt.% Cu and the balance of tungsten frame. The copper as the starting material is the powder of electrolytic copper of higher oxygen content or the ingot of oxygen-free copper of lower oxygen content.
Abstract translation: 这种W-Cu合金是通过以下工序制造的：（1）在钨框架中铜的渗透反复，（2）浸渍的W-Cu合金在1150℃以上的快速加热比熔化温度为1083℃的铜为夹持 时间超过5min，（3）快速冷却至800℃，减少钨颗粒间的直接接触，消除残留孔隙度，并通过收缩和膨胀均匀化微观结构。 该合金包含65至85重量％的Cu和余量的钨骨架。 作为原料的铜是氧含量较高的电解铜粉末或含氧量较低的无氧铜锭。
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公开(公告)号：KR1019950008924B1
公开(公告)日：1995-08-09
申请号：KR1019930005996
申请日：1993-04-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C16/26
Abstract: The manufacturing method for a free standing diamond film comprises (A) forming by CVD(chemical vapor deposition) a monolithic diamond film(2) on upper(1a) and lateral(1c) sides of a substrate(1) where the peripheral part(1b) of the upper side has a circular arc-like curvature and (B) making a free standing diamond film by separating the diamond film from the substrate-diamond film monolith, while protecting the substrate from damage caused by shrinkage difference between substrate and diamond film occuring from cooling.
Abstract translation: 独立金刚石膜的制造方法包括：（A）通过CVD（化学气相沉积）在基板（1）的上（1a）和侧（1c）侧上形成单片金刚石膜（2），其中周边部分 1b）具有圆弧状曲率，（B）通过将金刚石膜与基底 - 金刚石膜整料分开来制造自立式金刚石膜，同时保护基板免受基板与金刚石之间的收缩差异的损害 薄膜从冷却发生。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR100364134B1
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：KR1019990040684
申请日：1999-09-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B24B9/16
Abstract: 본발명은절삭공구등의내마모공구, 전자패키징재료로서고출력또는고밀도 IC 반도체의열전달기판(heat spreader or heat sink) 또는적외선및 마이크로웨이브투과창(IR window) 등에사용되는합성다이아몬드웨이퍼의평탄화및 연마방법에관한것이다. 본발명은 Mn-Fe 합금계를합성다이아몬드웨이퍼의성장면에접촉시키고, 이것을가열한후 일정시간동안유지하여상기합금계와다이아몬드웨이퍼를반응시키는것으로이루어지는합성다이아몬드웨이퍼의평탄화및 연마방법을제공한다. 상기합금계에서 Fe의함량은 5 ~ 95wt%으로한다. 또한상기합금계에는제 3 합금성분으로 0.1~2wt%의 Cr, 0.1~10wt%의 Al, 0.1~10wt%의 Cu, 0.1~7wt%의 Ni, 0.1~1wt%의 Co, 0.1~3wt%의 Si, 0.1~0.5wt%의 Nb, 0.05~0.2wt%의 Ti, 0.1~0.5wt%의 Zr 또는 0.01~0.1wt%의 B를첨가하여 2원계이상으로이루어진합금계를형성할수 있다. 본발명에의하면대면적의합성다이아몬드웨이퍼를피팅현상없이고속으로랩핑(lapping)시킬수 있는저비용의환경친화적반응합금을이용하여평탄화및 연마방법을제공할수 있다. 또한공정이매우단순하여제조장비의구성이쉽고, 대량으로여러장의웨이퍼를동시에팡탄화시킬수 있어연마비용을절감할수 있는평탄화및 연마방법을제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR100345877B1
公开(公告)日：2002-07-27
申请号：KR1020010010501
申请日：2001-02-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L23/06
Abstract: 본발명은일반적인기계가공방법으로제조가어려운패키징구조를정밀성형이가능하면서실형상화를달성할수 있는분말사출성형과소결기술을적용하여달성하기위한것으로, ASTM F-15 합금(Kovar) 조성의철, 니켈및 코발트분말로이루어지는원료분말을고분자결합제와혼합하여사출용피드스톡을제조하고, 상기피드스톡을금형내로고압사출성형하고, 얻어진성형체로부터용매추출및 열분해법을이용하여상기고분자결합제를제거하고, 얻어진성형체를소결하는것으로이루어지는광송수신모듈패키징용금속용기의제조방법을제공한다. 여기서, 상기원료분말은수 내지수십미크론의평균크기를갖으면서 99.9% 이상의순도를갖는철, 니켈및 코발트금속분말을균일혼합하여얻어지는것이바람직하고, 또한상기소결은수소분위기또는수소+아르곤분위기에서수행되는것이더욱바람직하다.
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公开(公告)号：KR100324622B1
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：KR1019990027290
申请日：1999-07-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B22F9/08
Abstract: 본발명은이종액체계면의섭동원리를이용한구형분말제조방법에관한것으로, 저융점합금을용융하여용탕을형성하고, 상기용탕에불활성가스를주입하여상기용융합금을노즐을통하여줄기형으로분사시키고, 상기줄기형으로분출되는용융합금을유기액상에주입시키는것으로이루어지는이종액체계면의섭동원리를이용한구형분말제조방법을제공한다. 본발명에의하여제조된합금분말은조직이미세하고, 매우균일한분포의입도를나타내며, 표면이매끄럽고, 진구형태를갖고있다. 또한본 발명에의한분말제조공정은매우단순하여제조장비의구성이쉬워다른제조방법보다제조비용을훨씬절감할수 있다. 따라서본 발명에의해제조된합금분말들을반도체칩또는인쇄회로기판의표면실장형회로구성을위한솔더부품으로사용할경우전자기기의 I/O핀의수를증가시키고핀의간격을보다작게할 수있어반도체또는시스템용보드의고집적 BGA 패키징작업을보다용이하게할 수있다.
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公开(公告)号：KR100314931B1
公开(公告)日：2001-11-30
申请号：KR1019990040683
申请日：1999-09-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B24B9/16
Abstract: 본발명은인발다이(wire drawing die)용천연또는합성다이아몬드단결정의양면평행연마방법에관한것으로, 다수의다이아몬드단결정의양면에금속판재를접촉시키고, 이접촉물을액상형성이없는고상(solid state)의일정온도까지가열한후 상기온도에서일정시간유지하는다이아몬드단결정의양면평행연마방법을제공한다. 본발명의방법으로다량의다이아몬드단결정에대하여양면을동시에평행하게평탄화시킬수 있으며, 평탄화된(planarized) 평행한양면에수직하게홀을형성하여이를인발용다이로사용할수 있다.
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