公开(公告)号：KR101163276B1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：KR1020097006461

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시오자와도시히코 ,  가베요시로 ,  고바야시다카시 ,  기타가와주니치 ,  이사가즈히로

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7621

Abstract: 플라즈마 산화 처리 방법은 플라즈마 처리 장치의 처리용기내에, 표면이 실리콘으로 구성되고 표면에 요철 형상의 패턴을 갖는 피처리체를 배치하는 것과, 상기 처리용기내에서, 처리 가스중의 산소의 비율이 5 ~ 20%의 범위이고 또한 처리압력이 267 Pa 이상 400 Pa 이하의 범위에서 플라즈마를 형성하는 것과, 상기 플라즈마에 의해, 상기 피처리체의 표면의 실리콘을 산화해서 실리콘 산화막을 형성하는 것을 포함한다.

公开(公告)号：KR101102690B1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：KR1020097006183

申请日：2007-09-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  고바야시다카시 ,  시오자와도시히코 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66795

Abstract: 플라즈마 산화 처리의 장점을 손상하는 일이 없이, 절연 내성이 우수하고, 반도체 장치의 원료에 대한 제품의 비율을 향상시킬 수 있는 양질인 막질의 실리콘 산화막을 형성한다. 처리 가스중의 산소의 비율이 1% 이하에서, 또한 압력이 133Pa 이하의 제 1 처리 조건에서 플라즈마를 형성하고, 해당 플라즈마에 의해, 피처리체 표면의 실리콘을 산화해서 실리콘 산화막을 형성한다(제 1 산화 처리 공정). 상기 제 1 산화 처리 공정에 이어서, 처리 가스중의 산소의 비율이 20% 이상에서, 또한 압력이 400~1333Pa의 제 2 처리 조건에서 플라즈마를 형성하고, 해당 플라즈마에 의해, 상기 피처리체 표면을 산화하고, 또한 실리콘 산화막을 형성한다 (제 2 산화 처리 공정).

公开(公告)号：KR101063102B1

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：KR1020087028165

申请日：2007-05-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  기타가와주니치 ,  무라오카스나오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76224

Abstract: An object to be processed which has silicon on its surface is loaded in a processing chamber. A plasma of a processing gas containing oxygen gas and nitrogen gas is generated in the processing chamber. The silicon on the surface of the object to be processed is oxidized by the plasma, thereby forming a silicon oxide film.

公开(公告)号：KR1020100061702A

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：KR1020107006567

申请日：2008-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마시타준 ,  가베요시로 ,  기타가와주니치

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32495

Abstract: Provided is a plasma processing apparatus for plasma-processing a substrate to be processed. The plasma processing apparatus is provided with a metallic processing container (2) which forms a processing space (1) for performing plasma processing; a substrate placing table (3), which is arranged in the processing space (1) for placing a substrate (W) to be processed; a quartz member (4a), which shields a side wall of the metallic processing container (2) from the processing space (1), and has an lower end which extends downward from the substrate placing surface of the substrate placing table (3); an annular quartz member (6), which is arranged between the bottom surface of the quartz member (4a) and the bottom wall (2b) of the metallic processing container (2), and blocks the bottom wall (2b) of the metallic processing container (2) from the processing space (1); and a processing gas introducing section for introducing a processing gas into the processing space (1) from the vicinity of the outer circumference of the substrate placing table (3).

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置，用于对待处理的基板进行等离子体处理。 等离子体处理装置设置有形成用于进行等离子体处理的处理空间（1）的金属处理容器（2） 布置在处理空间（1）中以放置待处理的基板（W）的基板放置台（3） 将金属加工容器（2）的侧壁与处理空间（1）进行屏蔽的石英部件（4a），并且具有从基板载置台（3）的基板载置面朝下方延伸的下端部; 布置在石英件（4a）的底表面和金属加工容器（2）的底壁（2b）之间的环形石英件（6），并且将金属加工件的底壁（2b） 来自处理空间（1）的容器（2）; 以及处理气体导入部，用于将处理气体从基板载置台（3）的外周附近引入处理空间（1）。

公开(公告)号：KR1020090058002A

公开(公告)日：2009-06-08

申请号：KR1020097006461

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시오자와도시히코 ,  가베요시로 ,  고바야시다카시 ,  기타가와주니치 ,  이사가즈히로

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7621 ,  H01L21/2255

Abstract: A silicon oxide film forming method includes a step of placing an object to be processed and having a surface having a projecting/recessed pattern and containing silicon in a processing vessel of a plasma processing apparatus, a step of producing a plasma from a processing gas containing oxygen at a proportion of 5 to 20% under a processing pressure of 267 to 400 Pa in the processing vessel, and a step of forming a silicon oxide film by oxidizing silicon in the surface of the object to be processed by the plasma.

Abstract translation: 氧化硅膜形成方法包括将待处理物体放置在等离子体处理装置的处理容器中的具有突出/凹陷图案并含有硅的表面的步骤，从处理气体产生等离子体的步骤，所述处理气体含有 处理容器中处理压力为267〜400Pa的比例为5〜20％的氧，以及通过在被处理物的表面氧化等离子体而形成氧化硅膜的工序。

公开(公告)号：KR1020090043598A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：KR1020097006183

申请日：2007-09-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  고바야시다카시 ,  시오자와도시히코 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66795

Abstract: 플라즈마 산화 처리의 장점을 손상하는 일이 없이, 절연 내성이 우수하고, 반도체 장치의 원료에 대한 제품의 비율을 향상시킬 수 있는 양질인 막질의 실리콘 산화막을 형성한다. 처리 가스중의 산소의 비율이 1% 이하에서, 또한 압력이 133Pa 이하의 제 1 처리 조건에서 플라즈마를 형성하고, 해당 플라즈마에 의해, 피처리체 표면의 실리콘을 산화해서 실리콘 산화막을 형성한다(제 1 산화 처리 공정). 상기 제 1 산화 처리 공정에 이어서, 처리 가스중의 산소의 비율이 20% 이상에서, 또한 압력이 400~1333Pa의 제 2 처리 조건에서 플라즈마를 형성하고, 해당 플라즈마에 의해, 상기 피처리체 표면을 산화하고, 또한 실리콘 산화막을 형성한다 (제 2 산화 처리 공정).

公开(公告)号：KR1020080102273A

公开(公告)日：2008-11-24

申请号：KR1020087023984

申请日：2007-08-27

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호우징 나고야 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리마사루 ,  시오자와도시히코 ,  가베요시로 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31662 ,  C23C8/10 ,  C23C8/36 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L22/20

Abstract: The surface of a processing object is subjected to plasma oxidation processing using a plasma of 181012 cm-3 orhigher O(1D2) radical density and using an oxygenous processing gas in a processing chamber of plasma processing apparatus, thereby forming a silicon oxide film. During the plasma oxidation processing, plasma processing condensations are corrected while measuring the density of O(1D2) radical in plasma by means of VUV monochrometer (63).

Abstract translation: 使用181012cm-3以上的O（1D2）自由基浓度的等离子体进行等离子体氧化处理，在等离子体处理装置的处理室中使用含氧处理气体，从而形成氧化硅膜。 在等离子体氧化处理期间，通过VUV单色仪（63）测量等离子体中的O（1D2）基团的密度，校正等离子体处理冷凝。

公开(公告)号：KR1020070112307A

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：KR1020077026024

申请日：2005-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  노구치히데유키 ,  가베요시로 ,  이사가즈히로 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

Abstract: A method for cleaning a treatment chamber in a substrate treating apparatus for subjecting a substrate having a tungsten-based coating film to a plasma treatment, which comprises introducing a gas containing O2 into the treatment chamber after the plasma treatment without opening the chamber to the atmosphere, to thereby form the plasma of the gas and clean the treatment chamber.

Abstract translation: 一种用于清洗基板处理装置中的处理室的方法，用于对具有钨基涂膜的基板进行等离子体处理，其包括在等离子体处理之后将含有O 2的气体引入处理室，而不将该室打开至大气 ，从而形成气体的等离子体并清洁处理室。