公开(公告)号：DE112011102203T5

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：DE112011102203

申请日：2011-06-08

Applicant: IBM

Inventor： HAGLEITNER CHRISTOPH ,  SEBASTIAN ABU ,  DESPONT MICHEL ,  POZIDIS CHARALAMPOS

IPC: H01H59/00 ,  H01H47/00

Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf eine elektromechanische Schaltereinheit (100, 200), die einen ersten Schalterteil (111, 112, 211, 212), einen zweiten Schalterteil (121, 122, 220) und eine Aktoreinheit (130, 230) aufweist. Die Aktoreinheit (130, 230) ist so ausgebildet, dass sie eine Betätigungskraft bereitstellt, wodurch sie den ersten und den zweiten Schalterteil (111, 112, 121, 122, 211, 212, 220) relativ zueinander betätigt, um von einem getrennten in einen verbundenen Zustand zu wechseln. Die Aktoreinheit (130, 230) ist ferner so ausgebildet, dass sie die Betätigungskraft, zumindest wenn sich der erste und der zweite Schalterteil (111, 112, 121, 122, 211, 212, 220) im verbundenen Zustand befinden, mit einer Modulation beaufschlagt. Die Erfindung bezieht sich ferner auf ein Verfahren zum Betätigen einer elektromechanischen Schaltereinheit (100, 200).

公开(公告)号：GB2494603A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：GB201300361

申请日：2011-06-08

Applicant: IBM

Inventor： DESPONT MICHEL ,  SEBASTIAN ABU ,  HAGLEITNER CHRISTOPH ,  POZIDIS CHARALAMPOS

IPC: H01H59/00 ,  H01H1/00 ,  H01H47/00

Abstract: The invention relates to an electromechanical switch device (100, 200), comprising a first switch portion (111, 112, 211, 212), a second switch portion (121, 122, 220) and an actuator device (130, 230). The actuator device (130, 230) is configured to provide an actuation force, thereby actuating the first and second switch portion (111, 112, 121, 122, 211, 212, 220) relative to each other in order to change from a disconnected to a connected state. The actuator device (130, 230) is further configured to provide the actuation force with a modulation at least when the first and second switch portion (111, 112, 121, 122, 211, 212, 220) are in the connected state. The invention furthermore relates to a method of operating an electromechanical switch device (100, 200).

公开(公告)号：SG11202110345XA

公开(公告)日：2021-10-28

申请号：SG11202110345X

申请日：2020-05-12

Applicant: IBM

Inventor： LE GALLO-BOURDEAU MANUEL ,  KHADDAM-ALJAMEH RIDUAN ,  KULL LUKAS ,  FRANCESE PIER ANDREA ,  TOIFL THOMAS ,  SEBASTIAN ABU ,  ELEFTHERIOU EVANGELOS STAVROS

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/08

Abstract: Methods and apparatus are provided for training an artificial neural network having a succession of neuron layers with interposed synaptic layers each having a respective set of N-bit fixed-point weights {w} for weighting signals propagated between its adjacent neuron layers, via an iterative cycle of signal propagation and weight-update calculation operations. Such a method includes, for each synaptic layer, storing a plurality p of the least-significant bits of each N-bit weight w in digital memory, and storing the next n-bit portion of each weight w in an analog multiply-accumulate unit comprising an array of digital memory elements. Each digital memory element comprises n binary memory cells for storing respective bits of the n-bit portion of a weight, where n≥1 and (p+n+m)=N where m≥0 corresponds to a defined number of most-significant zero bits in weights of the synaptic layer.

公开(公告)号：DE112018003783T5

公开(公告)日：2020-04-23

申请号：DE112018003783

申请日：2018-09-13

Applicant: IBM ,  RWTH AACHEN

Inventor： KOELMANS WABE ,  SEBASTIAN ABU ,  JONNALAGADDA VARA ,  SALINGA MARTIN ,  KERSTING BENEDIKT

IPC: G11C11/56 ,  H10B99/00

Abstract: Die Erfindung betrifft insbesondere eine resistive Arbeitsspeichereinheit, die eine Steuereinheit zum Steuern der resistiven Arbeitsspeichereinheit und eine Mehrzahl von Arbeitsspeicherzellen aufweist. Die Mehrzahl von Arbeitsspeicherzellen enthält einen ersten Anschluss, einen zweiten Anschluss und ein Phasenänderungssegment, das ein Phasenänderungsmaterial zum Speichern von Informationen in einer Mehrzahl von Widerstandszuständen aufweist. Das Phasenänderungssegment ist zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss angeordnet. Das Phasenänderungsmaterial besteht aus Antimon. Ferner ist mindestens eine der Abmessungen des Phasenänderungssegments kleiner als 15 Nanometer. Weitere Umsetzungen der resistiven Arbeitsspeichereinheit umfassen ein zugehöriges Verfahren, eine zugehörige Steuereinheit, eine zugehörige Arbeitsspeicherzelle und ein dazugehöriges Computerprogrammprodukt.

公开(公告)号：DE112016002943T5

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：DE112016002943

申请日：2016-06-08

Applicant: IBM

Inventor： ELEFTHERIOU EVANGELOS STAVROS ,  LE GALLO MANUEL ,  PANTAZI ANGELIKI ,  SEBASTIAN ABU ,  TUMA TOMAS

IPC: G06N3/04

Abstract: Eine neuromorphe Verarbeitungseinheit hat einen Einheiteneingang zum Empfangen eines Eingangsdatensignals und eine Anordnung von Neuronenschaltkreisen. Jeder Neuronenschaltkreis weist eine resistive Speicherzelle auf, die so angeordnet ist, dass sie einen durch den Zellenwiderstand angezeigten Neuronenzustand speichern und Neuroneneingangssignale zum Programmieren des Zellenwiderstands empfangen kann, um den Neuronenzustand zu ändern, und einen Neuronenausgangsschaltkreis, um in Reaktion darauf, dass der Zellenwiderstand einen Schwellenwert überschreitet, ein Neuronenausgangssignal zu liefern. Die Einheit enthält einen Eingangssignalgenerator, der mit dem Einheiteneingang und der Anordnung von Neuronenschaltkreisen verbunden ist, um in Abhängigkeit vom Eingangsdatensignal Neuroneneingangssignale für die Anordnung zu erzeugen. Des Weiteren enthält die Einheit einen Ausgangsschaltkreis der Einheit, der mit Neuronenausgangsschaltkreisen der Anordnung verbunden ist, um ein Einheitenausgangssignal zu erzeugen, das von Neuronenausgangssignalen der Anordnung abhängig ist, wobei die Verarbeitungseinheit die Stochastizität von resistiven Speicherzellen der Einheit nutzt.

公开(公告)号：DE112015003992T5

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：DE112015003992

申请日：2015-10-13

Applicant: IBM

Inventor： ELEFTHERIOU EVANGELOS STAVROS ,  PANTAZI ANGELIKI ,  SEBASTIAN ABU ,  TUMA TOMAS

IPC: G06N3/10

Abstract: Eine neuromorphe Synapse 11 weist eine resistive Speicherzelle 15 auf, die sich in einer Schaltungsanordnung mit einem ersten und einem zweiten Eingangsanschluss 21, 22 befindet. Diese Eingangsanschlüsse 21, 22 empfangen jeweils Prä-Neuron- und Post-Neuron-Aktionssignale, von denen jedes im Betrieb einen Leseteil und einen Schreibteil aufweist. Die Schaltungsanordnung hat außerdem einen Ausgangsanschluss 23 zum Bereitstellen eines synaptischen Ausgangssignals, das von einem Widerstand der Speicherzelle 15 abhängig ist. Die Schaltungsanordnung ist funktionsmäßig in der Lage, in Reaktion auf ein Anlegen des Leseteils des Prä-Neuron-Aktionssignals an den ersten Eingangsanschluss 21 das synaptische Ausgangssignal am Ausgangsanschluss 23 bereitzustellen und in Reaktion auf ein gleichzeitiges Anlegen der Schreibteile der Prä-Neuron- und Post-Neuron-Aktionssignale an den ersten bzw. zweiten Eingangsanschluss 21, 22 ein Programmiersignal zum Programmieren eines Widerstands der Speicherzelle 15 an die Zelle 15 anzulegen. Die Synapse 11 kann für einen Betrieb mit identischen Prä-Neuron- und Post-Neuron-Aktionssignalen ausgelegt werden.

公开(公告)号：GB2515568A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：GB201311671

申请日：2013-06-28

Applicant: IBM

Inventor： ELEFTHERIOU EVANGELOS STAVROS ,  KREBS DANIEL ,  SEBASTIAN ABU

IPC: G11C13/00 ,  G11C13/02 ,  H01L45/00

Abstract: Resistive random-access memory RRAM cells 10 are provided for storing information in a plurality of programmable cell states. An electrically-insulating matrix 11 is located between first electrodes 12 and second electrodes 3 such that an electrically-conductive path 14, can be formed within the matrix on application of a write voltage to the electrodes and which extends in a direction between the electrodes. The programmable cell states correspond to respective configurations of the conductive path in the matrix. An electrically conductive component 15 extends in a direction between the electrodes and is also in contact with the insulating matrix, and runs parallel with the electrically insulating matrix 11. The arrangement is such that the resistance presented by the electrically conductive component to a cell current produced by a read voltage, applied to the electrodes to read the programmed cell state, is at least that of the conductive path, and at most about that of the insulating matrix, in any of said cell states. The conductive component may form a sheath surrounding the electrically insulating matrix (figure 5), and may be tapered being narrower towards one of the electrodes (figure 14, 15). The conductive path may occupy at least 10% of the thickness of the insulating matrix perpendicular to a direction between the electrodes. The electrically insulating matrix may be elongate and may comprise of a nanowire. Another embodiment including a two state RRAM cell is included which are connected antiserially (Figure 19). Other embodiments use an annulus around a core member (figures 22 /23). A method of use is also included.

公开(公告)号：GB2510339A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：GB201301621

申请日：2013-01-30

Applicant: IBM

Inventor： PAPANDREOU NIKOLAOS ,  POZIDIS CHARALAMPOS ,  SEBASTIAN ABU

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/56

Abstract: A method and apparatus for read measurement or data sensing a plurality N of resistive memory cells, having a plurality K of programmable levels (figures 2-4), including applying a first read voltage to each of the N memory cells and measuring a first read current, (101 figure 1). A further step (102 figure 1) is executed to determine a respective second read voltage based on the first read current measured at the memory cell and a target read current determined for the memory cell for each of the N memory cells. A subsequent step (103 figure 1) involves applying the respective determined second read voltage to the memory cell for obtaining a second read current for each of the N memory cells. The second read voltage may be determined such that the second read current is constant for all memory cells programmed with the same level or may have one respective target current for each of the K programmed levels. The target currents may be determined as the level means of the first read currents, as blind estimations or may involve the use of a number of identical reference cells. The method may also include data mapping of read currents to the respective cells. The apparatus for measurement includes a voltage generator 13 for applying a bias to the bit line connected to the resistive memory, a current detector 14 for measuring the current through the resistive memory device 11 and a measurement controller 15 all of which may be computerised.

公开(公告)号：GB2498943A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：GB201201593

申请日：2012-01-31

Applicant: IBM ,  ETH ZUERICH

Inventor： PANTAZI ANGELIKI ,  SEBASTIAN ABU ,  TUMA TOMAS ,  LYGEROS JOHN

IPC: G01D18/00 ,  G01D5/244 ,  G05B19/4103 ,  G06Q10/04

Abstract: The invention relates to a method for evaluating a trajectory function to be followed by a physical system. The applications relates to operational research, robotics, scanning or imaging where, for example, a trajectory has to be defined for scanning in an optical manner. The method comprises providing the trajectory function and then determining a set of sampling points by sampling a trajectory based on the trajectory function in the time domain. The method also provides for a cell to be associated with each of the sampling points and then assessing at least one cell metric for each of the cells. Aggregating of the at least one cell metric of the cells is done to obtain an aggregated metric measure and then the trajectory is evaluated as determined by the provided trajectory function depending on the one or more aggregated metric measures.

公开(公告)号：GB2496822A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：GB201304453

申请日：2011-08-26

Applicant: IBM

Inventor： ELEFTHERIOU EVANGELOS ,  PANTAZI ANGELIKI ,  PAPANDREOU NIKOLAOS ,  POZIDIS CHARALAMPOS ,  SEBASTIAN ABU

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  H01L45/00

Abstract: Methods and apparatus are provided for determining the state of a phase-change memory cell. A plurality of measurements are made on the cell, the measurements being dependent on the sub-threshold current-versus-voltage characteristic of the cell. The measurements are processed to obtain a metric which is dependent on the slope of the sub- threshold current-versus-voltage characteristic. The state of the cell is then determined in dependence on this metric which, unlike absolute cell resistance,is substantially unaffected by drift.