公开(公告)号：KR100315419B1

公开(公告)日：2001-11-26

申请号：KR1019990061211

申请日：1999-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 민유홍 ,  이명현 ,  편광의

IPC: G02F1/1343

Abstract: 코플라나진행파형전극구조를사용하여저손실, 넓은대역폭을구현하고광변조기의광삽입손실, 동작전압및 직류드리프트를줄이는데적합한초고속폴리머광변조기및 그제조방법에관한것으로, 이를위한본 발명의초고속폴리머광변조기의제조방법은마하-젠더간섭계구조의채널광도파로와진행파형코플라나전극을포함하고, 폴리머다층박막을식각하여채널광도파로를형성하는제 1 단계, 상기채널광도파로와진행파형코플라나전극이교차하는경계면에상기코플라나전극이광도파로상부를지나도록경사면을형성하는제 2 단계, 상기채널광도파로좌우를반응성이온식각법으로식각하고내부에전기도금으로상기진행파형코플라나전극을형성하는제 3 단계를포함하여이루어진다.

公开(公告)号：KR1020010027717A

公开(公告)日：2001-04-06

申请号：KR1019990039599

申请日：1999-09-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김제하 ,  박찬용 ,  편광의

IPC: H01L31/10

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G02F1/01708

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an optical modulator of an ultra-high speed semiconductor is to provide a superior modulation characteristic, by simultaneously reducing contact resistance and capacitance which are a cause decreasing a characteristic of the optical modulator. CONSTITUTION: An n-type optical waveguide layer(22), an optical absorbing layer(23), a p-type optical waveguide layer(24), a p-type clad layer(25) and a p-type ohmic contact layer(26) are sequentially formed on a substrate(21) to make a ridge structure. The p-type ohmic contact layer is etched to have a width of W1. The n-type optical waveguide layer, the optical absorbing layer, the p-type optical waveguide layer, the p-type clad layer and the p-type ohmic contact layer are vertically etched to have a width of W2. The optical absorbing layer is laterally etched to have a width of W3 narrower than W1.

Abstract translation: 目的：制造超高速半导体光调制器的方法是通过同时降低导致光调制器的特性降低的接触电阻和电容来提供优异的调制特性。 构成：n型光波导层（22），光吸收层（23），p型光波导层（24），p型覆层（25）和p型欧姆接触层 26）依次形成在基板（21）上以形成脊状结构。 蚀刻p型欧姆接触层以具有W1的宽度。 垂直蚀刻n型光波导层，光吸收层，p型光波导层，p型覆层和p型欧姆接触层，使其宽度为W2。 光学吸收层被横向蚀刻以具有窄于W1的W3宽度。

公开(公告)号：KR1020010011142A

公开(公告)日：2001-02-15

申请号：KR1019990030379

申请日：1999-07-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오대곤 ,  편광의

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A gain-coupled type of single mode semiconductor laser is provided to minimize an optic loss and simplify the manufacturing process. CONSTITUTION: In a method of making a semiconductor laser having a diffracting grating, a silicon nitride film or a silicon oxide film is formed as the diffracting grating on the first epitaxial layer. The second epitaxial layer is developed on the whole surface on which the silicon nitride film or the silicon oxide film was formed. In a gain-coupled type of single mode semiconductor laser, an active layer(22) and the first clad layer(23) are applied sequently on the substrate(21). a diffracting grating (24) of a silicon nitride or a silicon oxide is formed on the first clad layer. The second clad layer(25) and a resistive electrode contact layer(26) are applied sequently over the diffracting grating layer.

Abstract translation: 目的：提供增益耦合型单模半导体激光器，以最大限度地减少光损耗并简化制造过程。 构成：在制造具有衍射光栅的半导体激光器的方法中，在第一外延层上形成氮化硅膜或氧化硅膜作为衍射光栅。 第二外延层在其上形成有氮化硅膜或氧化硅膜的整个表面上显影。 在增益耦合型单模半导体激光器中，有源层（22）和第一覆层（23）依次施加在衬底（21）上。 在第一包层上形成氮化硅或氧化硅的衍射光栅（24）。 第二覆盖层（25）和电阻电极接触层（26）依次施加在衍射光栅层上。

公开(公告)号：KR1020010004465A

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019990025142

申请日：1999-06-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오대곤 ,  남은수 ,  편광의

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a gain-combined single mode semiconductor laser is provided to manufacture a single mode laser light source by epi-layer growth once. CONSTITUTION: A method for manufacturing a gain-combined with single mode semiconductor laser has following steps. An active layer(12) is formed on a substrate(13). The active layer(12) has a quantum wire(8) structure. A clad layer(11) is formed is formed on the active layer(12). A resistive electrode contact layer(10) is formed on the clad layer. A stripe electrode is formed in order to generate laser-resonator in a perpendicular direction to the quantum wire(8) on the resistive electrode contact layer(10), thereby manufacture a single mode laser light source by one crystal growth.

Abstract translation: 目的：提供一种制造增益组合单模半导体激光器的方法，通过外延生长一次制造单模激光光源。 构成：用于制造增益组合单模半导体激光器的方法具有以下步骤。 在衬底（13）上形成有源层（12）。 活性层（12）具有量子线（8）结构。 在活性层（12）上形成包覆层（11）。 在包层上形成电阻电极接触层（10）。 形成带状电极以便在与电阻电极接触层（10）上的量子线（8）垂直的方向上产生激光谐振器，从而通过一个晶体生长制造单模激光光源。

公开(公告)号：KR100249846B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019970069506

申请日：1997-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이재진 ,  김민건 ,  편광의

IPC: H01L21/027

Abstract: 화합물 반도체 소자 또는 단일칩 마이크로웨이브 집적회로를 제작할 때 이용되는 에피택셜 기판 구조가 개시된다. 본 발명은 기판 위에 제일 먼저 질화 알루미늄을 수천 옹스트롱에서 1마이크로 미터 두께까지 성장한 후, 원하는 에피택셜 층을 성장한 것으로 삽입 된 질화알루미늄 층은 소자 동작시 방열 판의 역할을 하도록 하여 소자가 안정적으로 동작하게 함은 물론 제조 공정을 줄여서 생산 원가를 낮추는 효과를 보는 데 있다.

公开(公告)号：KR100249801B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019970070303

申请日：1997-12-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 맹성재 ,  박철순 ,  편광의

IPC: H03G3/00

Abstract: 본 발명은 마이크로웨이브 전력증폭기용 셀 구조에 관한 것으로, 종래에는 전력증폭기용 셀을 측정한 후 설계시에 안정도를 위한 회로를 삽입하는데 측정중에 발진이 일어나 셀이 죽거나 정확한 측정이 어렵게 된다. 또한 높은 출력을 얻기 위하여 셀들을 병렬로 결합하게 되는데 종래의 방법은 입력 및 출력 신호 경로가 결합된 셀들간에 차이가 있어 주파수가 밀리미터에 이르면 위상 왜곡이 심하게 된다. 이에 본 발명은 셀 구조를 개선하여 입력 및 출력의 신호 경로를 각각 같게 하여 위상 왜곡을 방지하였고, 입력측에 안정도를 위하여 저항을 삽입하여 마이크로웨이브 측정에서 나타나는 발진을 막도록 하여 측정이 용이하며 마이크로웨이브 전력증폭기의 설계가 용이하게 하였다.

公开(公告)号：KR100243650B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019960069819

申请日：1996-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박병선 ,  이진희 ,  윤형섭 ,  박철순 ,  편광의

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명은 HEMT 등 고속 소자에 사용되는 T형 게이트 형성에 관한 것으로, 기판 상에 더미 레지스트를 도포하는 단계; 상기 더미 레지스트를 현상하여, T-형 게이트가 형성될 영역에 고립된 더미 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 고립된 더미 레지스트 패턴 및 상기 기판 상에 실리콘 산화막을 증착하는 단계; 상기 실리콘 산화막의 상부에 형상 반전 레지스트를 도포하는 단계; 및 현상 공정에 의해 상기 형상 반전 레지스트의 자체 현상 및 상기 실리콘 산화막의 에치백 및 상기 고립된 더미 레지스트 패턴을 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100218687B1

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：KR1019960056397

申请日：1996-11-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김충환 ,  문재경 ,  김해천 ,  이재진 ,  편광의

IPC: H01L29/76

Abstract: 본 발명은 갈륨비소(GaAs) 메스펙트(MESFET)의 소스-드레인 단 저항 측정 값의 보상 방법에 관한 것으로, 특히 전체 게이트 전류 성분에서 열이온 방출(thermionic emission)에 의한 전류 성분만을 추출 한 다음 열이온 방출에 의한 성분만으로 소스 및 드레인 저항을 따로 측정하고, 계산 시에는 이상 계수(ideality factor)를 열이온 방출 값으로 대입하여 구하는 저항 값 계산의 보상 방법에 관해 개시된다.

公开(公告)号：KR100216592B1

公开(公告)日：1999-08-16

申请号：KR1019960069818

申请日：1996-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이진희 ,  박병선 ,  윤형섭 ,  박철순 ,  편광의

IPC: H01L21/335

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
다중게이트의 제조방법
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
좁은 간격의 다중 게이트 전극을 가지는 소자를 제어성 좋게 제조할 수 있도록 하기 위함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
리소그라피 공정의 도입과 추가의 공정을 이용하여 다중게이트의 공정을 간단하게 행할 수 있다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자 제조

公开(公告)号：KR100211985B1

公开(公告)日：1999-08-02

申请号：KR1019960064195

申请日：1996-12-11

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이상환 ,  황남 ,  송민규 ,  이희태 ,  편광의

IPC: G02B6/35

CPC classification number: G02B6/122 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/4224 ,  G02B6/4232 ,  G02B6/4249 ,  G02B2006/12104

Abstract: 본 발명은 하이브리드 광집적회로 장치에서 광섬유 또는 광도파로로부터 기판 표면과 평행하게 방출된 빛을 기판 표면 위로 굴절시켜 표면실장법으로 기판에 부착된 평면수광형 광검출기의 활성영역으로 입사시키는 마이크로 거울, 그의 제조방법과, 마이크로 거울과 광검출기를 일체화한 마이크로 거울-광검출기 어셈블리,및 마이크로 거울-광검출기 어셈블리를 하이브리드 기판 상의 광도파로와 정렬시켜 부착하여 구성한 광수신용 하이브리드 광집적회로 어셈블리에 관한 것이다.
본 발명에 따른 마이크로 거울(20)은, 하이브리드 광집적회로의 광경로 변환용 거울에 있어서, 실리콘 기판의 일측 중앙부에, 거울면(21)으로의 역할을 하는 경사면을 구비한 브이홈(22)이 형성된 것을 특징으로 하며, 상기한 마이크로 거울 장치(20)위에 포토다이오드 등의 광검출기를 부착시켜 마이크로 거울 - 광검출기 어셈블리가 구성되고, 상기한 마이크로 거울-광검출기 어셈블리를 또 다른 기판 상의 광도파로 맞은 편에 부착시켜 상기한 광도파로에서 기판 표면과 평행하게 방출된 빛이 상기한 장치의 거울면에서 기판 위로 반사되어 광검출기에 입사되게 형성함으로써, 본 발명의 광수신용 하이브리드 광집적회로 어셈블리가 구성된다.