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    누설 이온 빔 감지용 디텍터를 구비하는 애널라이징 챔버및 이를 구비하는 질량분석기
    1.
    发明公开
    누설 이온 빔 감지용 디텍터를 구비하는 애널라이징 챔버및 이를 구비하는 질량분석기 有权
    分析室包括漏水离子束检测器和包括其中的大分析仪

    公开(公告)号：KR1020070011881A

    公开(公告)日：2007-01-25

    申请号：KR1020050066517

    申请日：2005-07-22

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 엄현섭 ,  이승세 ,  김영대 ,  강곤수 ,  안성열

    IPC: G01N27/62

    CPC classification number: H01J49/24 ,  H01J37/05 ,  H01J37/09 ,  H01J37/3171 ,  H01J49/025 ,  H01J49/0495 ,  H01J2237/0225 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/31705 ,  G01N27/628

    Abstract: An analyzing chamber including a leakage ion beam detector is provided to effectively extract ions required for an ion injection process by preventing an inferiority of an analyzing chamber. A chamber for a mass analyzer includes a body(100), a shielding section(200), and a detector(300). The body has an introduction section(110), a discharge section(120), and an interior passage. The shielding section is arranged along the inner side wall defining the interior passage to prevent the inner side wall from being damaged by ion beams passing through the body. The detector is located between the shielding section and the inner side wall of the body to detect the ion beams reaching the inner side wall.

    Abstract translation: 提供包括泄漏离子束检测器的分析室，以通过防止分析室的劣化来有效地提取离子注入过程所需的离子。 用于质量分析器的室包括主体（100），屏蔽部分（200）和检测器（300）。 主体具有导入部（110），排出部（120）和内部通路。 屏蔽部分沿着限定内部通道的内侧壁布置，以防止内侧壁被穿过本体的离子束损坏。 检测器位于屏蔽部分和主体的内侧壁之间，以检测到达内壁的离子束。

    아크 방전 장치 및 이를 구비하는 플라즈마 처리 시스템
    3.
    发明公开
    아크 방전 장치 및 이를 구비하는 플라즈마 처리 시스템 审中-实审
    电弧放电装置和等离子体处理系统具有相同的功能

    公开(公告)号：KR1020160142743A

    公开(公告)日：2016-12-13

    申请号：KR1020150135555

    申请日：2015-09-24

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이종현 ,  박기남 ,  서정우 ,  이남훈 ,  정보경 ,  강곤수 ,  강성호 ,  김태곤 ,  오병주 ,  허진화

    IPC: H01J37/32

    Abstract: 본발명의기술적사상의일 실시예에의한아크방전장치는냉매유입구와냉매유출구가형성된하우징및 하우징에고정된투과부재를구비하는바디부및 하우징에장착되고, 서로대향하여배치된어노드전극및 캐소드전극을구비한전극부를포함할수 있다. 어노드전극은하우징과연결되는본체부및 본체부와결합되는어노드전극팁을구비하고, 어노드전극의내부에형성되는냉각라인은냉매유입구와냉매유출구와연결되고, 어노드전극팁의내벽과접하는것을특징으로한다.

    지지 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
    4.
    发明公开
    지지 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 无效
    用于支持基板的装置和用于用单元处理基板的装置

    公开(公告)号：KR1020120119781A

    公开(公告)日：2012-10-31

    申请号：KR1020110037964

    申请日：2011-04-22

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 강곤수 ,  강상범 ,  박재영 ,  강성호 ,  김태곤 ,  엄현섭 ,  강종훈 ,  문강훈 ,  이한기

    IPC: H01L21/683

    CPC classification number: F27B17/0025 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6875

    Abstract: PURPOSE: A support unit and a substrate processing apparatus having the same are provided to minimize damage to the substrate in a thermal process about the substrate. CONSTITUTION: A processing space processing a substrate is supplied inside a chamber(100). A support unit(1000) supports the substrate. A heating member(200) heats the substrate. A plurality of support pins(1040) is upwardly protruded from a plate. At least one sub pin(1060) is projected from the plate to the top. The support pin is located around the sub pin. [Reference numerals] (226) Power supply unit; (248) Power supply unit; (300) Controller

    Abstract translation: 目的：提供一种支撑单元和具有该支撑单元的基板处理装置，以便在围绕基板的热过程中对基板的损伤最小化。 构成：处理衬底的处理空间在室（100）内供应。 支撑单元（1000）支撑基板。 加热构件（200）加热基板。 多个支撑销（1040）从板向上突出。 至少一个子销（1060）从板向顶部突出。 支撑销位于子针脚周围。 （附图标记）（226）电源单元; （248）电源单元; （300）控制器

    웨이퍼 열 처리 방법
    7.
    发明公开
    웨이퍼 열 처리 방법 审中-实审
    热处理方法

    公开(公告)号：KR1020130077186A

    公开(公告)日：2013-07-09

    申请号：KR1020110145765

    申请日：2011-12-29

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 강종훈 ,  김태곤 ,  최한메 ,  조은영 ,  강곤수 ,  강성호 ,  허성호

    IPC: H01L21/324

    CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/681 ,  H01L22/10 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

    Abstract: PURPOSE: A wafer heat treating method is provided to prevent a wafer from breaking by performing a rapid heat treatment process after arranging the wafer in order not to position the defect of the wafer at an uneven temperature gradient area in a process chamber. CONSTITUTION: A defect of a wafer is detected. The wafer is arranged in order to position the defect at remaining areas except uneven temperature gradient areas in a process chamber (400). The wafer is rapidly heat-treated in the process chamber. The process chamber has a hexahedron shape of a rectangular cross section. The uneven temperature gradient areas are corner areas of the rectangular cross section.

    Abstract translation: 目的：提供晶片热处理方法，以便在布置晶片之后执行快速热处理工艺以防止晶片破裂，以便不将晶片的缺陷定位在处理室中不均匀的温度梯度区域。 构成：检测到晶片缺陷。 布置晶片以将缺陷定位在处理室（400）中除了不均匀的温度梯度区域之外的其余区域。 晶片在处理室中快速热处理。 处理室具有矩形横截面的六面体形状。 不均匀的温度梯度区域是矩形横截面的拐角区域。

    질량 유량 제어기
    8.
    发明公开
    질량 유량 제어기 无效
    质量流量控制器

    公开(公告)号：KR1020070051011A

    公开(公告)日：2007-05-17

    申请号：KR1020050108347

    申请日：2005-11-14

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 강곤수 ,  엄현섭 ,  김영대 ,  이승세 ,  안성열

    IPC: H01L21/02

    CPC classification number: G05D7/0635

    Abstract: 유체의 질량 유량을 조절하기 위한 질량 유량 제어기에서 베이스는 유체가 통과하기 위한 유로를 가지며, 밸브는 유로를 통과하는 유체의 질량 유량을 조절한다. 밸브의 헤드는 관통홀을 갖는다. 밸브가 비정상적으로 닫혀 유로가 차단되는 경우 관통홀을 통해 유로 내부에 잔류하는 유체를 배출한다.

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