公开(公告)号：DE102012109177A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：DE102012109177

申请日：2012-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIRSCHERL GEORG ,  WEGLEITER WALTER ,  CASSIGNOL CAROLINE ,  WEIDNER KARL

IPC: H01L33/44 ,  C08G61/10 ,  H01L25/075 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, das ein Trägerelement (1) aufweist, auf dem ein optoelektronischer Halbleiterchip (2) mit zumindest einer aktiven Schicht angeordnet ist, wobei die aktive Schicht dazu eingerichtet ist, im Betrieb Licht abzustrahlen oder zu empfangen und wobei der Halbleiterchip (2) mit einer Schutzschicht (3) bedeckt ist, die Parylene aufweist.

公开(公告)号：DE102012109236A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：DE102012109236

申请日：2012-09-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KRAEUTER GETRUD ,  WINDISCH REINER ,  DIRSCHERL GEORG ,  GALLMEIER HANS-CHRISTOPH

IPC: H01L21/66 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren (200) zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes (500) bereitgestellt, das Verfahren (200) aufweisend: Ausbilden (202) einer optisch funktionalen Schicht (318) im Lichtweg wenigstens einer optoelektronischen Bauelemente-Einheit (302), wobei die wenigstens eine optoelektronische Bauelemente-Einheit (302) elektromagnetische Strahlung aufnimmt und/oder bereitstellt, wobei die optisch funktionale Schicht (318) die optoelektronischen Eigenschaften der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung verändert, die von der wenigstens einen optoelektronischen Bauelemente-Einheit (302) aufgenommen oder bereitgestellt wird; Freilegen (204) wenigstens eines Kontaktpads (404), das elektrisch mit wenigstens einer optoelektronischen Bauelemente-Einheit (302) verbunden ist; Messen (206) wenigstens einer optoelektronischen Eigenschaft der wenigstens einen optoelektronischen Bauelemente-Einheit (302) mit optisch funktionaler Schicht (318), wobei das Messen (206) der wenigstens einen optoelektronischen Eigenschaft ein elektrisches Kontaktieren des wenigstens einen freigelegten Kontaktpads (404) aufweist; Bearbeiten (208) wenigstens einer optischen Eigenschaft der optisch funktionalen Schicht (318) derart, dass die wenigstens eine gemessene optoelektronische Eigenschaft der wenigstens einen optoelektronischen Bauelemente-Einheit (302) mit optisch funktionaler Schicht (318) zu einer optoelektronischen Zieleigenschaft hin verändert wird.

公开(公告)号：DE102016117885A1

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：DE102016117885

申请日：2016-09-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIRSCHERL GEORG ,  ADAM MARCUS ,  KICKELBICK GUIDO

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/50

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Auskoppelelements (9) für ein optoelektronisches Bauelement (100) mit den Schritten: A) Bereitstellen von Quantenpunkten (7) mit jeweils einem Kern (71) aus einem Halbleitermaterial, B) Aufbringen einer anorganischen oder einer phosphonathaltigen Ligandenhülle (72) auf den jeweiligen Kern (71) der Quantenpunkte (7), C) Einbringen der Quantenpunkte (7) mit der Ligandenhülle (72) in ein Matrixmaterial (8), wobei die Einbringbarkeit der Quantenpunkte (7) mit Ligandenhülle (72) verglichen mit den im Schritt A) erzeugten Quantenpunkten (7) erleichtert ist, und wobei das Auskoppelelement (9) transparent für Strahlung aus dem roten und/oder IR-Bereich ist.

公开(公告)号：DE102016105582A1

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：DE102016105582

申请日：2016-03-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  DIRSCHERL GEORG

IPC: H01L33/60

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit den Schritten: A) Bereitstellen eines Substrats (1), B) Aufbringen von Halbleiterchips (2) auf das Substrat (1), wobei die Halbleiterchips (2) lateral zueinander beabstandet und zur Emission von Strahlung befähigt sind, C) Bereitstellen eines Verbundträgers (3), D) Formen des Verbundträgers (3) mittels eines Formwerkzeugs (4), E) Verpressen des Verbundträgers (3) und des Substrats (1), so dass ein Reflexionselement (6) ausgeformt wird, – wobei das Reflexionselement (6) zumindest ein Fluorpolymer (7) umfasst, das die Struktureinheit A der folgenden allgemeinen Formel umfasst:– wobei das Reflexionselement (6) lateral zu den Halbleiterchips (2) und zumindest bereichsweise auf der dem Substrat (1) abgewandten Oberfläche (22) der Halbleiterchips (2) angeordnet ist, und F) Vereinzeln der Halbleiterchips (2).

公开(公告)号：DE102016105407A1

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：DE102016105407

申请日：2016-03-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIRSCHERL GEORG ,  HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/56 ,  C08J3/28 ,  C08J7/00 ,  H01L21/50 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung, insbesondere strahlungsemittierenden optoelektronischen Vorrichtung angegeben. Das Verfahren umfasst die Verfahrensschritte: B) Aufbringen und Befestigen von Halbleiterchips auf einem Träger, D) Aufbringen eines Fluorpolymers auf die von dem Träger abgewandte Hauptoberfläche des Halbleiterchips und die dem Halbleiterchip zugewandte Hauptoberfläche des Trägers zur Bildung einer Verkapselungsschicht umfassend ein Fluorpolymer E) Strukturieren der Verkapselungsschicht umfassend das Fluorpolymer zur Bildung von Kavitäten in der Verkapselungsschicht, G) Aufbringen einer Metallschicht in die Kavität.

公开(公告)号：DE102016105103A1

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：DE102016105103

申请日：2016-03-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIRSCHERL GEORG ,  O'BRIEN DAVID

IPC: C07F7/02 ,  G02B1/04 ,  G02F2/02 ,  H01L33/50

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements (100) mit den Schritten: A) Bereitstellen von Quantenpunkten (1), die zur Wellenlängenumwandlung von Strahlung eingerichtet sind und die eine Oberflächenbeschichtung mit endständigen C-C-Doppelbindungen (11) aufweisen, B) Bereitstellen eines Matrixmaterials (2), das eine erste Komponente (21) und eine zweite Komponente (22) umfasst, wobei die erste Komponente (21) zumindest zwei Si-H-Gruppen aufweist, wobei die zweite Komponente (22) zumindest zwei endständige C-C-Doppelbindungen aufweist, C) Anbinden der ersten Komponente (21) an die endständige C-C-Doppelbindung der Quantenpunkte (1) mittels Hydrosilylierung, wobei die im Schritt C) durchgeführte Anbindung thermisch erfolgt, wobei die Temperatur mindestens 80 °C ist, D) Anbinden der zweiten Komponente (22) über zumindest eine endständige C-C-Doppelbindung der zweiten Komponente (22) an die erste Komponente (21) nachdem die erste Komponente (21) im Schritt C) angebunden wurde, E) Polymerisation der im Schritt D) erzeugten funktionalisierten Quantenpunkte, so dass ein Netzwerk aus Quantenpunkten (1) erzeugt wird, die an dem Matrixmaterial (2) angebunden sind.

公开(公告)号：DE112014005235A5

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：DE112014005235

申请日：2014-11-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL ION ,  SINGER FRANK ,  DIRSCHERL GEORG

IPC: H05B33/14 ,  H01L33/00 ,  H05B33/10

公开(公告)号：DE112014004180A5

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：DE112014004180

申请日：2014-08-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  STOLL ION ,  SCHWARZ THOMAS ,  SINGER FRANK ,  DIRSCHERL GEORG ,  HÖPPEL LUTZ

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60

公开(公告)号：DE102014100991A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：DE102014100991

申请日：2014-01-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  LINKOV ALEXANDER ,  GÖÖTZ BRITTA ,  DIRSCHERL GEORG

IPC: H01L33/50 ,  H01L21/56 ,  H01L25/075 ,  H01L33/52 ,  H01S5/02

Abstract: Es wird eine lichtemittierende Anordnung angegeben, mit – einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (5), der im Betrieb Primärstrahlung (6) zumindest aus einer Hauptemissionsfläche (51) emittiert, – einem ersten Konversionselement (2), das einen Teil der Primärstrahlung (6) absorbiert und Sekundärstrahlung (7) emittiert, – einem Umlenkelement (9), das zumindest für einen Teil der Primärstrahlung (6) eine Richtungsänderung bewirkt, wobei – das erste Konversionselement (2) in einer lateralen Richtung neben dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (5) angeordnet ist, – das Umlenkelement (9) einen Teil der Primärstrahlung (6) auf das erste Konversionselement (2) leitet, und – die lichtemittierende Anordnung im Betrieb Mischlicht (8) umfassend die Primärstrahlung (6) und die Sekundärstrahlung (7) emittiert.

公开(公告)号：DE102013112687A1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：DE102013112687

申请日：2013-11-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL ION ,  SINGER FRANK ,  DIRSCHERL GEORG

IPC: H01L33/50

Abstract: Es wird insbesondere ein Verfahren zur Herstellung einer multifunktionellen Schicht mit den folgenden Schritten angegeben: A) Bereitstellen eines Elektrophorese-Substrats (10) mit einem Träger (15), der eine Vorderseite (11) und eine der Vorderseite (11) abgewandte Rückseite (12) aufweist, wobei eine erste elektrisch leitfähige Schicht (13) und eine zweite elektrisch leitfähige Schicht (14) auf der Vorderseite (11) aufgebracht und bereichsweise in lateraler Richtung (L) voneinander beabstandet angeordnet sind, B) elektrophoretisches Abscheiden eines ersten Materials (1) auf die erste elektrisch leitfähige Schicht (13), C) elektrophoretisches Abscheiden eines zweiten Materials (2) auf die zweite elektrisch leitfähige Schicht (14), D) Anordnen eines Füllmaterials (3) zwischen dem ersten Material (1) und dem zweiten Material (2), wobei das Füllmaterial (3) mit dem ersten Material (1) und dem zweiten Material (2) eine gemeinsame Grenzfläche (4) ausbildet und durch das Füllmaterial (3) Abstände (A) in der lateraler Richtung (L) zwischen dem ersten Material (1) zu dem zweiten Material (2) derart gefüllt werden, dass die durchgehende multifunktionelle Schicht (100) ausgebildet wird, E) Ablösen der multifunktionellen Schicht (100) von dem Elektrophorese-Substrat (10).