公开(公告)号：KR101783601B1

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：KR1020160035986

申请日：2016-03-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송진동 ,  조운조 ,  연규혁 ,  한일기 ,  최원준 ,  김준영

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44 ,  H01L33/38 ,  H01L33/48

Abstract: 본발명은발광소자및 발광소자패키지에관한것이다. 본발명에따른발광소자는, 지지기판; 상기지지기판상에형성된제1 도전성반도체층; 상기제1 도전성반도체층상에형성된활성층; 상기활성층상에형성된제2 도전성반도체층; 및상기제2 도전성반도체층상에형성된격자구조의광확산층;을포함한다.

公开(公告)号：KR1020170091071A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：KR1020170095244

申请日：2017-07-27

Applicant: 울산과학기술원 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 이기석 ,  백정민 ,  장민선 ,  백승협 ,  최원준

IPC: H01L35/02 ,  H01L35/34 ,  H01L35/28 ,  H01L35/14

CPC classification number: H01L35/02 ,  H01L35/14 ,  H01L35/28 ,  H01L35/34

Abstract: 본발명은스핀열전소자및 그제조방법에관한것으로서, YIG 재료를혼합하고, 졸-겔법에의해 YIG 파우더가형성되는단계; 상기 YIG 파우더를칼시네이션공정에의해 1차열처리하여결정화하는단계; 상기열처리된 YIG 파우더가프레싱공정에의해 YIG 필렛으로형성되는단계; 상기 YIG 필렛을신터링공정에의해 2차열처리하여자성특성을갖는열전층을제조하는단계; 및상기열전층상에전극층을형성하는단계;를포함하되, 상기 2차열처리하는단계에서, 상기 2차열처리온도는 1400℃로상기 1차열처리온도보다높은스핀열전소자의제조방법이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种自旋热电装置及其制造方法，其包括混合YIG材料并通过溶胶 - 凝胶法形成YIG粉末; 通过煅烧工艺的第一热处理使YIG粉末结晶; 经热处理的YIG粉末通过压制工艺形成YIG填充物; 通过烧结工序对YIG圆角进行二次热处理，由此制作具有磁特性的热电层; 并且在热电层上形成电极层，其中在第二热处理步骤中，第二热处理温度是比第一热处理温度高的1400℃。

公开(公告)号：KR1020160131591A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：KR1020150064372

申请日：2015-05-08

Applicant: 울산과학기술원 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 백정민 ,  이기석 ,  이혜진 ,  최원준 ,  김상현

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본발명에따른태양전지의비반사막제조방법은 (a) 준비된기판에 ZnS 및 Al을증착하여씨드층(Seed layer)을형성하는단계; (b) 씨드층 표면을표면처리하는단계; (c) ZnS와 Al층이증착된씨드층 표면에산화아연으로이루어진나노시트를형성하는단계; 및 (d) 씨드층 표면상부에형성된산화아연나노시트에 MgF를증착하는단계;를포함하여, 산화아연 Seed 층없이 ZnO 나노시트를성장할수 있는효과가있고, 산화아연나노시트에 MgF를증착하여태양전지의효율을증가시킬수 있는효과가있다.

公开(公告)号：KR1020160112150A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：KR1020150037305

申请日：2015-03-18

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  울산과학기술원

Inventor： 최원준 ,  백승협 ,  김상현 ,  백정민 ,  이기석

IPC: H02S10/30 ,  H01L35/02 ,  H01L31/04 ,  H01L31/054 ,  H02S40/22 ,  H01L35/32 ,  H01L35/14 ,  H01L31/0304 ,  H01L35/30

CPC classification number: Y02E10/52

Abstract: 본발명은집광형태양전지모듈과수평형열전모듈의결합을통해집광형태양전지모듈에인가되는열을수평형열전모듈에효과적으로전달함과함께수평형열전모듈에의한기전력발생을최대화하여집광형태양전지모듈과수평형열전모듈각각에의한전기에너지생산을향상시킬수 있는광전열전융합발전소자및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른광전열전융합발전소자는집광형태양전지모듈및 수평형열전모듈을포함하여이루어지며, 상기수평형열전모듈은, 기판과, 상기기판의중심부에구비되는열 흡수층과, 상기열 흡수층의둘레를따라구비되며, 상기기판상에원형또는다각형의띠 형태로배치되는복수의열전셀과, 상기기판의주변부에구비된히트싱크를포함하여구성되며, 상기집광형태양전지모듈은, 태양광을집광하는집광장치와, 상기집광장치에의해집광된태양광을광전변환하는태양전지를포함하여구성되며, 상기태양전지는상기열 흡수층상에구비되며, 상기태양전지의열은상기열 흡수층을매개로상기수평형열전모듈로수직확산되며, 상기수평형열전모듈로전달된열은수평형열전모듈의기판을따라수평확산되는것을특징으로한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种光电热融合发电元件及其制造方法。 光电热融合发电元件可以通过耦合收集型太阳能电池模块和水平热电模块，有效地将施加于集光型太阳能电池模块的热量传递给水平热电模块，并使水平热电产生的电动势最大化 模块，用于单独地通过集光型太阳能电池模块和水平热电模块来增强电能产生。 根据本发明，光电热融合发电元件包括​​集光型太阳能电池模块和水平热电模块。 水平热电模块包括：衬底; 布置在所述基板的中心的吸热层; 多个热电元件沿着吸热层的周边布置并且被布置在基板上的圆形或多边形条中; 以及布置在基板附近的散热器。 集光型太阳能电池模块包括：收集太阳光的光收集装置; 以及将由光采集装置收集的太阳光转换成光电能的太阳能电池。 太阳能电池布置在吸热层上。 太阳能电池的热量通过吸热层垂直扩散到水平热电模块。 传输到水平热电模块的热量沿着水平热电模块的衬底在水平方向上扩散。

公开(公告)号：KR1020130076983A

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：KR1020110145438

申请日：2011-12-29

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송진동 ,  김성일 ,  김영환 ,  한일기 ,  최원준

IPC: B08B1/04 ,  B08B11/04 ,  H01L31/042

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: PURPOSE: A self-cleaning device for a panel is provided to efficiently clean the panel with reduced personnel costs and energy consumption. CONSTITUTION: A self-cleaning device for a panel comprises a transparent film (11), a first roll (13), a second roll (17), and a control device. The transparent panel covers the front side of the panel. The first roller is formed in one of the panel and winds the transparent film. The control device controls to automatically replace the transparent film by rotating the first roll. The second roll is formed in the other side of the panel to collect the replaced transparent film.

Abstract translation: 目的：提供面板自清洁装置，以有效清洁面板，降低人员成本和能源消耗。 构成：用于面板的自清洁装置包括透明膜（11），第一辊（13），第二辊（17）和控制装置。 透明面板覆盖面板的前侧。 第一辊形成在面板中的一个中并卷绕透明膜。 控制装置控制通过旋转第一辊来自动地替换透明膜。 第二辊形成在面板的另一侧以收集替换的透明膜。

公开(公告)号：KR101021899B1

公开(公告)日：2011-03-18

申请号：KR1020090011125

申请日：2009-02-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송진동 ,  임주영 ,  최원준 ,  이정일 ,  한석희

IPC: H01L29/15 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 1×10
-9 torr이하의 초진공상태에서 반도체 기판상에 금속 및 비금속 원소를 주입하여, 기판의 밴드 갭보다 큰 밴드 갭을 갖는 반-양자구조물을 자발 형성하는 방법을 개시한다. 본 발명에 의하면, 기존의 양자구조와 전기적 특성을 반대로 하는 반-양자구조물을 별도의 식각공정 없이 자발 형성할 수 있으므로, 반-양자구조물의 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한 기판의 온도와 비금속 원소의 주입량을 변화시킴으로써, 반-양자구조물의 크기 및 형태와 밀도를 용이하게 조절할 수 있다. 따라서, 다양한 전기특성을 갖는 반-양자구조물을 제공할 수 있다.
자발 형성, 반-양자구조물, 밴드 갭, 화합물 반도체

公开(公告)号：KR1020080064291A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：KR1020070001026

申请日：2007-01-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송진동 ,  한일기 ,  최원준 ,  조운조 ,  이정일

IPC: H01S5/34 ,  H01S3/10

CPC classification number: H01S5/3407 ,  H01S3/1026 ,  H01S5/2013

Abstract: A semiconductor laser having narrow beam spreading is provided to reduce width of an output beam of the semiconductor laser, to improve optical coupling efficiency between the semiconductor laser and an optical fiber, and to perform a photo-excitation of a bio body without a microscope or a microlens. A semiconductor laser includes a board, a lower cladding layer, a lower quantum well active layer, a core layer, an upper quantum well active layer, and an upper cladding layer. A lower cladding layer(31a) is formed on the board. A lower quantum well active layer(32a) is formed on the lower cladding layer. A core layer(33) is formed on the lower quantum well active layer. An upper quantum well active layer(32b) is formed on the core layer. An upper cladding layer(31b) is formed on the upper quantum well active layer.

Abstract translation: 提供具有窄光束扩展的半导体激光器以减小半导体激光器的输出光束的宽度，以提高半导体激光器和光纤之间的光耦合效率，并且在没有显微镜的情况下执行生物体的光激发 微透镜 半导体激光器包括板，下包层，下量子阱有源层，芯层，上量子阱活性层和上包层。 在该板上形成下包层（31a）。 在下包层上形成下量子阱有源层（32a）。 在下量子阱活性层上形成芯层（33）。 在芯层上形成上量子阱活性层（32b）。 在上量子阱活性层上形成上覆层（31b）。

公开(公告)号：KR1020060082553A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：KR1020050003089

申请日：2005-01-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송진동 ,  최원준 ,  이정일

IPC: H01S5/125

CPC classification number: H01S5/183 ,  H01L33/105 ,  H01S2304/00 ,  H01S2304/02

Abstract: 본 발명은 대면적 제작시 균일한 품질을 보이며, 대량생산시 균일한 품질을 얻을 수 있는 디지털 합금 다원 화합물 반도체의 분산 브랙 반사경을 제공한다. 본 발명의 분산 브랙 반사경은 기판 및 상기 기판 상에 다층으로 적층된 단위 분산 브랙 반사경(DBR) 층을 포함하며, 상기 단위 DBR층이 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층/다원 반도체층 또는 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층/단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층의 다층 적층체로 이루어지고, 상기 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층이 다원 반도체의 제1 층과 상기 제1 층 상의 상이한 다원 반도체의 다층 적층체로 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 디지털 합금 분산 브랙 반사경은 기존의 일반 분산 브랙 반사경에 비해 대면적 제작시 균일한 품질을 보이며, 대량생산시 균일한 품질을 얻을 수 있다.
디지털 합금, 다원 화합물 반도체, 분산 브랙 반사경, 파장, 반사율, 굴절률

公开(公告)号：KR100545625B1

公开(公告)日：2006-01-24

申请号：KR1020030018348

申请日：2003-03-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 허두창 ,  한일기 ,  최원준 ,  박용주 ,  조운조 ,  송진동 ,  이정일

IPC: H01S3/0941

Abstract: 본 발명은 비대칭 SCH(Separate-Confinement Heterostructure) 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드는 InP를 기반으로 하여 InP-InGaAs-InGaAsP로 구성되어 있다. 반도체 레이저 다이오드는 p-클래딩층, p 형 제 1 및 제 2 SCH층들, 이러한 p 형 제 1 및 제 2 SCH층들 사이에 삽입되는 p-InP 삽입층, 레이저 빔을 방출하며 다수의 장벽층 및 다수의 우물층을 구비하는 활성층, n 형 제 1 및 제 2 SCH층들, n 형 제 1 SCH층 내에서 n 형 제 2 SCH층과의 경계면에 삽입되는 InGaAsP 삽입층, n-클래딩층을 포함하고 있다. 반도체 레이저 다이오드 제조 방법은 기판 상에 n-클래딩층을 형성하는 단계, n-클래딩층 상에 n 형 제 2 SCH층을 형성하는 단계, n 형 제 2 SCH층 상에 n 형 제 1 SCH층을 형성하는 단계, n 형 제 1 SCH층 상에 활성층을 형성하는 단계, 활성층 상에 p 형 제 1 SCH층을 형성하는 단계, p 형 제 1 SCH층 상에 p-InP 삽입층을 형성하는 단계, p-InP 삽입층 상에 p 형 제 2 SCH층을 형성하는 단계, p 형 제 2 SCH층 상에 p-클래딩층을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, n 형 제 1 SCH층의 형성시, InGaAsP 삽입층이 n 형 제 1 SCH층 내에 삽입된다.
레이저 다이오드, 대칭 SCH 구조, 비대칭 SCH 구조, 누설전류, 내부손실

公开(公告)号：KR100541305B1

公开(公告)日：2006-01-16

申请号：KR1020010088870

申请日：2001-12-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원준 ,  한일기 ,  박용주 ,  조운조 ,  김은규 ,  이정일 ,  신재철

IPC: H01L31/09

Abstract: 본 발명은 양자우물을 적외선 흡수층으로 사용하는 양자우물 적외선 검출소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 GaAs/AlGaAs 양자우물구조 기판을 생성하는 단계와, 상기 GaAs/AlGaAs 양자우물구조 기판 상부에 SiO
2 유전체를 소정의 두께로 도포하는 단계와, 상기 SiO
2 유전체가 도포된 GaAs/AlGaAs 양자우물구조 기판을 소정의 온도로 열처리하는 단계를 포함하는 양자우물 적외선 검출소자의 제조방법에 관한 것이다.
양자우물, 적외선 흡수층, 양자우물 적외선 검출소자, 양자우물 무질서화, 밴드갭