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公开(公告)号：KR1020090036281A
公开(公告)日：2009-04-14
申请号：KR1020070101363
申请日：2007-10-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B82B1/00 , H01L21/027 , B82Y25/00
CPC classification number: H01L21/0274 , B82B1/00 , B82Y25/00
Abstract: A magnetic-nanoparticles/magnetic-semiconductors hybrid type spin device is provided to diversify resistance of magnetic semiconductor by controlling an electron spin property according to a localized and uneven magnetic field. A magnetic-nanoparticles/magnetic-semiconductors hybrid type spin device comprises: a magnetic semi-conductor thin film formed on a substrate; a conductive channel(11) formed on the magnetic semi-conductor thin film; an insulating layer(12) formed on the conductive channel; an electrical connection terminal formed by removing some parts of the insulating layer; and a magnetic-nanoparticles array(13) formed on the conductive channel. The magnetic semi-conductor thin film represents a single crystal thin film which has thickness of 10-1000 nanometers and shows semiconductor and ferromagnetic characteristics.
Abstract translation: 提供磁 - 纳米颗粒/磁半混合型自旋装置，通过根据局部和不均匀的磁场控制电子自旋特性来使磁半导体的电阻分散。 磁性纳米颗粒/磁性半导体混合型自旋装置包括：形成在基板上的磁性半导体薄膜; 形成在所述磁性半导体薄膜上的导电沟道（11）; 形成在所述导电通道上的绝缘层（12） 通过去除所述绝缘层的一些部分而形成的电连接端子; 和形成在导电通道上的磁 - 纳米颗粒阵列（13）。 磁性半导体薄膜表示厚度为10-1000纳米的单晶薄膜，具有半导体和铁磁特性。
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公开(公告)号：KR100855105B1
公开(公告)日：2008-08-29
申请号：KR1020070058532
申请日：2007-06-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/105 , H01L29/82
CPC classification number: G11C11/16 , H01L29/20 , H01L29/66984
Abstract: A spin transistor using perpendicular magnetization is provided to easily miniaturize a spin transistor while enabling resistance adjustment caused by a gate by forming a ferromagnetic source/drain whose magnetization direction is perpendicular to the upper surface of a channel layer. A channel layer(7) is formed in a semiconductor substrate(10). A ferromagnetic source(22) and a ferromagnetic drain(23) are disposed on the semiconductor substrate, separated from each other and magnetized in a direction perpendicular to the upper surface of the channel layer. A gate(15) is formed on the semiconductor substrate between the source and the drain, adjusting the spin direction of electrons passing through the channel layer. Spin-polarized electrons are implanted from the source to the channel layer, and the implanted electrons pass through the channel layer and are implanted into the drain. When the electron passes through the channel layer, the spin of the electron processes according to the voltage of the gate by a spin-orbit coupling inducing magnetic field(14). The magnetization direction of the source and the drain is uniformly fixed during an on-and-off operation. In the source and the drain, a ferromagnetic thin film and a non-magnetic thin film can be stacked alternately and repeatedly in a direction perpendicular to the upper surface of the channel layer.
Abstract translation: 提供使用垂直磁化的自旋晶体管，以通过形成其磁化方向垂直于沟道层的上表面的铁磁源极/漏极实现由栅极引起的电阻调节，从而容易地使自旋晶体管小型化。 在半导体衬底（10）中形成沟道层（7）。 铁氧体源（22）和铁磁性漏极（23）设置在半导体衬底上，彼此分离并在与沟道层的上表面垂直的方向上磁化。 在源极和漏极之间的半导体衬底上形成栅极（15），调整通过沟道层的电子的自旋方向。 自旋极化电子从源极注入到沟道层，并且注入的电子通过沟道层并且被注入到漏极中。 当电子通过沟道层时，电子自旋根据栅极的电压通过自旋 - 轨道耦合诱导磁场进行处理（14）。 源极和漏极的磁化方向在开 - 关操作期间均匀地固定。 在源极和漏极中，铁磁薄膜和非磁性薄膜可以在与沟道层的上表面垂直的方向上交替重复堆叠。
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公开(公告)号：KR100704544B1
公开(公告)日：2007-04-09
申请号：KR1020050041684
申请日：2005-05-18
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 화합물 반도체 2차원 전자우물층과 강자성체로 구성되고, 자화방향에 따른 전위차를 이용한 비 휘발성 스핀 메모리 소자에 관한 것이다.
본 발명의 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자는 2차원 전자우물층에서 스핀분극을 이용하여 강자성체와의 접합을 통해 평행 또는 반평행에서 나타나는 전위차를 이용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 스핀분극에 의한 전위차를 이용한 자기 메모리 소자 제조방법은 화합물 반도체 기판 상에 2차원 전자우물층을 포함한 웨이퍼를 성장시키는 제1단계; 상기 결과물에 리쏘그래피(lithography) 공정과 이온밀링(ion-milling)을 이용하여 워드라인을 정의하는 2단계; 상기 결과물 상에서 상기 워드라인이 증착되지 않은 부분에 산화막을 증착하는 제3단계; 전자빔 리소그래피와 스퍼터를 이용하여 상기 워드라인 상에 강자성체를 증착하는 제4단계; 및 상기 결과물을 패터닝하여 Al이나 Au을 증착하고, 비트라인을 형성하는 제5단계;을 포함한다.
스핀분극 메모리 소자, 2차원 전자우물층, 전위차-
公开(公告)号：KR1020040021459A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：KR1020020053306
申请日：2002-09-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L43/00 , C30B29/38 , H01F10/193
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F1/404 , H01F10/193 , H01F10/3213 , H01F41/30 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L29/66984 , H01L33/40 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: PURPOSE: A room temperature operating ferromagnetic semiconductor fabricated by a PEMBE(Plasma-enhanced Molecular Beam Epitaxy) method and an electronic device using the same are provided to apply the magnetic semiconductor to a spin electron device by obtaining a characteristic of the magnetic semiconductor in the room temperature. CONSTITUTION: A room temperature operating ferromagnetic semiconductor fabricated by a PEMBE method includes a compound semiconductor of the third to the fifth group. The compound semiconductor is formed with one element A selected from Ga, Al, and In and one element B selected from N and P. The element A of the compound semiconductor is replaced by one element C selected from Mn, Mg, Co, Fe, Ni, Cr, and V. The Curie temperature of the room temperature operating magnetic semiconductor is more than the room temperature.
Abstract translation: 目的：提供通过PEMBE（等离子体增强分子束外延）方法制造的室温操作铁磁半导体和使用其的电子器件，以通过获得磁性半导体的特性，将磁性半导体施加到自旋电子器件 室内温度。 构成：通过PEMBE法制造的室温操作铁磁半导体包括第三至第五组的化合物半导体。 化合物半导体由选自Ga，Al和In的一种元素A和选自N和P的一种元素B形成。化合物半导体的元素A被选自Mn，Mg，Co，Fe， Ni，Cr和V.室温操作磁性半导体的居里温度大于室温。
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公开(公告)号：KR100284465B1
公开(公告)日：2001-03-02
申请号：KR1019980002663
申请日：1998-01-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01F1/059
Abstract: 본 발명은 조성식
Sm
x Fe
y B
z
(상기 식에서 x, y 및 z는 각각 원자 %로서,
24.0 ≤ x ≤ 57.8,
41.8 ≤ y ≤ 75.3,
0.4 ≤ z ≤ 0.7,
단, x + y + z = 100임)인 Sm-Fe-B계 거대 자기 변형 합금 박막에 관한 것으로서, 특히 본 발명에 따른 자기 변형 합금 박막은 낮은 인가 자기장에서도 높은 자기 변형치를 나타낸다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990080976A
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019980014602
申请日：1998-04-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/34
Abstract: 본 발명은 수십 MHz 이상의 고주파 영역에서 높은 포화자속밀도와 우수한 연자기 특성을 가지며 추가적인 열처리 공정 등을 거치지 않는 새로운 Fe-Hf-CN계 및 Fe-Hf-N계 재료 및 상기 재료의 제조방법을 제공하기 위해, 철계 연자성 박막의 증착 중에 형성되는 비정질화를 막고 조직을 결정화하기 위하여 입자의 에너지를 증가시킨다. 본 발명의 철계 연자성 박막합금의 조성은 다음과 같고 미세구조는 초미세결정립으로 이루어져 있으며 그 조성은 다음과 같다: Fe
x Hf
y C
z N
v ; 이때, x, y, z, v는 각각 원자 %로서, 68 ≤ x ≤ 85; 4 ≤ y ≤ 10; 0 ≤ z ≤ 12; 3 ≤ v≤ 20; 15 ≤ y + z + v ≤ 32; (단, x + y + z + v = 100). 또한, 순철, Fe-Hf계 합금, Fe-Hf-C계 합금 등에 Hf, Hf의 질화물 및 탄화물 그리고 C의 소편을 배치하여 불활성 가스 분위기나 C나 N을 함유하고 있는 분위기 하에서 나노(nano) 크기의 초미세 결정립 조직을 얻기 위해 냉각속도의 조절 또는 입자에너지를 조절하는 증착조건으로 전력의 양이 4~8W/㎠, N
2 분량은 2~20%이며 ([C]+[N])/[Hf]의 성분비를 1.5~2.5로 유지함으로써, 열처리 공정 없이 증착 상태에서 초미세 결정립 구조를 갖는 철계 연자성 박막합금의 제조방법을 제공한다.-
公开(公告)号：KR1019990066594A
公开(公告)日：1999-08-16
申请号：KR1019980002647
申请日：1998-01-31
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 두께가 약 1 내지 20μm인 실리콘 마이크로 구조물에 다음의 조성식,
Sm
x Fe
y
[이때, x,y는 원자%로서, 23≤x≤58, 42≤y≤77 (단, x+y=100)]
또는,
Sm
x Fe
y B
z
[이때, x,y,z는 원자%로서, 23≤x≤58, 42≤y≤77, 및 0.4≤z≤0.7 (단, x+y+z=100)]
으로 이루어진 거대 자기변형 합금 박막이 코팅되어 있는 자기변형 합금 박막 실리콘 마이크로 캔티레버에 대한 것으로서, 본 발명의 캔티레버는 낮은 자기장에서도 큰 변위를 갖는다.-
公开(公告)号：KR1019960004664B1
公开(公告)日：1996-04-11
申请号：KR1019930017669
申请日：1993-09-03
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01F1/00
Abstract: The soft magnetic thin film alloy for magnetic head comprises FexHfyCzNvOw, where x is 71-86; y is 5.5-10.5; z is 1-13; v is 1-13; w is 0-3; z+v+w are 7.5-18.5; x+y+z+v+w = 100. The alloy has high satd. magnetic flux density, high magnetic permeability, and high thermal durability in MHz band.
Abstract translation: 用于磁头的软磁薄膜合金包括FexHfyCzNvOw，其中x为71-86; y为5.5-10.5; z为1-13; v为1-13; w为0-3; z + v + w为7.5〜18.5; x + y + z + v + w = 100。 磁通密度，高磁导率和高频耐久性。
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公开(公告)号：KR101905069B1
公开(公告)日：2018-10-08
申请号：KR1020170098606
申请日：2017-08-03
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G01R33/1215 , G01R33/093 , H01L43/02 , H01L43/10
Abstract: 본발명은나노자성체의자화방향측정방법에관한것이다. 본발명에따른나노자성체의자화방향측정방법은, 스핀소자내 나노자성체(12, 13)의자화방향(D1, D2)을측정하는방법으로서, 스핀소자는, 기판(10) 상에형성되는전송채널(11), 전송채널(11) 상에형성되는소스전극(12), 및전송채널(11) 상에서소스전극(12)과이격되어형성되는드레인전극(13)을포함하고, 적어도두 축방향의외부자기장을인가하여각각의외부자기장에수직한평면상에서의소스전극(12) 및드레인전극(13)의자화방향(D1, D2)을측정하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR101568373B1
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：KR1020140057853
申请日：2014-05-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/22 , H01L29/82 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/122 , B82Y10/00 , H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/1025 , H01L29/1606 , H01L29/205 , H01L29/66984 , H01L29/82 , H01L43/08
Abstract: 본발명에따른스핀트랜지스터는, 스핀홀 효과를가지는재료로구성되어, 소정방향의스핀을가지는전자를연결부로전달하도록구성되어있는입력부, 및입력부로부터소정방향의스핀을가지는전자를전달받아, 게이트전극에인가되는게이트전압에따라소정방향의스핀을가지는전자를회전시켜출력부로전달하도록구성되어있는연결부를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明，自旋晶体管由具有旋转厅效应的材料构成。 旋转晶体管包括：输入单元，用于将电子沿预定方向转动到连接单元; 以及连接单元，用于接收从输入单元沿预定方向旋转的电子，使根据施加到栅电极的栅极电压在预定方向上旋转的电子旋转，并将电子转移到输出单元。
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