公开(公告)号：DE112018003652T5

公开(公告)日：2020-04-23

申请号：DE112018003652

申请日：2018-09-11

Applicant: IBM

Inventor： LEE YUN SEOG ,  BEDELL STEPHEN ,  DE SOUZA JOEL PEREIRA ,  SADANA DEVENDRA

IPC: H01M4/139

Abstract: Es werden Verfahren zur Bildung von wiederaufladbaren Batterien mit einer hohen Kapazität und einem hohen Leistungsvermögen bereitgestellt, indem ein wiederaufladbarer Batteriestapel gebildet wird, der eine Struktur aus einem abgeblätterten Material aufweist, die ein abgeblättertes Kathodenmaterial umfasst, das an einem Stressormaterial angebracht ist. Das abgeblätterte Kathodenmaterial kann ein einkristallines oder ein polykristallines Kathodenmaterial umfassen, das frei von polymeren Bindemitteln ist. Das Stressormaterial dient als ein Kathodenstromkollektor des wiederaufladbaren Batteriestapels.

公开(公告)号：DE102016205000A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：DE102016205000

申请日：2016-03-24

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN ,  CHENG CHENG-WEI ,  LI NING ,  SADANA DEVENDRA ,  SAENGER KATHERINE

IPC: H01L21/304

Abstract: Verfahren zum Durchführen von Spalling eines Halbleitersubstrats, bei dem eine Ablöse-Schicht zwischen einem Handhabungssubstrat und einer Stressor-Schicht verwendet wird. Die Ablöse-Schicht wird unter Verwendung einer Flüssigkeit entfernt, die das durch ein Spalling erhaltene Halbleitersubstrat nicht schädigt.

公开(公告)号：GB2492439B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：GB201206930

申请日：2012-04-20

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  SADANA DEVENDRA

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/762

Abstract: A method cleaving a semiconductor material that includes providing a germanium substrate having a germanium and tin alloy layer is present therein. A stressor layer is deposited on a surface of the germanium substrate. A stress from the stressor layer is applied to the germanium substrate, in which the stress cleaves the germanium substrate to provide a cleaved surface. The cleaved surface of the germanium substrate is then selective to the germanium and tin alloy layer of the germanium substrate. In another embodiment, the germanium and tin alloy layer may function as a fracture plane during a spalling method.

公开(公告)号：GB2495828A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：GB201218439

申请日：2012-10-15

Applicant: IBM

Inventor： SHAHRJERDI DAVOOD ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  BEDELL STEPHEN ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHIDI GHAVAM G

IPC: H01L31/0725 ,  H01L31/076 ,  H01L31/18

Abstract: A multi-junction III-V photovoltaic device includes a top cell 10 comprised of at least one III-V compound semiconductor material and a bottom cell 16 in contact with a surface of the top cell. The bottom cell includes a germanium-containing layer 18 in contact with the top cell, an intrinsic hydrogenated silicon-containing layer 20 in contact with a surface of the germanium-containing layer, and a doped hydrogenated silicon-containing layer 22 in contact with a surface of the intrinsic hydrogenated silicon-containing layer. The silicon-containing layers, which may be multilayers and can include one or both of germanium and carbon in different proportions, can be amorphous, nano/micro-crystalline, poly-crystalline or single-crystalline. They provide a back surface field (BSF) structure to the germanium bottom cell to enhance the open circuit voltage of the device. A metallic grid including a plurality of metal fingers 14 and patterned antireflective coatings 12 is located on an upper surface of the top cell 10 and a transparent conductive contact 24 is located on the bottom surface of the bottom cell 16.

公开(公告)号：GB2494014A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：GB201209766

申请日：2012-06-01

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN ,  LIU XIAO HU ,  FOGEL KEITH ,  LAURO PAUL ,  SADANA DEVENDRA

IPC: H01L31/18

Abstract: A spalling method includes depositing a stressor layer (5) on surface of a base substrate, and contacting the stressor layer with a planar transfer surface (15). The planar transfer surface is then traversed along a plane that is parallel to and having a vertical offset from the upper surface of the base substrate (10). The cleaved film (11) peels away from the base substrate and transfers to the planar transfer surface. The fixed distance of the vertical offset provides a uniform spalling force. Rather than using a planar transfer surface a transfer roller (30) can also be used. The roller has a curvature which is equal to the equilibrium curvature of the spalled material. There may also be an adhesive layer between the stressor layer and base substrate. The base substrate may be a semiconductor.

公开(公告)号：DE112019002427B4

公开(公告)日：2025-02-06

申请号：DE112019002427

申请日：2019-06-18

Applicant: IBM

Inventor： DE SOUZA JOEL PEREIRA ,  COLLINS JOHN ,  SADANA DEVENDRA ,  BEDELL STEPHEN ,  OTT JOHN ,  HOPSTAKEN MARINUS JOHANNES PETRUS

IPC: H01M10/052 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/38 ,  H01M10/056

Abstract: Batterie, aufweisend:eine Lithium enthaltende Kathodenmaterialschicht;eine Anodenstruktur von einheitlicher Konstruktion, und welche eine nicht-poröse Zone und eine poröse Zone umfasst, die eine obere poröse Schicht mit einer ersten Dicke und einer ersten Porosität und eine untere poröse Schicht aufweist, die unterhalb der oberen porösen Schicht angeordnet ist und eine Grenzfläche mit der nicht-porösen Zone bildet, wobei zumindest ein oberer Abschnitt der nicht-porösen Zone und die Gesamtheit der porösen Zone aus Silicium aufgebaut sind und wobei die untere poröse Schicht eine zweite Dicke aufweist, die größer als die erste Dicke ist, und eine zweite Porosität aufweist, die größer als die erste Porosität ist; undeine Elektrolytzone, welche zwischen der oberen porösen Schicht der Anodenstruktur und der Lithium enthaltenden Kathodenmaterialschicht angeordnet ist.

公开(公告)号：DE112021001159T5

公开(公告)日：2022-12-01

申请号：DE112021001159

申请日：2021-02-17

Applicant: IBM

Inventor： LI NING ,  KIM WANKI ,  BEDELL STEPHEN ,  SADANA DEVENDRA

IPC: G11C13/00

Abstract: Eine Vorrichtung enthält ein analoges Phasenänderungsspeicher-Array, das ein Array von Zellen enthält, die durch erste Leitungen und zweite Leitungen adressierbar sind und auf die über diese zugegriffen werden kann. Die Vorrichtung enthält eine oder mehrere Einheiten, die mit der einen oder mehreren ersten Leitungen verbunden sind. Die eine oder mehreren Einheiten können mit der einen oder mehreren ersten Leitungen verbunden oder von diesen getrennt werden, um die Widerstandsdrift des Phasenänderungsspeichers mindestens einer der Zellen in der einen oder mehreren ersten Leitungen zu kompensieren. Die Vorrichtung kann auch eine Steuerschaltung enthalten, die zum Senden eines identischen Einstellimpulses unter Verwendung der ersten Leitungen und zweiten Leitungen einmal während jedes Zeitraums nacheinander durch die eine oder mehreren Einheiten zu mehreren einzelnen Phasenänderungsspeicher-Widerständen in dem Phasenänderungsspeicher-Array konfiguriert ist.

公开(公告)号：DE112020005252T5

公开(公告)日：2022-07-21

申请号：DE112020005252

申请日：2020-11-20

Applicant: IBM

Inventor： LI NING ,  DE SOUZA JOEL ,  BEDELL STEPHEN ,  SADANA DEVENDRA

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  H01L27/24

Abstract: Eine untere Elektrode (110) wird auf ein Substrat (105) abgeschieden. Eine Schicht aus dielektrischem Material (115) wird auf die untere Elektrode (110) abgeschieden. In der Schicht aus dielektrischem Material (115) wird ein Loch erzeugt. Eine ablösbare Schicht (116) wird auf die Schicht aus dielektrischem Material (115) aufgeschleudert und gebrannt. Eine Photoresistschicht (117) wird auf die ablösbare Schicht (116) aufgeschleudert und gebrannt. UV-Lithographie wird durchgeführt, um eine Öffnung über dem Loch in der Schicht aus dielektrischem Material (115) zu bilden. Eine Ag-Schicht (120) wird auf der verbleibenden strukturierten Schicht aus dielektrischem Material und der Photoresistschicht (117) abgeschieden. Eine Germanium-Antimon-Tellurid(GST)-Schicht (130) wird auf die Ag-Schicht (120) abgeschieden. Eine obere Elektrode (140) wird auf die GST-Schicht (130) abgeschieden. Die Ag-Schicht (120), die GST-Schicht (130) und die obere Elektrode (140), die auf der Photoresistschicht (117) angeordnet sind, werden zusammen mit der Photoresistschicht (117) und der ablösbaren Schicht (116) entfernt.

公开(公告)号：DE112020001916T5

公开(公告)日：2022-01-13

申请号：DE112020001916

申请日：2020-06-15

Applicant: IBM

Inventor： HOLMES STEVEN ,  SADANA DEVENDRA ,  BEDELL STEPHEN

IPC: A61B5/00 ,  A61B5/291 ,  A61B5/383 ,  A61N1/05 ,  G01N21/49 ,  G01N21/55 ,  G01S17/02

Abstract: Ein Verfahren enthält ein Implantieren eines implantierbaren Biosensors innerhalb eines Probanden, wobei der implantierbare Biosensor eine Anordnung von Lichtquellen und eine Anordnung von Lichtdetektoren besitzt, um Lichtsignale auf eine Zielgewebestelle in dem Probanden zu richten, ein Erfassen mit den Lichtdetektoren der Lichtsignale, die von der Zielstelle reflektiert werden, ein Berechnen einer Umlaufausbreitungszeit für jedes der Lichtsignale und ein Vergleichen der Umlaufausbreitungszeit für jedes der Lichtsignale mit vorherigen berechneten jeweiligen Umlaufausbreitungszeiten, um ein Auftreten einer Änderung an der Zielgewebestelle zu bestimmen.

公开(公告)号：GB2521517B

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：GB201418871

申请日：2014-10-23

Applicant: IBM

Inventor： BAYRAM CAN ,  SADANA DEVENDRA ,  BEDELL STEPHEN ,  OTT JOHN ,  FOGEL KEITH

IPC: H01L31/18

Abstract: A spall releasing plane is formed embedded within a Group III nitride material layer. The spall releasing plane includes a material that has a different strain, a different structure and a different composition compared with the Group III nitride material portions that provide the Group III nitride material layer and embed the spall releasing plane. The spall releasing plane provides a weakened material plane region within the Group III nitride material layer which during a subsequently performed spalling process can be used to release one of the portions of Group III nitride material from the original Group III nitride material layer. In particular, during the spalling process crack initiation and propagation occurs within the spall releasing plane embedded within the original Group III nitride material layer.