公开(公告)号：KR1020120069755A

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：KR1020127011264

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 몬덴다이치 ,  나카무라히데오 ,  기타가와주니치

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/788

CPC classification number: C23C8/36 ,  C23C8/04 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3211 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

Abstract: 실리콘 표면과 실리콘 화합물층이 노출된 피처리체에 대해, 선택적으로 실리콘을 높은 질화 레이트와 높은 질소 도즈량으로 플라즈마 질화 처리하는 방법이 제공된다. 선택적 플라즈마 질화 처리는 처리 압력을 66.7Pa이상 667Pa이하의 범위내로 설정하고, 탑재대(2)의 전극(42)에 고주파 전원(44)으로부터 피처리체의 면적당 0.1W/㎠ 이상 1.2W/㎠ 이하의 고주파 전력을 공급하여 실행한다. 이 고주파 전력에 의해서 웨이퍼(W)에 바이어스 전압이 인가되고, 높은 Si/SiO
2 선택비가 얻어진다.

公开(公告)号：KR1020090086059A

公开(公告)日：2009-08-10

申请号：KR1020097006328

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시다카시 ,  기타가와주니치 ,  가베요시로 ,  시오자와도시히코

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252

Abstract: A plasma oxidizing method in which a plasma is produced in a processing chamber of a plasma processing apparatus under a processing condition that the proportion of oxygen in the processing gas is 20% or more and the processing pressure is 400 to 1333 Pa, and silicon exposed from the surface of an object to be processed is oxidized by the plasma to form a silicon oxide film. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 一种等离子体氧化方法，其中在处理气体中氧的比例为20％以上，处理压力为400〜1333Pa，处理压力为400〜1333Pa的加工条件下，在等离子体处理装置的处理室中产生等离子体， 从待处理物体的表面被等离子体氧化，形成氧化硅膜。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR101140694B1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：KR1020097006328

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시다카시 ,  기타가와주니치 ,  가베요시로 ,  시오자와도시히코

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252

Abstract: 플라즈마 산화 처리 방법은 플라즈마 처리 장치의 처리실 안으로, 표면이 실리콘으로 구성되고 표면에 요철형상의 패턴을 한 피처리체를 반입하는 것과, 상기 처리실 안으로, 처리 가스 중의 산소의 비율이 20% 이상이고 400 Pa 이상 1333 Pa 이하의 처리 압력의 조건에서 플라즈마를 형성하는 것과, 상기 플라즈마에 의해 상기 피처리체의 표면 실리콘을 산화해서 실리콘 산화막을 형성하는 것을 포함한다.

公开(公告)号：KR101089988B1

公开(公告)日：2011-12-05

申请号：KR1020097006327

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시오자와도시히코 ,  가베요시로 ,  고바야시다카시 ,  아다치히카루 ,  기타가와주니치 ,  야마모토노부히코

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7621

Abstract: 플라즈마 산화 처리 방법은 플라즈마 처리 장치의 처리용기내에 배치된 탑재대에 표면에 실리콘을 갖는 피처리체를 탑재하는 것과, 상기 처리용기내에 산소를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 형성하는 것과, 상기 플라즈마의 형성시에, 상기 탑재대에 고주파 전력을 공급하여, 피처리체에 고주파 바이어스를 인가하는 것과, 상기 플라즈마에 의해, 피처리체 표면의 실리콘을 산화해서 실리콘 산화막을 형성하는 것을 포함한다.

公开(公告)号：KR101393890B1

公开(公告)日：2014-05-12

申请号：KR1020120033452

申请日：2012-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지노유타카 ,  우에다아츠시 ,  오자키시게노리 ,  기타가와주니치

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32201 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32431 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: 본 발명의 과제는 간단한 구성으로 플라즈마의 분포를 균일화하는 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 처리용기(2)내에 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입 장치(5)를 구비하고 있다. 마이크로파 도입 장치(5)는 천장부(11)의 복수의 개구부에 끼워 맞추는 복수의 마이크로파 투과판(73)을 포함하고 있다. 복수의 마이크로파 투과판(73)은 천장부(11)의 복수의 개구부에 끼워 맞춘 상태에서, 탑재대(21)의 탑재면(21a)에 평행한 1개의 가상의 평면상에 배치되어 있다. 복수의 마이크로파 투과판(73)은 마이크로파 투과판(73A∼73G)을 포함하고 있다. 마이크로파 투과판(73G, 73A)의 중심점 P
G , P
A 간 거리와 마이크로파 투과판(73G, 73B)의 중심점 P
G , P
B 간 거리는 서로 동등하거나 대략 동등하게 되도록 설정된다.

公开(公告)号：KR1020090058000A

公开(公告)日：2009-06-08

申请号：KR1020097006327

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시오자와도시히코 ,  가베요시로 ,  고바야시다카시 ,  아다치히카루 ,  기타가와주니치 ,  야마모토노부히코

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7621

Abstract: A plasma oxidizing method includes a step of placing an object to be processed and having a surface containing silicon on a susceptor disposed in a processing vessel of a plasma processing apparatus, a step of producing a plasma from a processing gas containing oxygen in the processing vessel, a step of supplying high-frequency electric power to the susceptor and applying a high-frequency bias to the object to be processed when the plasma is produced, and a step of forming a silicon oxide film by oxidizing silicon in the surface of the object to be processed by the plasma.

Abstract translation: 等离子体氧化方法包括将待处理物体放置在等离子体处理装置的处理容器中的基座上的步骤，在处理容器内从含有氧的处理气体生成等离子体的步骤 向基座提供高频电力的步骤，在制造等离子体时向待处理物体施加高频偏压的步骤，以及通过在物体的表面氧化硅来形成氧化硅膜的步骤 由等离子体处理。

公开(公告)号：KR1020090007760A

公开(公告)日：2009-01-20

申请号：KR1020087028165

申请日：2007-05-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  기타가와주니치 ,  무라오카스나오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76224

Abstract: An object to be processed which contains silicon in the surface is introduced in a processing vessel. A plasma of a processing gas containing an oxygen gas and a nitrogen gas is generated within the processing vessel. The silicon in the surface of the object to be processed is oxidized by the plasma, thereby forming a silicon oxide film.

Abstract translation: 在表面中含有硅的待处理物体被引入处理容器中。 在处理容器内产生含有氧气和氮气的处理气体的等离子体。 待处理物体的表面中的硅被等离子体氧化，从而形成氧化硅膜。

公开(公告)号：KR1020120112253A

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：KR1020120033452

申请日：2012-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지노유타카 ,  우에다아츠시 ,  오자키시게노리 ,  기타가와주니치

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32201 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32431 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a microwave introduction device are provided to uniformize distribution of plasma by providing a simple structure. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus includes a microwave induction device for introducing microwaves into a processing container. The microwave induction device includes a plurality of microwave transmission plates(73) inserted into a plurality of openings on a ceiling portion. The plurality of microwave transmission plates is arranged on one virtual plane which is parallel on a mounting surface of a mounting table while being inserted into a plurality of openings on the ceiling portion. The plurality of microwave transmission plates includes microwave transmission plates(73A-73G). The distance between central points of microwave transmission plates and the distance between the central points of the microwave transmission plates are set to be identical.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和微波引入装置，通过提供简单的结构来均匀分布等离子体。 构成：等离子体处理装置包括用于将微波引入处理容器的微波感应装置。 微波感应装置包括插入天花板部分上的多个开口中的多个微波传输板（73）。 多个微波透射板被布置在一个虚拟平面上，该虚拟平面平行于安装台的安装表面，同时插入到天花板部分上的多个开口中。 多个微波透射板包括微波透射板（73A-73G）。 微波透射板的中心点与微波透射板的中心点之间的距离设定为相同。

公开(公告)号：KR101163276B1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：KR1020097006461

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시오자와도시히코 ,  가베요시로 ,  고바야시다카시 ,  기타가와주니치 ,  이사가즈히로

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7621

Abstract: 플라즈마 산화 처리 방법은 플라즈마 처리 장치의 처리용기내에, 표면이 실리콘으로 구성되고 표면에 요철 형상의 패턴을 갖는 피처리체를 배치하는 것과, 상기 처리용기내에서, 처리 가스중의 산소의 비율이 5 ~ 20%의 범위이고 또한 처리압력이 267 Pa 이상 400 Pa 이하의 범위에서 플라즈마를 형성하는 것과, 상기 플라즈마에 의해, 상기 피처리체의 표면의 실리콘을 산화해서 실리콘 산화막을 형성하는 것을 포함한다.

公开(公告)号：KR101063102B1

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：KR1020087028165

申请日：2007-05-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  기타가와주니치 ,  무라오카스나오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76224

Abstract: An object to be processed which has silicon on its surface is loaded in a processing chamber. A plasma of a processing gas containing oxygen gas and nitrogen gas is generated in the processing chamber. The silicon on the surface of the object to be processed is oxidized by the plasma, thereby forming a silicon oxide film.