公开(公告)号：WO2017144595A1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：PCT/EP2017/054191

申请日：2017-02-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MATHY, David ,  LINKOV, Alexander ,  ILLEK, Stefan ,  BUTENDEICH, Rainer

IPC: H01L25/16 ,  H01L31/12 ,  H01L31/167 ,  H05B33/08

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L31/167 ,  H01L33/58 ,  H02S40/44 ,  H05B33/0857

Abstract: Es umfasst die Lichtquelle (1) einen ersten Halbleiterchip (21) zur Erzeugung von erstem Licht und einen zweiten Halbleiterchip (22) zur Erzeugung von zweitem Licht, das eine andere Farbe aufweist als das erste Licht. In einem Lichtmischkörper (3) werden das erste und das zweite Licht durchmischt, sodass ein Mischlicht entsteht. Ein Detektor (4) befindet sich an dem Lichtmischkörper (3) und ist zur Bestimmung eines Farborts des Mischlichts eingerichtet. Die Lichtquelle (1) umfasst ferner einen Lichtabstrahlkörper (5) zur Abstrahlung des ersten und des zweiten Lichts. Der Lichtmischkörper (3) ist aus einem ersten Material mit einem ersten Brechungsindex und der Lichtabstrahlkörper (5) aus einem zweiten Material mit einem zweiten, niedrigeren Brechungsindex erzeugt. Die Halbleiterchips (21, 22) sind entlang einer Linie (6) angeordnet und weisen unterschiedliche Abstände zu dem Detektor (4) auf. Der Lichtmischkörper (3) bedeckt die Halbleiterchips (21, 22) zumindest teilweise, sodass der Detektor (4) von jedem der Halbleiterchips (21, 22) durch den Lichtmischkörper (3) Licht empfängt.

Abstract translation:

时的光源（1）包括用于产生第一光，并用于产生具有不同颜色比所述第一光的第二光的第二半导体芯片（22）的第一半导体芯片（21）。 在光混合体（3）中，第一光和第二光被混合，从而形成混合光。 检测器（4）位于光混合体（3）上并被设置以确定混合光的颜色轨迹。 光源（1）还包括用于发射第一和第二光的发光体（5）。 光混合体（3）由具有第一折射率的第一材料和具有第二较低折射率的第二材料的发光体（5）构成。 半导体芯片（21,22）沿着线（6）布置并且与检测器（4）具有不同的距离。 光混合体（3）至少部分覆盖半导体芯片（21,22），使得每个半导体芯片（21,22）的检测器（4）通过光混合体（3）接收光，

公开(公告)号：WO2016146665A2

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：PCT/EP2016/055651

申请日：2016-03-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER, Christian ,  LINKOV, Alexander ,  SABATHIL, Matthias ,  KNOERR, Matthias

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/504 ,  H01L33/508 ,  H01L2933/0041

Abstract: Lichtemittierendes Bauelement (100), bestehend aus einem lichtemittierenden Chip (110), der Licht mit einer ersten Wellenlänge emittiert, und mit mindestens einer Konversionsschicht (30), die Licht der ersten Wellenlänge in Licht mit mindestens einer zweiten Wellenlänge konvertiert, dadurch gekennzeichnet, dass ein Homogenisierungselement (150) zwischen dem lichtemittierenden Chip (110) und der Konversionsschicht (130) vorgesehen ist, wobei eine Oberfläche des Homogenisierungselements (50) an den lichtemittierenden Chip (110) angrenzt und mindestens eine weitere Oberfläche des Homogenisierungselements (150) an die Konversionsschicht (130) angrenzt. Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements (100).

Abstract translation: 一种发光器件（100），包括发射具有第一波长的光的发光芯片（110）的，和至少一个转换层（30），所述第一波长的光转换成光具有至少转换的第二波长，其特征在于 均匀化元件（150）的发光芯片（110）和所述转换层（130），所述Homogenisierungselements（50）的表面相邻的发光芯片（110）和至少一个其它表面的Homogenisierungselements（150）之间设置的转换层 （130）抵接。 一种用于制造发光器件（100）的过程。

公开(公告)号：WO2014180772A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：PCT/EP2014/059079

申请日：2014-05-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  SINGER, Frank ,  LINKOV, Alexander ,  ILLEK, Stefan ,  MÖNCH, Wolfgang

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/48 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L24/24 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/46 ,  H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/4554

Abstract: Angegeben wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit - zumindest einem Halbleiterchip (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge (200), die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist; - einer Montagefläche (11), an der zumindest ein elektrischer Kontakt (51, 52) für die externe Kontaktierung des Halbleiterchips ausgebildet ist, wobei die Montagefläche parallel zu einer Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge verläuft; - einer Strahlungsaustrittsfläche (10), die schräg oder senkrecht zur Montagefläche verläuft; - einer Strahlungsführungsschicht (3), die im Strahlengang zwischen dem Halbleiterchip und der Strahlungsaustrittsfläche angeordnet ist; und - einem Reflektorkörper (4), der bereichsweise an die Strahlungsführungsschicht angrenzt und den Halbleiterchip in Aufsicht auf das Halbleiterbauelement überdeckt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen angegeben.

Abstract translation: 给出具有辐射半导体器件 - 至少一个半导体芯片（2）和具有一个用于产生辐射激活区（20）的半导体层序列（200）; - 安装面（11），其上的至少一个电触点（51,52），适于将所述半导体芯片，其中，所述安装表面是平行于半导体层序列的主延伸平面的外部接触; - 倾斜或垂直延伸到所述安装面的辐射出射面（10）; - 其被布置在所述半导体芯片和辐射出射面之间的光路中的辐射导引层（3）; 和 - 在邻近辐射区域的反射器主体（4）导层和覆盖所述半导体器件的俯视图的半导体芯片。 此外，提供了一种用于发射辐射的半导体器件的制备方法。

公开(公告)号：WO2014048773A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/EP2013/069040

申请日：2013-09-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LINKOV, Alexander ,  SABATHIL, Matthias

IPC: H01L33/56 ,  G02B5/02

CPC classification number: G02B5/0294 ,  G02B5/0242 ,  G02B5/0247 ,  G02B5/0263 ,  G02B5/0278 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L2933/0091

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (101), umfassend: - eine Halbleiterschichtenfolge (103) aufweisend eine Emitterschicht (105) zum Emittieren von elektromagnetischer Strahlung, - einen Konverter (113) zum Konvertieren von elektromagnetischer Strahlung mit einer ersten Wellenlänge in eine elektromagnetische Strahlung mit einer zweiten Wellenlänge, die von der ersten Wellenlänge verschieden ist, - einen Streukörper (109) zum Streuen zumindest einen Teils der mittels der Emitterschicht (105) emittierten elektromagnetischen Strahlung in Richtung des Konverters (113), um zumindest einen Teil der emittierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren, wobei der Streukörper (109) einen positiven temperaturabhängigen Streuquerschnitt aufweist, so dass bei zunehmender Temperatur eine Streuung der elektromagnetischen Strahlung in dem Streukörper (109) in Richtung des Konverters zunehmbar ist. Die Erfindung betrifft ferner einen Streukörper (109).

Abstract translation: 本发明涉及一种光电子器件（101），包括： - 半导体层序列（103），包括用于发射电磁辐射的发射器层（105）， - 一个转换器（113），用于以电磁辐射转换电磁辐射的第一波长带 用于散射至少所述发射极层的装置的一部分（105）在所述转换器（113）的方向上的电磁辐射的发射的电磁辐射的至少一个部分发射的扩散器（109） - 第二波长不同于所述第一波长不同， 进行转换，其中所述散射体（109）具有正的温度相关的散射横截面，以使得随着温度的电磁辐射的散射体（109）的散射是zunehmbar在转换器的方向。 本发明还涉及一种扩散器（109）。

公开(公告)号：WO2014029852A2

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：PCT/EP2013/067479

申请日：2013-08-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KATZ, Simeon ,  SPECHT, Holger ,  LINKOV, Alexander ,  KÖLPER, Christopher

IPC: G01J1/04 ,  G01J1/42

CPC classification number: G01J1/0425 ,  G01J1/0474 ,  G01J1/42 ,  G01J2001/4252 ,  G01M11/30

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Messen einer von einer Leuchtdiode (210) abgegebenen Lichtstrahlung (300).Bei dem Verfahren wird ein Ende (121) einer Lichtleitfaser (120), welche mit einer Messeinrichtung (130) verbunden ist, durch eine optische Einrichtung (140) hindurch mit der von der Leuchtdiode (210) abgegebenen Lichtstrahlung (300) bestrahlt, so dass ein Teil der Lichtstrahlung (300) in die Lichtleitfaser (120) eingekoppelt und zu der Messeinrichtung (130) geführt wird. Die optische Einrichtung (140) bewirkt, dass die die optische Einrichtung (140) durchtretende Lichtstrahlung (300) in diffuser Form in Richtung des Endes (121) der Lichtleitfaser (130) abgegeben wird. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Vorrichtung (100) zum Messen einer von einer Leuchtdiode (210) abgegebenen Lichtstrahlung (300).

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于由发光二极管测量（210）发射的光的辐射（300）。如果该方法的光纤（120），其被连接到测量设备（130）的，一个端部（121）（通过光学装置 140）穿过其中的照射（发光二极管210）发射的光的辐射（300）被如此耦合的光辐射（300）到所述光纤（120）的一部分，并导致了测量装置（130）。 导致的是，在所述光纤（130）的端部（121）的方向上扩散器形式的光学装置（140）是通过使光的辐射（300）分配的光学设备（140）。 本发明还涉及一种设备（100），用于测量发出的光的发光二极管（210）的光辐射（300）中的一个。

公开(公告)号：WO2013135470A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：PCT/EP2013/053356

申请日：2013-02-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK, Stefan ,  SABATHIL, Matthias ,  LINKOV, Alexander ,  BLEICHER, Thomas ,  VON MALM, Norwin ,  MÖNCH, Wolfgang

IPC: F21K99/00 ,  G02F1/1335 ,  H01L33/58 ,  H01L33/54 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/58 ,  F21Y2101/00 ,  F21Y2105/00 ,  F21Y2115/10 ,  G02B6/0015 ,  G02B6/0018 ,  G02B6/0025 ,  G02F1/133603 ,  G02F1/133605 ,  G02F1/133606 ,  G02F1/133611 ,  G02F1/133615 ,  G02F2001/133607 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/44 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/644 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst die Flächenlichtquelle (1) einen oder mehrere optoelektronische Halbleiterchips (2) mit einer Strahlungshauptseite (20) zur Erzeugung einer Primärstrahlung (P). Ein Streukörper (3) ist entlang einer Hauptabstrahlrichtung (x) der Halbleiterchips (3) der Strahlungshauptseite (20) nachgeordnet. Der Streukörper (3) ist zu einer Streuung der Primärstrahlung (P) eingerichtet. Eine Hauptemissionsrichtung (y) des Streukörpers (3) ist schräg zur Hauptabstrahlrichtung (x) des Halbleiterchips (2) orientiert.

Abstract translation: 在至少一个实施例中，面光源（1）包括一个或多个光电半导体芯片（2）用辐射主侧（20），用于产生一个初级辐射（P）。 扩散器（3）沿着所述半导体芯片的主发射方向（x）的下游设置（3）的辐射主要侧（20）的。 到初级辐射（P）中的分散体的散射体（3）被布置。 扩散器（3）的主发射方向（y）是倾斜于主辐射方向（x）定向的半导体芯片（2）。

公开(公告)号：EP3251156A1

公开(公告)日：2017-12-06

申请号：EP15820083.2

申请日：2015-12-16

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： LINKOV, Alexander ,  HERRMANN, Siegfried

IPC: H01L33/50

Abstract: The invention relates to a semiconductor component, comprising a semiconductor chip (1), which emits electromagnetic radiation of a first wavelength range from a radiation emission surface (5). The semiconductor component also comprises a first conversion layer (11) on a lateral flank (6) of the semiconductor chip (1), which first conversion layer is suitable for converting electromagnetic radiation of the first wavelength range into electromagnetic radiation of a second wavelength range, and a second conversion layer (12) on the radiation emission surface (5) of the semiconductor chip (1), which second conversion layer is suitable for converting electromagnetic radiation of the first wavelength range into electromagnetic radiation of the second or of a third wavelength range. The first conversion layer (11) is different from the second conversion layer (12). The invention further relates to a method for producing such a semiconductor component.

公开(公告)号：WO2018036769A1

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：PCT/EP2017/069534

申请日：2017-08-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ, Britta ,  LINKOV, Alexander

IPC: H01L33/50 ,  H01L27/15 ,  H01L33/58 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L33/504 ,  F21S41/00 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L27/156 ,  H01L33/08 ,  H01L33/505 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0058

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit den folgenden Merkmalen angegeben: -einer Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Vielzahl an Pixeln (3), die eine aktive Schicht (2) aufweist, die zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs geeignet ist, und -einer Vielzahl an Konversionselementen (6), wobei -jedes Konversionselement (6) dazu geeignet ist, Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, -jedes Pixel (3) eine Strahlungsaustrittsfläche (5) aufweist und auf jeder Strahlungsaustrittsfläche (5) ein Konversionselement (6) angeordnet ist, und -jedes Konversionselement (6) in einem zentralen Bereich eine größere Dicke aufweist, als in einem Randbereich. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und ein Scheinwerfer mit einem optoelektronischen Halbleiterchip angegeben.

Abstract translation:

本发明提供具有以下特征的光电子半导体芯片：-a半导体层序列（1），具有多个（3）具有活性层的像素（2），这是一个用于电磁辐射的产生 第一波长是BEAR ngenbereichs合适的，并且 - 该多个转换元件（6），其中 - 每一个转换元件（6）适于对所述第一波长BEAR ngenbereichs的辐射转换成第二波长的BEAR辐射转换ngenbereichs， - 每个像素（3） Strahlungsaustrittsfl BEAR表面（5）和在每个Strahlungsaustrittsfl BEAR的转换元件（6）设置的表面（5），和每个转换元件（6）在一个GR＆ouml的中央区域;具有ERE厚度路比在边缘区域。 此外，指定了一种用于制造光电子半导体芯片和具有光电子半导体芯片的前照灯的方法

公开(公告)号：WO2017178332A1

公开(公告)日：2017-10-19

申请号：PCT/EP2017/058256

申请日：2017-04-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÜHNELT, Michael ,  LINKOV, Alexander

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird ein Bauelement (100) mit einem Halbleiterchip (1), einer Umhüllung (3) und einem Reflektor (2) angegeben, bei dem der Halbleiterchip (1) eine Vorderseite (11), eine der Vorderseite (11) abgewandte Rückseite (12) und Seitenflächen (10) aufweist, wobei der Halbleiterchip (1) zumindest teilweise über dessen Rückseite (12) elektrisch kontaktierbar ist, der Reflektor (2) den Halbleiterchip (1) in lateralen Richtungen vollumfänglich umschließt, einen ersten Teilbereich (21) und einen unmittelbar an den ersten Teilbereich (21) angrenzenden zweiten Teilbereich (22) aufweist, wobei der erste Teilbereich (21) von dem Halbleiterchip (1) räumlich beabstandet ist und der zweite Teilbereich (22) unmittelbar an den Halbleiterchip (1) angrenzt, und die Umhüllung (3) die Vorderseite (11) des Halbleiterchips (1) vollständig und die Seitenflächen (10) des Halbleiterchips (1) zumindest teilweise bedeckt, sodass die Umhüllung (3) eine dem Halbleiterchip (1) zugewandte Grenzfläche (32) aufweist, die bereichsweise eine Kontur des Halbleiterchips (1) nachbildet. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Bauelemente angegeben.

Abstract translation:

它是包括半导体芯片的设备（100）（1）中，指定的设置搜索克UMH导航使用（3）和反射器（2），其特征在于，（1），其具有前（11）的半导体芯片， 前侧（11）中的一个背向ř导航使用的下侧（12）和Seitenfl＆AUML;陈（10），其中所述半导体芯片（1）至少部分地在其ř导航使用的下侧（12）可以电接触，所述反射器（2）的 在横向方向上的半导体芯片（1）vollumf＆AUML;可触及包围ROAD吨，具有第一部分（21）和一个直接在第一部分（21）相邻的第二部分（22），其中，所述半导体芯片的所述第一部分（21）（1 ）周向间隔开并且与半导体芯片（1）紧邻的第二部分（22）以及半导体芯片（1）的前部（11）的外壳（3）完全隔开并且侧面（10 ）的半导体芯片（1）至少部分地被覆盖，使得包层 g（3）具有面向半导体芯片（1）的接口芯片（32），该接口芯片部分地再现半导体芯片（1）的轮廓。 此外，指定了用于生产多个这样的部件的方法。

公开(公告)号：WO2017009281A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：PCT/EP2016/066418

申请日：2016-07-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUR, Johannes ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  HÖPPEL, Lutz ,  MAUTE, Markus ,  SCHWARZ, Thomas ,  SABATHIL, Matthias ,  WIRTH, Ralph ,  LINKOV, Alexander

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/42

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil(10) angegeben umfassend einen Licht emittierenden Halbleiterkörper (1) mit einer Abstrahlseite (1a), eine Stromaufweitungsschicht (2), welche an der Abstrahlseite (1a) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet ist und diese zumindest teilweise abdeckt, wobei die Stromaufweitungsschicht (2) ein für das vom Halbleiterkörper (1) abgestrahlte Licht transparentes elektrisch leitfähiges Material (2a) und Partikel(2b) eines weiteren Materials umfasst, und einen elektrischen Kontakt (3), welcher auf einer dem Halbleiterkörper (1) abgewandten Seite (2c) der Stromaufweitungsschicht (2) angeordnet ist.

Abstract translation: 它是一种光电子半导体器件（10），提供一种包括发射光的半导体主体（1）与放射侧（1a）中，电流扩散层（2），其在所述半导体主体（1）的出射侧（1a）和覆盖其至少部分地， 其中，所述电流扩展层（2）包括一个由半导体本体照射的（1）光透明的导电材料（2a）和粒子（2b）的另一种材料，和一个电触点（3），其从半导体本体背向的（1） 的侧面（2c）的所述电流扩散层（2）。