公开(公告)号：DE102005046190A1

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：DE102005046190

申请日：2005-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WALTER ROBERT ,  AHLSTEDT MAGNUS ,  EISSLER DIETER ,  WIRTH RALPH

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/42 ,  H01S5/02

Abstract: Semi-conductor unit has semi-conductor base (10) at least partly laid on a current expansion layer (3). Layer contains metal (1) which forms a transparent conductive metal oxide (2). The concentration of metal decreases moving from the side of the expansion layer facing the semi-conductor base to the side of the layer turned away from the semi-conductor base. Method to make semi-conductor part involves firstly putting on metal layer on the base, secondly putting on a metal oxide on the metal layer and lastly heat treating the layers to produce the current expansion layer.

公开(公告)号：DE102004026231B4

公开(公告)日：2019-01-31

申请号：DE102004026231

申请日：2004-05-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK STEFAN DR ,  STEIN WILHELM DR ,  WIRTH RALPH DR ,  WALTER ROBERT

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/42 ,  H01L21/20 ,  H01L21/24 ,  H01L21/363 ,  H01L21/76 ,  H01L33/00 ,  H01S5/042 ,  H01S5/06

Abstract: Verfahren zur Herstellung von mindestens einem Bereich (8) mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit innerhalb einer elektrisch leitfähigen III-V-Halbleiterschicht (3), dadurch gekennzeichnet, dass auf einen ersten Bereich (8) der Halbleiterschicht (3) eine erste ZnO-Schicht (1) und auf einen zweiten Bereich der Halbleiterschicht (3) eine zweite ZnO-Schicht (6) aufgebracht und anschließend getempert wird, wobei die Abscheidtemperatur der zweiten ZnO-Schicht (6) gegenüber der Abscheidtemperatur der ersten ZnO-Schicht (1) derart erhöht ist, dass bei dem Tempern die Leitfähigkeit des zweiten Bereichs der Halbleiterschicht (3) zumindest weniger reduziert wird als die Leitfähigkeit des ersten Bereichs der Halbleiterschicht (3).

公开(公告)号：DE102012104553A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：DE102012104553

申请日：2012-05-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WALTER ROBERT ,  GEHRKE KAI ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/40

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) eingerichtet und beinhaltet die folgenden Schritte: – Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit mindestens einer aktiven Schicht (20) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung, – Aufbringen eines sauerstoffhaltigen Silberspiegels (3) auf die Halbleiterschichtenfolge (2), wobei das Aufbringen durch Sputtern in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre erfolgt, und – Fertigstellen des Halbleiterchips (1).

公开(公告)号：DE102011109942A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：DE102011109942

申请日：2011-08-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MAUTE MARKUS ,  ENGL KARL ,  TAEGER SEBASTIAN ,  WALTER ROBERT ,  STOCKER JOHANNES

IPC: H01L33/60

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterkörper (1) aus Halbleitermaterial, eine p-Kontaktschicht (21a) und eine n-Kontaktschicht (2) umfasst. Der Halbleiterkörper (1) weist eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (1a) auf. Der Halbleiterkörper weist eine p-Seite (1c) und eine n-Seite (1b) auf, zwischen denen die aktive Schicht (1a) angeordnet ist. Die p-Kontaktschicht (21a) ist zur elektrischen Kontaktierung der p-Seite (1c) vorgesehen. Die n-Kontaktschicht (2) ist zur elektrischen Kontaktierung der n-Seite (1b) vorgesehen und enthält eine TCO-Schicht (2a).