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公开(公告)号：DE102010064381A1
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：DE102010064381
申请日：2010-12-30
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KAUTZSCH THORALF , MUELLER MARCO , MEINHOLD DIRK , ROSAM BEN , ELIAN KLAUS , KOLB STEFAN
Abstract: Ein Verfahren zum Bereitstellen eines Drucksensorsubstrats weist das Erzeugen eines ersten Hohlraums, der sich innerhalb des Substrats in einer ersten Richtung senkrecht zu einer Hauptoberfläche des Substrats erstreckt und der sich innerhalb des Substrats erstreckt, in einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung, in einen ersten Lüftungsbereich des Substrats; das Erzeugen eines zweiten Hohlraums, der sich in der ersten Richtung innerhalb des Substrats erstreckt, der sich parallel zu dem ersten Hohlraum in der zweiten Richtung erstreckt und der sich nicht in den ersten Lüftungsbereich erstreckt; und das Öffnen des ersten Hohlraums in den ersten Lüftungsbereich auf.
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公开(公告)号：DE59914408D1
公开(公告)日：2007-08-23
申请号：DE59914408
申请日：1999-08-20
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： WERNER WOLFGANG , KOLB STEFAN
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公开(公告)号：DE102005047414A1
公开(公告)日：2006-08-24
申请号：DE102005047414
申请日：2005-10-04
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KOLB STEFAN , PRUEGL KLEMENS , ZIMMER JUERGEN
Abstract: The method involves electrically connecting a structured metal support with a semiconductor circuit arrangement integrated in a semiconductor substrate of a connection arrangement. A magneto resistive sensor structure (110) is attached on a surface of an insulation material (108b) of the support. An electrical connection between the structure and the support is formed such that the structure is connected with the circuit arrangement. An independent claim is also included for a magneto-resistive sensor module including a connection arrangement made from semiconductor substrate.
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公开(公告)号：DE10100438B4
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：DE10100438
申请日：2001-01-08
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： RUEB MICHAEL , WERNER WOLFGANG , KOLB STEFAN
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公开(公告)号：DE10224790B4
公开(公告)日：2004-10-21
申请号：DE10224790
申请日：2002-06-04
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： WERNER WOLFGANG , KOLB STEFAN
IPC: G01P15/12 , G01P15/125 , G01P15/09
Abstract: An acceleration sensor includes a deflectable pressure measuring diaphragm and a counter-structure, which is deflectable as against the pressure measuring diaphragm. The acceleration sensor includes a detection means for detecting a deflection of the pressure measuring diaphragm as against the counter-structure. Further, a test mass is connected to the pressure measuring diaphragm or the counter-structure in order to be deflected from an idle position depending on an acceleration applied. The deflection of the test mass results in a change of the distance between the pressure measuring diaphragm and the counter-structure, which is detectable by the detection means.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE10224790A1
公开(公告)日：2004-01-08
申请号：DE10224790
申请日：2002-06-04
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： WERNER WOLFGANG , KOLB STEFAN
IPC: G01P15/12 , G01P15/125 , G01P15/09
Abstract: An acceleration sensor includes a deflectable pressure measuring diaphragm and a counter-structure, which is deflectable as against the pressure measuring diaphragm. The acceleration sensor includes a detection means for detecting a deflection of the pressure measuring diaphragm as against the counter-structure. Further, a test mass is connected to the pressure measuring diaphragm or the counter-structure in order to be deflected from an idle position depending on an acceleration applied. The deflection of the test mass results in a change of the distance between the pressure measuring diaphragm and the counter-structure, which is detectable by the detection means.
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公开(公告)号：DE59800621D1
公开(公告)日：2001-05-17
申请号：DE59800621
申请日：1998-01-05
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： MUELLER KARLHEINZ , KOLB STEFAN
IPC: G01P15/125 , B81B3/00 , B81C1/00 , G01P15/08 , H01L21/306
Abstract: The invention relates to a micromechanical semiconductor array comprising a membrane (7) formed inside a hollow space (9). The membrane (7) is configured by a crystalline layer inside the substrate (1) or inside an epitaxial layer sequence of the semiconductor array placed inside a substrate (1). The membrane (1) is placed on the edge segment on a support (6) and covered by a covering layer (4) held on a counter-support (5). The support (6), the counter-support (5) and the membrane are all made of materials with different etching rates in relation to a predetermined wet-chemical etching agent and preferably consist of materials with different doping.
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公开(公告)号：DE102016205024B4
公开(公告)日：2022-07-14
申请号：DE102016205024
申请日：2016-03-24
Applicant: FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： DEHE ALFONS , HUBER JOCHEN , JOST FRANZ , KOLB STEFAN , THEUSS HORST , WIEDMEIER WILHELM , WÖLLENSTEIN JÜRGEN
Abstract: Gassensor (5) umfassend:ein Sensorelement (10), das eine MEMS-Membran (25) aufweist, wobei die MEMS-Membran (25) einen mikromechanischen kapazitiven Sensor formt und in einem Substratstapel mit einer Mehrzahl von gestapelten Substratbereichen angeordnet ist;eine Messkammer (15), die ausgebildet ist, ein Messgas (50) aufzunehmen; undein Strahlerelement (20), das in einem weiteren Substratstapel mit einer Mehrzahl von gestapelten Substratbereichen angeordnet ist und das als mikroelektromechanischer Emitter ausgebildet ist, um elektromagnetische Strahlung (55) abzustrahlen, wobei die elektromagnetische Strahlung (55) einen Strahlungsweg (60) durchläuft, der ausgehend von dem Strahlerelement (20) die Messkammer (15) aufweist;wobei der Substratstapel mit dem Strahlerelement (20) und der weitere Substratstapel mit dem Sensorelement (10) feststehend zueinander und lateral benachbart oder in Dickenrichtung gestapelt angeordnet sind, wobei die Substratstapel als Waferstapel verschiedener Wafer ausgebildet sind.
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29.发明专利
公开(公告)号：DE102020120259A1
公开(公告)日：2022-02-03
申请号：DE102020120259
申请日：2020-07-31
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ELIAN KLAUS , EBERL MATTHIAS , KOLB STEFAN , SCHALLER RAINER MARKUS
Abstract: Ein Gas- oder Druck-Sensormodul (100) umfasst ein erstes Substrat (10), einen oder mehrere auf einer Hauptoberfläche des ersten Substrats (10) ausgebildete Elektronenemitter (20), ein zweites Substrat (30), und ein erstes Beschleunigungsgitter (40), welches zwischen den Elektronenemittern (20) und dem zweiten Substrat (30) angeordnet ist, wobei dem ersten Substrat (10), dem zweiten Substrat (30) und dem Beschleunigungsgitter (40) elektrische Potentiale zuführbar sind, und wobei das Sensormodul (100) für die Aufnahme von einem oder mehreren Gasen in einem räumlichen Bereich zwischen den Elektronenemittern (20) und dem zweiten Substrat (30) ausgebildet ist.
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公开(公告)号：DE102017128526A1
公开(公告)日：2019-06-06
申请号：DE102017128526
申请日：2017-12-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： EBERL MATTHIAS , JOST FRANZ , KOLB STEFAN
Abstract: Ein Beispiel eines Systems (100) umfasst ein mit einem Gas (110 )gefülltes Volumen (102), eine Gasanregeeinrichtung (104), die dazu ausgebildet ist, das Gas (110) innerhalb des Volumens (102) anzuregen, ein Mikrofon (106), das dazu ausgebildet ist, ein Mikrofonsignal in Abhängigkeit von dem durch die Gasanregeeinrichtung (104) angeregten Gas (110) auszugeben und eine Prüfeinheit (108), die dazu ausgebildet ist, basierend auf dem Mikrofonsignal eine Gasdichtheit des Volumens (102) zu prüfen. Ein Beispiel eines photoakustischen Sensors (400) umfasst eine hermetisch abgeschlossene Sensorzelle (402), eine Gasanregeeinrichtung (411) und eine Prüfeinheit (416), die dazu ausgebildet ist, basierend auf dem von dem thermisch angeregten Gas (404) abhängigen Mikrofonsignal eine Gasdichtheit der Sensorzelle (402) zu prüfen. Ein Beispiel umfasst ein Verfahren (500) zum Prüfen einer Gasdichtheit eines mit einem Gas gefüllten Volumens.
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