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公开(公告)号：KR1020150122053A
公开(公告)日：2015-10-30
申请号：KR1020150034034
申请日：2015-03-11
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H05K3/007 , C08L5/08 , C12N11/14 , H05K3/10 , H05K2203/0786 , H05K2203/12 , H05K2203/122 , H05K2203/1305 , H05K2203/1333 , H01L29/1606 , H01L51/0048 , H01L51/0093
Abstract: 그래피틱물질(graphitic material) 및상기그래피틱물질에대한결합능을갖는펩티드가파지의외피단백질또는그의일부에디스플레이된파지를포함하는전자시트를제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了包含噬菌体的电子片，其中具有石墨材料的肽和在石墨材料上的结合能力显示在噬菌体的皮层蛋白或其一部分中。
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公开(公告)号：KR100953532B1
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：KR1020070101363
申请日：2007-10-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B82B1/00 , H01L21/027 , B82Y25/00
Abstract: 본 발명은 기판 상에 형성된 자성반도체 박막, 상기 자성반도체 박막 상에 형성된 전도 채널, 상기 전도 채널 상에 형성된 절연막, 상기 전도 채널 양쪽에 형성된 상기 절연막의 일부를 제거하여 형성된 전기적 연결 단자 및 상기 절연막이 형성된 상기 전도 채널 상에 형성된 나노자성체 어레이 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성반도체/나노자성체 하이브리드형 스핀 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의해, 전자의 스핀 특성을 제어함으로써 내부 저항 제어가 가능한 독특한 물성의 자성반도체 스핀소자의 개발이 가능할 것으로 기대된다. 나아가 기존의 CMOS 보다 직접도, 스위칭 속도 및 에너지 측면에서 월등히 우수한 메모리 소자의 개발이 가능할 것이다.
자성반도체, 나노자성체, 스핀, 전도 채널, 볼텍스 구조-
公开(公告)号：KR1020070056758A
公开(公告)日：2007-06-04
申请号：KR1020050115814
申请日：2005-11-30
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G03F7/2059 , G03F7/004
Abstract: A method for manufacturing a two-dimensional array structure of a nano-sized ferromagnet is provided to improve the precision of fabrication by enhancing the resolution of nano patterning using a C60 fullerene based carbon thin film. A ferromagnetic film(12) is formed on a substrate(11). An amorphous carbon thin film(14) is deposited on the ferromagnetic film. An electron beam is irradiated onto the amorphous carbon thin film. At this time, the amorphous carbon thin film is selectively crystallized. The remaining amorphous carbon thin film is removed from the resultant structure to complete a crystallized carbon thin film pattern(14a). A nano-sized ferromagnetic array(12') is formed on the resultant structure by etching the ferromagnetic film using the carbon thin film pattern as an etch mask. Then, the carbon thin film pattern is removed. A C60 fullerene based carbon thin film is used as the carbon thin film.
Abstract translation: 提供了一种用于制造纳米尺寸铁磁体的二维阵列结构的方法，以通过使用C60富勒烯基碳薄膜提高纳米图案的分辨率来提高制造精度。 铁基膜（12）形成在基板（11）上。 无定形碳薄膜（14）沉积在铁磁膜上。 将电子束照射到无定形碳薄膜上。 此时，非晶碳薄膜被选择性地结晶。 从所得结构中除去剩余的无定形碳薄膜以完成结晶碳薄膜图案（14a）。 通过使用碳薄膜图案作为蚀刻掩模蚀刻铁磁膜，在所得结构上形成纳米尺寸的铁磁阵列（12'）。 然后，除去碳薄膜图案。 使用C60富勒烯类碳薄膜作为碳薄膜。
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公开(公告)号：KR100709395B1
公开(公告)日：2007-04-20
申请号：KR1020060057043
申请日：2006-06-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/105 , H01L29/82
Abstract: 스핀 주입 효율이 높고 신호대 잡음비가 개선된 고품질 스핀 트랜지스터를 제공한다. 본 발명의 스핀 트랜지스터는, 하부 클래딩층, 채널층 및 상부 클래딩층을 갖는 반도체 기판부와; 상기 기판부 상에 형성된 강자성체 소스 및 드레인과; 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 제어하는 게이트를 포함한다. 상기 하부 클래딩층은 제1 하부 클래딩층과 제2 하부 클래딩층의 2중 클래딩층 구조를 갖고, 상기 상부 클래딩층은 제1 상부 클래딩층과 제2 상부 클래딩층의 2중 클래딩 구조를 갖는다. 상기 소스 및 드레인은 상기 기판부 상면 아래로 매립되어 상기 제1 상부 클래딩층 또는 그 아래로 연장되어 있다.
스핀 트랜지스터, 강자성체, 스핀Abstract translation: 高质量的自旋晶体管，具有高自旋注入效率和改善的信噪比。 本发明的自旋晶体管包括：具有下包层，沟道层和上包层的半导体衬底部分; 在衬底上形成的铁磁源和漏极; 还有一个控制穿过沟道层的电子自旋的门。 下包层具有第一下包层和第二下包层的双包层结构，上包层具有第一上包层和第二上包层的双包层结构。 源极和漏极埋在衬底部分的上表面之下并延伸到第一上覆层或第一上覆层下面。
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公开(公告)号：KR1020060119109A
公开(公告)日：2006-11-24
申请号：KR1020050041684
申请日：2005-05-18
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G11C11/161 , B82Y25/00 , G11C11/15 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: A magnetic memory device using a potential difference due to spin polarization and a fabrication method thereof are provided to use a two dimensional electron well layer as a path of bias current during a read operation and as a magnetization inversion current during a write operation, by using the potential difference between a ferromagnetic material and a semiconductor according to the magnetization direction of the ferromagnetic material. A magnetic memory device using a potential difference due to spin polarization uses the potential difference in parallel or anti-parallel state through bonding with a ferromagnetic material(230) using the spin polarization in a two-dimensional electron well layer(210a). The ferromagnetic material is one of Fe, Co, Ni, CoFe or NiFe. The two-dimensional electron well layer uses one of GaAs, InAs and InGaAs channels. When the InAs channel is bonded with the ferromagnetic material, ohmic contact is used.
Abstract translation: 提供使用由于自旋极化产生的电位差的磁存储器件及其制造方法，以在读取操作期间使用二维电子阱层作为偏置电流的路径，并且在写入操作期间使用二维电子阱层作为偏磁电流的路径，通过使用 根据铁磁材料的磁化方向，铁磁材料和半导体之间的电位差。 使用由于自旋极化引起的电位差的磁存储器件通过使用二维电子阱层（210a）中的自旋极化与铁磁材料（230）结合而使用并联或反并联状态的电位差。 铁磁材料是Fe，Co，Ni，CoFe或NiFe之一。 二维电子阱层使用GaAs，InAs和InGaAs沟道之一。 当InAs通道与铁磁材料接合时，使用欧姆接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060097303A
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：KR1020050018421
申请日：2005-03-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/12 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/1237 , G11C11/161
Abstract: 본 발명은 SOI 기판을 이용한 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 특히 상온에서 강자성체로부터 스핀분극된 전자를 Si 반도체에 주입하여 얻어지는 스핀밸브 효과로부터 메모리 및 논리소자로 응용이 가능한 스핀주입소자 및 스핀 전계효과 트랜지스터를 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 절연막 위에 SOI 기판이 형성되고, 상기 SOI 기판 위에 자성체의 소스 영역이 형성되며, 상기 소스 영역으로 주입된 스핀이 통과하는 상기 SOI 기판 위에 1차원 구조의 스핀 채널영역이 형성되고, 상기 스핀 채널영역을 통과한 스핀이 검출되는 상기 SOI 기판 위에 자성체의 드레인 영역이 형성됨을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자를 제시한다.
따라서, 본 발명은 종래의 자성체/Si 반도체 소자에서 구현되지 않았던 스핀밸브효과를 달성하여 반도체 트랜지스터에서 캐리어의 전하만을 전기장으로 제어하는 것과 달리 하이브리드형 자성체/반도체 소자에서는 소스와 드레인에 자성체를 사용하여 스핀을 SOI 반도체에 주입하고 검출함으로써 캐리어의 스핀을 이용한 메모리 및 논리소자로 응용할 수 있다.
스핀주입소자, SOI, 자성체/반도체 이종 접합구조, 자기저항, 스핀밸브-
公开(公告)号：KR100334434B1
公开(公告)日：2002-05-03
申请号：KR1019990043498
申请日：1999-10-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G12B17/00
Abstract: 본발명은고투자율의금속섬유를사용하여형성되는전자파차폐재및 그제조방법에관한것으로, 고투자율의금속섬유를다른매트릭스물질에분산시켜복합재료나고투자율의금속섬유가분산된중간층이한층이상삽입되어얇은막이겹쳐있는라미네이트구조의다층복합재료를제공하며, 또한고투자율의금속섬유가분산된중간층이한층이상삽입되어얇은막이겹쳐있는라미네이트구조의전자파차폐재및 고투자율의특성을갖는합금을급냉응고법을이용하여금속섬유로제조하고, 상기금속섬유를진동하고있는시브를통과시켜시트의표면에균일하게분산함으로써상기시트위에금속섬유층을형성하고, 상기의금속섬유층의다른면에대하여또 다른시트를맞닿게하고, 금속섬유의양면에맞닿은두 시트를압축하여두 시트사이를밀착시키는것으로이루어지는고투자율의금속섬유층이삽입된라미네이트구조의전자파차폐재제조방법을제공한다. 본발명에의하면경제적인방법으로지구자계또는 PC 모니터, 통신기기, 오디오, 비디오등 전자시스템에서발생하는전자기파의환경으로부터인체를보호하고전자기기의성능을보존하는것이가능하다.
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公开(公告)号：KR102236586B1
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：KR1020190066168
申请日：2019-06-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명의실시예에따른자기메모리소자는, 하부전극; 상기하부전극상에형성되는자성층; 상기자성층상에형성되며개방격자구조를갖는산화물층; 및상기산화물층상에형성되는상부전극을포함하며, 상기상부전극은, 상기상부전극과상기하부전극간에인가된전압에의해상기상부전극주위의수분을분해하여수소이온을발생시키고, 상기발생한수소이온에의해상기자성층의자기이방성이제어된다.
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公开(公告)号：KR101753342B1
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020160045820
申请日：2016-04-14
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L29/66984 , B82Y10/00 , H01L27/222 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/417 , H01L29/41725 , H01L29/47 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 본발명의일 실시예에따른상온작동스핀제어전자소자는, 기판상에위치하고, 제1 방향으로긴 형상을가지며, 제1 방향에수직인제2 방향으로절단된단면이삼각형인저차원나노구조를포함하는전송채널, 기판상에위치하고전송채널과교차되며, 전송채널의일부를덮는소스전극, 그리고기판상에서소스전극과이격되어위치하고, 전송채널과교차되며, 전송채널의일부를덮는드레인전극을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的室温下的旋转控制电子器件包括：低维纳米结构，其位于基板上并且在第一方向上具有长形形状，并且具有在垂直于第一方向的方向上切割的三角形横截面 源电极位于衬底上并与传输通道相交并覆盖传输通道的一部分，漏电极与衬底上的源电极间隔开并与传输通道相交并覆盖传输通道的一部分 的。
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