-
公开(公告)号：KR101213225B1
公开(公告)日：2012-12-17
申请号：KR1020090026876
申请日：2009-03-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본발명은상변화메모리소자를이용한비휘발성프로그래머블스위치소자에대한것으로, 이소자는제1 금속전극층, 상기제1 금속전극층상부에형성되며, 채널층및 상기채널층을사이에두고서로마주보는저저항의소스/드레인을포함하는반도체박막층, 상기반도체박막층의일부를노출하는포어영역을포함하며상기반도체박막층상에형성되는절연체박막층, 상기절연체박막층의상기포어영역을매립하는반응원료층, 상기반응원료층상부에형성된제2 금속전극층및 고상반응에의해상기반응원료층과상기반도체박막층이반응하여형성되는상변화동작층을포함한다. 따라서, 고상반응에의해형성되어메모리동작에필요한동작영역을최소화하여소비전력을줄이고, 통상의트랜지스터구조를그대로사용하여 LSI 제조과정에서의공정정합성을높일수 있을뿐만아니라, 상변화메모리소자의동작에있어서쓰기와읽기동작을용이하게분리할수 있는 4단자형소자구조를제공함으로써비휘발성프로그래머블스위치소자의소형화, 저소비전력화및 고신뢰성화에크게기여할수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020120106521A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：KR1020110069863
申请日：2011-07-14
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A flexible flat cable and a manufacturing method thereof are provided to minimize distortion and interference of signals by surrounding a wire core with shield coating layers made of metal components, and insulation coating layers made of parylene polymers. CONSTITUTION: A flexible flat cable(100) includes insulation coating layers(20) made of parylene polymers and shield coating layers(30) made of metal components surrounding a wire core(10). The insulation coating layer increases insulation properties between the wire cores. The insulation coating layer reduces an RC delay of a signal. The shield coating layer shields electromagnetic waves between the wire cores. The flexible flat cable maximizes the transfer efficiency of the wire core.
Abstract translation: 目的：提供柔性扁平电缆及其制造方法，以通过围绕具有由金属部件制成的屏蔽涂层的线芯和由聚对二甲苯聚合物制成的绝缘涂层来最小化信号的变形和干扰。 构成：柔性扁平电缆（100）包括由聚对二甲苯聚合物制成的绝缘涂层（20）和围绕线芯（10）的金属组件制成的屏蔽涂层（30）。 绝缘涂层增加了导线芯之间的绝缘性能。 绝缘涂层降低了信号的RC延迟。 屏蔽涂层屏蔽线芯之间的电磁波。 柔性扁平电缆使线芯的传输效率最大化。
-
公开(公告)号：KR101020683B1
公开(公告)日：2011-03-11
申请号：KR1020100102476
申请日：2010-10-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 비휘발성 메모리 소자에 관한 것으로, 상 변화 메모리 소자의 제조 방법은, (a) 기판 상에 제 1 반응층을 형성하는 단계; (b) 상기 제 1 반응층 상부의 일부를 노출시키는 컨택 홀이 형성되도록 상기 제 1 반응층을 덮는 절연층을 형성하는 단계; (c) 상기 컨택 홀을 매립하는 제 2 반응층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층을 이루는 물질 간의 고상 반응을 일으킴으로써 상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층 사이에 상 변화층을 생성하는 단계를 포함한다. 따라서, 낮은 전력 소모를 가지며 동작 속도가 빠른 상 변화 메모리 소자를 제공할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种非易失性存储器件，该方法包括：（a）在衬底上形成第一反应层; （b）形成覆盖第一反应层的绝缘层，以形成暴露第一反应层的上部的一部分的接触孔; （c）形成填充接触孔的第二反应层; 并且（d）通过在第一反应层和第二反应层之间引起固相反应而在第一反应层和第二反应层之间产生相变反应。 因此，可以提供具有低功耗和高操作速度的相变存储器件。
-
公开(公告)号：KR1020110010535A
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：KR1020090113221
申请日：2009-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/30
Abstract: PURPOSE: An organic thin film transistor is provided to improve an electrical property by decreasing a driving voltage and a threshold voltage. CONSTITUTION: A source electrode and a drain electrode are formed on a substrate(110). An active layer(140) is formed between the source electrode and the drain electrode. An organic insulating layer(150) is arranged between the source electrode and, the drain electrode, and the active layer. A gate electrode controls the active layer. The organic insulating layer is arranged between the active layer and the gate electrode.
Abstract translation: 目的：提供有机薄膜晶体管，以通过降低驱动电压和阈值电压来改善电性能。 构成：源电极和漏电极形成在基板（110）上。 在源电极和漏电极之间形成有源层（140）。 有机绝缘层（150）设置在源电极和漏电极与有源层之间。 栅电极控制有源层。 有机绝缘层设置在有源层和栅电极之间。
-
公开(公告)号：KR1020100037284A
公开(公告)日：2010-04-09
申请号：KR1020080096529
申请日：2008-10-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/1226 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , G11C13/0004 , H01L21/31144 , H01L21/67069 , H01L45/143
Abstract: PURPOSE: A non-volatile programmable switch device using a phase-change memory device and a method for manufacturing the same are provided to reduce the power consumption of the switch device using heating due to the resistance of a phase-change material in order to perform a memory operation. CONSTITUTION: A first metal electrode layer(12) is formed on a substrate(10). A plurality of lead-in regions is electrically connected to the terminal of the first metal electrode layer on the substrate. A phase-change material layer(14) includes a channel region which is arranged between the lead-in regions and which is a self-heating type channel structure. An insulation layer is formed on the first metal electrode layer and the phase-change material layer. A via-hole is formed on the upper side of the first metal electrode layer. A second metal electrode layer(20) buries the via-hole.
Abstract translation: 目的：提供使用相变存储器件的非易失性可编程开关器件及其制造方法，以便由于相变材料的电阻而使用加热来切换开关器件的功耗以便执行 一个记忆操作。 构成：在基板（10）上形成第一金属电极层（12）。 多个导入区域电连接到基板上的第一金属电极层的端子。 相变材料层（14）包括布置在引入区域之间并且是自加热型沟道结构的沟道区域。 在第一金属电极层和相变材料层上形成绝缘层。 在第一金属电极层的上侧形成通孔。 第二金属电极层（20）埋设通孔。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090122095A
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：KR1020080063418
申请日：2008-07-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: PURPOSE: A phase change memory and a manufacturing method thereof are provided to reduce power consumption of a memory device by minimizing the heat loss by the thermal conductivity of a metal electrode. CONSTITUTION: A phase change memory device includes a substrate(10), a first metal electrode layer(12), a phase change material layer(14), an insulation layer, a via hole, and a second metal electrode layer(20). A plurality of first metal electrode layers are formed on the substrate. The phase change material layer is formed between the first metal electrode layers on the substrate. The phase change material layer is comprised of a self heating channel structure. The insulation layer is formed on the first metal electrode layers and the phase change material layers. The via hole is formed on the first metal electrode layers. The second metal electrode layer fills the via hole.
Abstract translation: 目的：提供一种相变存储器及其制造方法，通过使金属电极的导热率的热损失最小化来降低存储器件的功耗。 一种相变存储器件，包括：衬底（10），第一金属电极层（12），相变材料层（14），绝缘层，通孔和第二金属电极层（20）。 在基板上形成多个第一金属电极层。 相变材料层形成在基板上的第一金属电极层之间。 相变材料层由自加热通道结构组成。 绝缘层形成在第一金属电极层和相变材料层上。 通孔形成在第一金属电极层上。 第二金属电极层填充通孔。
-
公开(公告)号：KR100912822B1
公开(公告)日：2009-08-18
申请号：KR1020070119623
申请日：2007-11-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
Abstract: 본 발명의 고체 전해질 메모리 소자는 기판 상에 형성된 제1 전극층과, 제1 전극층 상에 은(Ag)-안티몬(Sb)-텔레륨(Te)-질소(N) 합금 또는 구리(Cu)--안티몬-텔레륨-질소 합금으로 구성된 고체 전해질층과, 고체 전해질층 상에 형성된 제2 전극층을 포함하여 이루어진다. 고체 전해질층을 구성하는 은-안티몬-텔레륨-질소 합금은 은(Ag) 15-90 원자(atomic)%, 안티몬(Sb) 4-30 원자(atomic)%, 텔레륨(Te) 5-30 원자(atomic)% 및 질소 1-25(atomic)%의 조성을 가진다. 고체 전해질층을 구성하는 구리-안티몬-텔레륨-질소 합금은 구리 15-90 원자(atomic)%, 안티몬 4-30 원자(atomic)%, 텔레륨 5-30 원자(atomic)% 및 질소 1-25(atomic)%의 조성을 가진다.
-
-
公开(公告)号：KR1020160096766A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：KR1020150018038
申请日：2015-02-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H05K1/0283 , H01B5/14 , G03F7/00 , H01B13/00
Abstract: 본발명은신축성투명전극에관한것으로, 굴곡진표면을갖는제 1 기판, 상기굴곡진표면을컨포말하게덮어, 굴곡진상부를갖는제 1 도전막, 상기제 1 도전막을컨포말하게덮어, 굴곡진상부를갖는제 2 도전막, 및상기제 2 도전막을덮는제 2 기판을포함하되, 상기제 1 도전막과상기제 2 도전막중 하나는금속막이고, 다른하나는그래핀막일수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种可拉伸透明电极，包括：具有弯曲表面的第一基底; 通过保形地覆盖弯曲表面的具有弯曲顶部的第一导电膜; 具有弯曲顶部的第二导电膜，其通过第一导电膜保形地覆盖; 以及用于覆盖第二导电膜的第二基板，其中第一和第二导电膜中的一个可以是金属膜，另一个可以是石墨烯膜。
-
公开(公告)号：KR1020150061159A
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：KR1020130144635
申请日：2013-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/311 , G09F9/301 , H01L29/66477 , H01L51/0023 , H01L51/0055 , H01L51/0525 , H01L51/102 , H05K1/0283 , H05K1/0333 , H05K1/16 , H05K3/0017 , H05K3/007 , H05K2201/0133 , H05K2201/0162 , H05K2201/09036 , H05K2201/09045 , H05K2201/10166 , H05K2201/2009 , H05K2203/308 , H01L21/0273
Abstract: 본발명의일 실시예에따른전자회로의제조방법은기판을준비하는것, 상기기판상에고분자막을형성하는것, 상기고분자막을패터닝하여고분자패턴을형성하는것, 및상기고분자패턴상에전자소자를형성하는것을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的电子电路的制造方法包括：制备基板; 在基板上形成高分子膜; 通过图案化高分子膜形成高分子图案; 并在高分子图案上形成电子器件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
75
records
(took 0.027 seconds)
