Abstract:
본 고안의 와이어타입구동계를 갖는 광픽업장치는 대물렌즈이동수단을 지지하는 와이어들의 진동상태에 의해 결정되는 진폭크기가 최대인 외이어의 소정위치에 댐핑특성을 갖는 접착제인 비정상적휘어짐방지부재를 설치하므로써 대물렌즈의 양단에 걸리는 자기력의 불균형과 대물렌즈이동수단을 지지하는 외이어들의 자체진동에 의해 발생하는 비정상적인 와이어휘어짐현상을 제거할 수 있는 효과를 가져온다.
Abstract:
According to a method of forming an epitaxial layer, an etch gas is decomposed. A source gas is decomposed. An epitaxial layer which is deposited on the undesired area of the substrate is etched with the decomposed gases while the epitaxial layer is formed on the substrate by applying the decomposed gases to the substrate. Therefore, the etch gas is decomposed in advance before the etch gas is drawn into a reaction chamber. The decomposed etch gases are drawn into the reaction chamber so that the epitaxial layer which is formed on the insulating layer of the substrate is etched. As a result, the epitaxial layer which is formed on the substrate has uniform distribution.
Abstract:
PURPOSE: A gas supply pipe and a chemical vapor deposition device having the same are provided to uniformly discharge gas by preventing the deposition of reaction gas inside a pipe. CONSTITUTION: A first pipe (310) is connected to a gas storage apparatus through a gas supply line. Reaction gas is supplied to a reaction chamber through the first pipe. A second pipe (320) has a thermal contact surface which is in contact with the first pipe. One part of the second pipe is connected to a refrigerant supply part (321). The other part of the second pipe is connected to a refrigerant collection part (322).
Abstract:
플라즈마를 이용하여 기판을 가공하는 장치에 있어서, 상기 가공에 사용되는 반응 가스는 공정 챔버의 상부에 배치되는 돔 내부로 공급되며, 상기 돔 내부에서 고주파 파워 인가에 의해 플라즈마 상태로 여기된다. 상기 공정 챔버와 돔 사이에는 상기 돔을 지지하기 위한 돔 플랜지가 배치되며, 상기 돔 플랜지의 내부에는 냉매를 순환시킬 수 있는 냉각 채널이 구비된다. 상기 냉매의 순환에 의해 상기 돔 플랜지는 목적하는 온도로 일정하게 유지될 수 있으며, 이에 따라 상기 돔과 돔 플랜지 사이에 배치되는 가이드 링 및 밀봉 부재의 열 변형이 방지될 수 있으며, 상기 열 변형에 의해 야기될 수 있는 돔의 손상이 미연에 방지될 수 있다.