中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

40 records (took 0.017 seconds)

    Electrostatic drive type MEMS device and manufacturing method thereof, optical MEMS device, light modulation device, GLV device, and laser display
    22.
    发明授权
    Electrostatic drive type MEMS device and manufacturing method thereof, optical MEMS device, light modulation device, GLV device, and laser display 失效
    静电驱动型MEMS器件及其制造方法，光学MEMS器件，光调制器件，GLV器件和激光显示器

    公开(公告)号：US07116462B2

    公开(公告)日：2006-10-03

    申请号：US10468873

    申请日：2002-12-16

    Applicant: Koichi Ikeda

    Inventor： Koichi Ikeda

    IPC: G02B26/00

    CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B2201/045 ,  B81B2203/04 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0173 ,  B81C2203/0109 ,  G02B26/0841

    Abstract: An electrostatic drive type MEMS device and a manufacturing method thereof are provided, in which flattening the surface of a driving side electrode, improving performance, and furthering the improvements of the degree of freedom of designing in the manufacturing process are implemented. In addition, a GLV device using this MEMS device is provided, and further a laser display using this GLV device is also provided. The electrostatic drive type MEMS device includes a substrate side electrode and a beam having a driving side electrode driven by electrostatic attraction force or electrostatic repulsion force that acts between the substrate side electrode and driving side electrode, in which the substrate side electrode is formed of an impurities-doped conductive semiconductor region in a semiconductor substrate.

    Abstract translation: 提供一种静电驱动型MEMS器件及其制造方法，其中，使驱动侧电极的表面变平，提高性能，进一步提高制造工艺中的设计自由度的提高。 此外，提供了使用该MEMS器件的GLV器件，并且还提供使用该GLV器件的激光器显示器。 静电驱动型MEMS器件包括基板侧电极和具有由基板侧电极和驱动侧电极之间作用的静电吸引力或静电排斥力驱动的驱动侧电极的光束，其中基板侧电极由 半导体衬底中的杂质掺杂导电半导体区域。

    METHODS FOR NANOSTRUCTURE DOPING
    25.
    发明申请
    METHODS FOR NANOSTRUCTURE DOPING 审中-公开
    用于纳米结构的方法

    公开(公告)号：WO2007038164A2

    公开(公告)日：2007-04-05

    申请号：PCT/US2006036738

    申请日：2006-09-21

    Applicant: NANOSYS INC ,  PAN YAOLING ,  CHEN JIAN ,  LEON FRANCISCO ,  MOSTARSHED SHAHRIAR ,  ROMANO LINDA T ,  SAHI VIJENDRA ,  STUMBO DAVID P

    Inventor： PAN YAOLING ,  CHEN JIAN ,  LEON FRANCISCO ,  MOSTARSHED SHAHRIAR ,  ROMANO LINDA T ,  SAHI VIJENDRA ,  STUMBO DAVID P

    IPC: H01L29/06 ,  H01L21/225

    CPC classification number: H01L29/0665 ,  B81C1/00698 ,  B81C2201/0173 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/2256 ,  H01L21/268 ,  H01L29/0673

    Abstract: Methods of doping nanostructures, such as nanowires, are disclosed. The methods provide a variety of approaches for improving existing methods of doping nanostructures. The embodiments include the use of a sacrificial layer to promote uniform dopant distribution within a nanostructure during post-nanostructure synthesis doping. In another embodiment, a high temperature environment is used to anneal nanostructure damage when high energy ion implantation is used. In another embodiment rapid thermal annealing is used to drive dopants from a dopant layer on a nanostructure into the nanostructure. In another embodiment a method for doping nanowires on a plastic substrate is provided that includes depositing a dielectric stack on a plastic substrate to protect the plastic substrate from damage during the doping process. An embodiment is also provided that includes selectively using high concentrations of dopant materials at various times in synthesizing nanostructures to realize novel crystallographic structures within the resulting nanostructure.

    Abstract translation: 公开了掺杂纳米结构的方法，例如纳米线。 该方法提供了改进现有的纳米结构掺杂方法的各种方法。 实施例包括在后纳米结构合成掺杂期间使用牺牲层来促进纳米结构内的均匀掺杂剂分布。 在另一个实施例中，当使用高能离子注入时，使用高温环境退火纳米结构损伤。 在另一个实施方案中，使用快速热退火来将掺杂剂从纳米结构上的掺杂剂层驱动到纳米结构中。 在另一个实施例中，提供了一种在塑料衬底上掺杂纳米线的方法，其包括在塑料衬底上沉积电介质叠层以保护塑料衬底免于在掺杂过程期间损坏。 还提供了一种实施方案，其包括在合成纳米结构中在不同时间选择性地使用高浓度的掺杂剂材料，以在所得纳米结构内实现新的晶体结构。

    Method of manufacturing resonant transducer
    27.
    发明公开
    Method of manufacturing resonant transducer 有权
    赫尔斯特朗·赫斯特伦

    公开(公告)号：EP2599747A2

    公开(公告)日：2013-06-05

    申请号：EP12195311.1

    申请日：2012-12-03

    Applicant: Yokogawa Electric Corporation

    Inventor： Noda, Ryuichiro ,  Yoshida, Takashi

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: H04R31/00 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0173 ,  H03H3/0072 ,  Y10T29/49005

    Abstract: A method of manufacturing a resonant transducer having a vibration beam includes: (a) providing an SOI substrate including: a first silicon layer; a silicon oxide layer on the first silicon layer; and a second silicon layer on the silicon oxide layer; (b) forming a first gap and second gap through the second silicon layer by etching the second silicon layer using the silicon oxide layer as an etching stop layer; (c) forming an impurity diffusion source layer on the second silicon layer; (d) forming an impurity diffused layer in a surface portion of the second silicon layer; (e) removing the impurity diffusion source layer through etching; and (f) removing at least a portion of the silicon oxide layer through etching such that an air gap is formed between the first silicon layer and a region of the second silicon layer surrounded by the first and second gaps.

    Abstract translation: 制造具有振动束的谐振换能器的方法包括：（a）提供SOI衬底，其包括：第一硅层; 在所述第一硅层上的氧化硅层; 和在氧化硅层上的第二硅层; （b）通过使用氧化硅层作为蚀刻停止层蚀刻第二硅层，形成通过第二硅层的第一间隙和第二间隙; （c）在第二硅层上形成杂质扩散源层; （d）在第二硅层的表面部分形成杂质扩散层; （e）通过蚀刻去除杂质扩散源层; 和（f）通过蚀刻去除氧化硅层的至少一部分，使得在第一硅层和由第一和第二间隙围绕的第二硅层的区域之间形成气隙。

    Verfahren zum Herstellen von räumlich strukturierten Bauteilen
    29.
    发明公开
    Verfahren zum Herstellen von räumlich strukturierten Bauteilen 失效
    维尔法赫姆·希尔斯滕

    公开(公告)号：EP0865075A2

    公开(公告)日：1998-09-16

    申请号：EP98102579.4

    申请日：1998-02-14

    Applicant: Micronas Intermetall GmbH

    Inventor： Igel, Günther, Dipl.-Ing. ,  Mall, Martin, Dr. Dipl.-Phys.

    IPC: H01L21/24 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

    CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2203/0136 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2201/0173

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von räumlich strukturierten Bauteilen 10 aus einem Körper 1, bei dem auf der Rückseite des Körpers 1 eine Verzögerungsschicht 8 mit Durchbrechungen 9 zum Verzögern eines Abtragvorgangs des Materials des Körpers vorgesehen wird, auf der Rückseite des Körpers 1 Gebiete 5 aus einem migrationsfähigen Material aufgebracht werden, der Körper 1 einem thermischen Migrationsverfahren unterzogen wird, so daß Migrationsbereiche 7 entstehen, und dann die Bauteile 10 in einem einzigen Abtragvorgang aus dem Körper 1 herausgetrennt und die Migrationsbereiche 7 freigelegt werden.

    Abstract translation: 该制造方法包括使用具有设置有用于电子部件的主要区域的前表面的半导体晶片和设置有提供多个间隔区域的迁移材料层的后表面。 对半导体晶片进行热迁移工艺以形成间隔的迁移区域（7），随后通过蚀刻工艺去除这些区域之间的材料。

    A METHOD OF DOPING WAFERS
    30.
    发明申请
    A METHOD OF DOPING WAFERS 审中-公开
    一种抛光方法

    公开(公告)号：WO2016107977A1

    公开(公告)日：2016-07-07

    申请号：PCT/FI2015/050929

    申请日：2015-12-22

    Applicant: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY

    Inventor： KIIHAMÄKI, Jyrki

    IPC: B81C1/00 ,  H01L21/225

    CPC classification number: B81C1/00698 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0173 ,  H01L21/2255

    Abstract: The invention shows a doping method that can be used for doping of wafers. The method comprises making at least one ensemble of pores into a wafer matrix to be doped, depositing a vehicle layer on the substrate area of at least one said ensemble of pores and/or their walls, to form a vehicle layer as an interfacing surface for the dopant passage by diffusion. The deposition is followed by annealing said wafer in annealing specific conditions for enhancement of diffusion of said dopant from said vehicle layer via said interfacing surface into the wafer matrix to be doped. After the diffusion enhancement by annealing, the method comprises washing the vehicle layer away, by a washing agent for removal of the deposited dopant comprising material from the wafer surface and the pores. The doped porous structure of the wafer matrix comprising the dopant is then recrystallized, in a recrystallizing environment defined by recrystallizing parameters. The surface is finished and polished.

    Abstract translation: 本发明示出了可用于晶片掺杂的掺杂方法。 该方法包括将至少一个孔隙组合成晶片矩阵以进行掺杂，将载体层沉积在至少一个所述孔组合和/或其壁的基底区域上，以形成作为界面表面的载体层 掺杂剂通过扩散。 沉积之后是在退火特定条件下退火所述晶片，以增强所述掺杂剂从所述载体层经由所述接合表面扩散到待掺杂的晶片基质中。 在通过退火进行扩散增强之后，该方法包括通过用于从晶片表面和孔除去包含材料的沉积掺杂剂的清洗剂来清洗载体层。 然后在由重结晶参数限定的再结晶环境中重结晶包含掺杂剂的晶片基质的掺杂多孔结构。 表面完成抛光。

Patent Agency Ranking