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公开(公告)号：KR101997138B1
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：KR1020177018525
申请日：2015-12-04
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01B32/186 , C01B32/194 , C01B32/23 , H01M4/1315 , H01M4/139 , H01M4/66 , H01M4/86 , A61L27/56
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公开(公告)号：KR101790541B1
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：KR1020160014561
申请日：2016-02-05
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은자외선또는청색의여기원에의해여기되어적색계파장을발광하는, 주석(Sn) 또는비스무트(Bi)가도핑된 금속질화물적색형광체및 이형광체를발광소자로응용하는것에관한것이다. 본발명의금속질화물형광체는발광다이오드, 레이저다이오드, 면발광레이저다이오드, 무기일렉트로루미네센스소자, 유기일렉트로루미네센스소자와같은발광소자에유용하게적용될 수있다.
Abstract translation: 本发明涉及施加到锡（Sn），或铋（Bi）的金属氮化物的红色荧光体，以及光通过发光元件壳体释放平，发射红光波长通过紫外线或蓝色的激发源激发。 本发明的金属氮化物荧光体，可以有效地应用于发光元件，如发光二极管，激光二极管，表面发光激光二极管，无机电致发光元件，有机电致发光元件。
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公开(公告)号：KR1020170093322A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：KR1020160014561
申请日：2016-02-05
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은자외선또는청색의여기원에의해여기되어적색계파장을발광하는, 주석(Sn) 또는비스무트(Bi)가도핑된 금속질화물적색형광체및 이형광체를발광소자로응용하는것에관한것이다. 본발명의금속질화물형광체는발광다이오드, 레이저다이오드, 면발광레이저다이오드, 무기일렉트로루미네센스소자, 유기일렉트로루미네센스소자와같은발광소자에유용하게적용될 수있다.
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公开(公告)号：KR1020170085137A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：KR1020177018525
申请日：2015-12-04
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01B32/182 , A61L27/56
CPC classification number: A61L27/56 , C01B32/186 , C01B32/20 , C01B32/23 , C01B2204/20 , H01M4/13 , H01M4/1315 , H01M4/139 , H01M4/663 , H01M4/8615 , Y02E60/13 , C01B32/182 , C01B32/194
Abstract: 본발명은그래핀의화학반응투명성을이용하는방법에관한것으로, 더욱상세하게는전자전달을방해하지않으면서산소의확산을막는그래핀을활용함으로써그래핀표면에서촉매반응에의해원하는물질을형성시킬수 있는방법및 이의응용방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明是涉及一种使用化学反应，销，更具体的透明度的方法，而没有与所述电子传输干扰停止西山牛扩散是通过利用销是在sikilsu形成通过在销表面的催化反应所期望的材料 及其应用方法。
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公开(公告)号：KR101325212B1
公开(公告)日：2013-11-04
申请号：KR1020100116840
申请日：2010-11-23
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소나노튜브 전극에 관한 것으로, 상세하게는 절연성 재질의 기판 상부로 바닥전극을 형성하는 단계（단계 1); 상기 단계 1의 바닥전극 상부로 촉매층을 형성하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 촉매층이 형성된 기판에 탄소 나노튜브를 성장시키는 단계(단계 3)를 포함하는 탄소 나노튜브 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소 나노튜브 전극을 제공한다.
본 발명의 탄소나노튜브 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소나노튜브 전극은 전극을 광기능기가 달린 폴리머 레진을 열화시켜 제조함으로써 고가의 금속 및 증착과정이 필요하지 않은 효과가 있으며, 탄소 나노튜브를 성장시켰을 때 탄소 나노튜브와 우수한 접촉저항 특성을 갖는 효과가 있다. 또한 본 발명의 탄소나노튜브 전극은 우수한 전기화학적 특성 및 우수한 접촉저항 특성을 가지며 이에 따라 고감도 전기화학센서, 연료전지 및 전자빔원등에 적용 가능한 효과가 있다.-
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公开(公告)号：KR101069590B1
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：KR1020110057658
申请日：2011-06-14
Applicant: 한국화학연구원 , 광운대학교 산학협력단
IPC: C12N15/115 , C12Q1/68 , C07H21/04
Abstract: 본발명은 CEA에특이적으로결합하는단일가닥 DNA를포함하는압타머에관한것이다. 본발명에서 CEA에특이적으로결합하는단일가닥 DNA는서열번호 1 내지서열번호 3의단일가닥 DNA 가이루는 3차원구조가 CEA와의특이적인결합을달성하게하는것으로생각된다. 본발명의 DNA 압타머를이용하는바이오센서는 DNA 서열로이루어져단백질서열로이루어진종래의진단시약에비해활성을장기간유지할수 있고, 열등의환경조건에도변하지않아안정적으로장기간보관할수 있다.
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27.发明公开탄소나노튜브 트랜지스터 어레이에 미생물 유도형 마이크로플루이딕 채널이 접합된 미생물 검출센서, 그의 제조방법 및 이를 이용한 미생물 검출방법 有权使用与嵌入式MYCROFLICIC通道结合的碳纳米管阵列的微生物检测传感器及其检测微生物的方法
公开(公告)号：KR1020100107087A
公开(公告)日：2010-10-05
申请号：KR1020090025166
申请日：2009-03-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: PURPOSE: A microorganism detection sensor is provided to induce arrangement of target microorganism to the surface of carbon nanotube and to improve sensitivity. CONSTITUTION: A microorganism detection sensor comprises: a gate formed on a silicon substrate(1); a metal source electrode(3) at one side of the gate; a metal drain electrode(3') at the opposite side of the gate; a carbon nanotube transistor array(10); a recognizing material which specifically binds to microorganism on the surface of the carbon nanotube; and microfluidic channel(5). A method for manufacturing microorganism detection sensor comprises: a step of forming a carbon nanotube transistor array comprising the metal source electrode, metal drain electrode, and gate; a step of fixing the fixing material on the surface of the carbon nanotube; a step of attaching the recognizing material which specifically binds to the microorganism; and a step of conjugating the microfluidic channel to the carbon nanotube transistor array.
Abstract translation: 目的：提供微生物检测传感器，以诱导目标微生物排列到碳纳米管表面，提高敏感性。 构成：微生物检测传感器包括：形成在硅衬底（1）上的栅极; 栅极一侧的金属源电极（3）; 在栅极的相对侧的金属漏电极（3'）; 碳纳米管晶体管阵列（10）; 与碳纳米管表面上的微生物特异性结合的识别材料; 和微流体通道（5）。 微生物检测传感器的制造方法包括：形成由金属源电极，金属漏电极和栅极构成的碳纳米管晶体管阵列的工序; 将固定材料固定在碳纳米管的表面上的步骤; 附着特异性结合微生物的识别材料的步骤; 以及将微流体通道与碳纳米管晶体管阵列共轭的步骤。
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公开(公告)号：KR100979463B1
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：KR1020070129232
申请日：2007-12-12
Applicant: 한국화학연구원
IPC: G01N33/532 , G01N33/53 , G01N33/68
Abstract: 본 발명은 니켈 결합 양자점을 이용한 히스티딘 표지 단백질의 검출방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 카르복실기를 가지는 양자점을 제조하고, 이 표면에 니켈을 처리하여 세포 독성이 낮고 발광 효율이 좋은 양자점을 제조하여 양자점에 커플링 되어 있는 니켈이 특이 단백질에 표지된 히스티딘을 찾아 결합함으로써 단백질을 검출하는 방법에 관한 것이다.
또한, 이러한 결합은 원하는 특정 단백질을 세포 또는 생체에서 특이적 결합하여 단백질의 이동 경로뿐만 아니라 이미징을 관찰하는 데 용이하다.
니켈, 양자점, 히스티딘, 단백질, 검출방법-
公开(公告)号：KR100930997B1
公开(公告)日：2009-12-10
申请号：KR1020080006535
申请日：2008-01-22
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: H01L51/0048 , B82Y10/00 , H01L51/0545
Abstract: 본 발명의 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법은 소스 전극과 드레인 전극 사이에 탄소나노튜브 채널이 형성되어 있으며, 상기 탄소나노튜브 채널 일측에 게이트 전극이 형성되어 있는 탄소나노튜브 트랜지스터를 제조하는 방법으로서, a) 기판상에 상기 탄소나노튜브 채널을 형성하는 단계; b) 상기 탄소나노튜브 채널의 양단에 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 전기적으로 각각 연결하는 단계; 및 c) 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 스트레스 전압을 인가하여, 상기 탄소나노튜브 채널 내 금속성을 제거하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법에 의하면, 트랜지스터 소자 내에서 채널로 이용되며, 금속성과 반도체성이 혼재되어 있는 탄소나노튜브에서 금속성 부분을 선택적으로 제거할 수 있다.
탄소나노튜브Abstract translation: 本发明涉及一种制造碳纳米管晶体管的方法，其中在源电极和漏电极之间形成碳纳米管沟道并且在碳纳米管沟道的一侧形成栅电极，所述方法包括以下步骤： ：（a）在基板上形成碳纳米管沟道; （b）将源电极和漏电极分别电连接到碳纳米管沟道的两端; 和（c）在所述源电极和所述漏电极之间施加应力电压以去除所述碳纳米管沟道的金属性。 根据本发明的制造碳纳米管晶体管的方法，可以从用作晶体管的沟道的碳纳米管中选择性地去除金属部分，并且具有彼此混合的金属特性和半导体特性。
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公开(公告)号：KR100869152B1
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：KR1020070041154
申请日：2007-04-27
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명의 탄소 나노튜브 반도체 소자 제조 방법은 기판상에 탄소 나노튜브가 형성될 위치에 탄소 나노튜브 성장을 촉진시키는 촉매를 도입하는 단계; 상기 촉매 처리된 상기 기판의 상기 위치에 상기 탄소 나노튜브를 형성하는 단계; 및 상기 탄소 나노튜브에 표면 개질제를 처리하여 상기 탄소 나노튜브에서 금속성을 제거하는 단계;를 포함 한다.
본 발명의 탄소 나노튜브 반도체 소자의 제조 방법을 이용하면, 성장되어 형성된 탄소 나노튜브에서 금속성을 제거하여 반도체성만을 가지게 함으로써 탄소 나노튜브를 반도체 소자의 채널로 적합하게 이용할 수 있다.
탄소 나노 튜브
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