公开(公告)号：KR100790981B1

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：KR1020060013710

申请日：2006-02-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문창록 ,  백기현 ,  이덕형 ,  황성호

IPC: H01L27/146

CPC classification number: G02B5/201 ,  G02B5/285 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685

Abstract: 굴절율이 서로 다른 무기물질이 교대로 반복 적층된 칼라필터, 칼라필터 어레이 및 그의 제조방법 및 이미지 센서를 개시한다.
칼라필터는 기판; 및 소정 색을 위한 특정 파장의 광을 필터링하기 위한, 상기 기판상에 교대로 반복 적층되는, 서로 다른 굴절율을 갖는 제1무기막과 제2무기막을 포함한다. 상기 제1무기막과 제2무기막의 굴절율 차가 적어도 0.8이상이며, 2 내지 5회 반복 적층되며, 바람직하게는 3회 반복 적층된다. 상기 제1무기막과 제2무기막은 400 내지 700 nm 의 가시광선 영역에서 1.3 내지 6.0의 굴절율을 갖는으며, SiO2, SiON, SiN 및 Si 로부터 선택된다.

公开(公告)号：KR100761829B1

公开(公告)日：2007-09-28

申请号：KR1020050124112

申请日：2005-12-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권두원 ,  유종렬 ,  문창록

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643

Abstract: 반도체 소자, 시모스 이미지 센서, 반도체 소자의 제조방법 및 시모스 이미지 센서의 제조방법을 제공한다. 상기 시모스 이미지 센서를 제조하기 위해 먼저, 기판 내에 포토다이오드 활성영역을 한정하는 트렌치를 형성한다. 상기 트렌치의 바닥 및 측벽 내에 불순물을 도우핑하여, 상기 트렌치의 바닥 및 측벽을 감싸는 채널 스톱 불순물영역을 형성한다. 상기 불순물이 도우핑된 트렌치 내에 절연막을 갭-필하여 트렌치 소자분리영역을 형성한다. 상기 포토다이오드 활성영역의 기판 내에 포토다이오드를 형성한다. 이와 같이, 상기 트렌치의 바닥 및 측벽을 감싸는 채널 스톱 불순물영역을 형성함으로써, 상기 트렌치의 계면 결함으로 인한 암전류 및 잡음을 줄일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070081627A

公开(公告)日：2007-08-17

申请号：KR1020060013710

申请日：2006-02-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문창록 ,  백기현 ,  이덕형 ,  황성호

IPC: H01L27/146

CPC classification number: G02B5/201 ,  G02B5/285 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685

Abstract: A color filter, a color filter array, a method for manufacturing the color filter, and an image sensor are provided to prevent different color beams from being mixed with one another by laminating plural inorganic films with different refractive indexes. A color filter(20) includes a substrate(10) and first and second inorganic films(21,25), which are repeatedly and alternatively laminated on the substrate. The first and the second inorganic films contain inorganic materials having a refractive index between 1.3 and 6.0 in a visible ray region between 400 and 700 nm. The first inorganic film is made of a material with a big refractive index, while the second inorganic film is made of a material with a small refractive index. A difference between the refractive indexes of the first and the second inorganic films is at least 0.8.

Abstract translation: 提供滤色器，滤色器阵列，滤色器的制造方法和图像传感器，以通过层叠多个折射率不同的无机膜来防止不同的颜色光束彼此混合。 滤色器（20）包括基板（10）和第一和第二无机膜（21,25），其被重复地交替层压在基板上。 第一和第二无机膜含有在400和700nm之间的可见光区域中折射率在1.3和6.0之间的无机材料。 第一无机膜由具有大折射率的材料制成，而第二无机膜由折射率小的材料制成。 第一和第二无机膜的折射率之差至少为0.8。

公开(公告)号：KR100688497B1

公开(公告)日：2007-03-02

申请号：KR1020040049001

申请日：2004-06-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문창록

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L21/0214 ,  G03F7/091 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14843

Abstract: 특정파장 및 가시광선 전영역에서 반사율이 현저하게 감소된 실리콘 산화질화막을 포함하는 반사방지막이 형성된 이미지 센서 및 그 제조방법에 대해 개시한다. 그 센서 및 제조방법은 빛이 입사되는 수광부 상에 플라즈마 CVD법에 의해 형성된 굴절율이 2.3 내지 3.0인 산화질화막을 포함하는 반사방지막을 구비한다.
반사율, 반사방지막, 산화질화막, 굴절율

公开(公告)号：KR102034482B1

公开(公告)日：2019-10-21

申请号：KR1020130022858

申请日：2013-03-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구준모 ,  김남길 ,  문창록 ,  박병준 ,  신종철

IPC: H04N5/361 ,  H04N5/374

公开(公告)号：KR101648200B1

公开(公告)日：2016-08-12

申请号：KR1020090100581

申请日：2009-10-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  구준모 ,  문창록 ,  박윤동 ,  배대록 ,  안정착 ,  홍성권 ,  김석필 ,  오훈상

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14641 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

Abstract: 이미지센서및 그제조방법에서, 이미지센서는리셋트랜지스터, 변환트랜지스터및 선택트랜지스터가형성된제1 기판이구비된다. 상기제1 기판상에, 상기리셋트랜지스터, 변환트랜지스터및 선택트랜지스터를덮는제1 실리콘산화막이구비된다. 포토다이오드, 전송트랜지스터및 플로팅확산영역이형성된제2 기판이구비된다. 상기포토다이오드, 전송트랜지스터및 플로팅확산영역을덮는형상을갖고, 표면부위가상기제1 실리콘산화막의상부면과본딩된제2 실리콘산화막이구비된다. 상기제2 기판및 제2 실리콘산화막을관통하고, 계속하여상기제1 실리콘산화막의일부를관통하는콘택플러그를포함한다. 상기이미지센서는고집적화되고고성능을갖는다.

公开(公告)号：KR1020140112793A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：KR1020130027314

申请日：2013-03-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이윤기 ,  문창록 ,  이덕형

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

Abstract: In an image sensor and a method of manufacturing the same, a semiconductor layer includes a first surface, a second surface opposite to the first surface, and a photodiode in the first surface. An anti-reflection layer of crystallizability for hydrogen penetration is formed on the semiconductor layer of the first surface. A hydrogen containing region including hydrogens combined with the defect part of the surface of the semiconductor layer, is formed in the semiconductor layer of the first surface. Driving transistors and a line are formed in the semiconductor layer of the second surface. A color filter and a micro lens are formed on the anti-reflection layer. The image sensor reduces a dark current and improves a white point phenomenon.

Abstract translation: 在图像传感器及其制造方法中，半导体层包括第一表面，与第一表面相对的第二表面和第一表面中的光电二极管。 在第一表面的半导体层上形成用于氢穿透的结晶性的抗反射层。 在第一表面的半导体层中形成包含与半导体层表面的缺陷部分结合的氢的含氢区域。 驱动晶体管和线形成在第二表面的半导体层中。 在防反射层上形成滤色器和微透镜。 图像传感器减少暗电流并改善白点现象。

公开(公告)号：KR1020130101809A

公开(公告)日：2013-09-16

申请号：KR1020120022835

申请日：2012-03-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이윤기 ,  김승훈 ,  김용식 ,  문창록

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685

Abstract: PURPOSE: An image sensor and a method for forming the same are provided to prevent the interference phenomenon between pixels by arranging a separate substrate lens part between a micro lens and a photoelectric transformation part. CONSTITUTION: A substrate includes a first surface (1a), a second surface, and a plurality of pixels. A photoelectric transformation part is formed in the substrate. Multilayered lines (11) and interlayer dielectrics (9) are formed on the first surface. A substrate lens part protrudes from the second surface. A surface trap region (30a) is adjacent to the surface of the substrate lens part.

Abstract translation: 目的：提供一种图像传感器及其形成方法，以通过在微透镜和光电转换部件之间布置单独的基板透镜部件来防止像素之间的干涉现象。 构成：基板包括第一表面（1a），第二表面和多个像素。 在基板上形成光电变换部。 多层线（11）和层间电介质（9）形成在第一表面上。 基板透镜部从第二表面突出。 表面捕获区域（30a）与衬底透镜部件的表面相邻。

公开(公告)号：KR1020120047368A

公开(公告)日：2012-05-14

申请号：KR1020100108403

申请日：2010-11-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김진호 ,  문창록

IPC: H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14641 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687

Abstract: PURPOSE: An image sensor is provided to form a plurality of contact plugs in an activated area and gate with the same electric potential. CONSTITUTION: A light receiving device(PD1,PD2) is installed in a first side of a substrate. A transistor(Tx1,Tx2,Rx) is formed in a source area, a drain area, and between the source area and the drain area. A gate electrode of the transistor is arranged on a second side of the substrate. A wiring line is arranged on the top side of the second surface. A plurality of contact plugs(C1,C2) is arranged in one of the source area, the drain area, and the gate electrode. The plurality of contact plugs is all connected to the wiring line.

Abstract translation: 目的：提供图像传感器以在激活区域中形成多个接触塞，并具有相同的电位的栅极。 构成：光接收装置（PD1，PD2）安装在基板的第一侧。 晶体管（Tx1，Tx2，Rx）形成在源极区域，漏极区域以及源极区域和漏极区域之间。 晶体管的栅极布置在衬底的第二侧上。 布线在第二表面的顶侧。 多个接触插塞（C1，C2）布置在源区域，漏极区域和栅极电极之一中。 多个接触插塞全部连接到布线。

公开(公告)号：KR100904716B1

公开(公告)日：2009-06-29

申请号：KR1020070057807

申请日：2007-06-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이석하 ,  문창록 ,  이강복

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14641 ,  H04N5/3575 ,  H04N5/3741 ,  H04N5/37457 ,  H04N5/378

Abstract: 수광 효율이 향상된 이미지 센서가 제공된다. 이미지 센서는 행렬 형상으로 어레이된 복수의 광전 변환 소자, 열 방향으로 이웃하는 2개의 광전 변환 소자마다 하나씩 공유되는 플로팅 확산 영역, 광전 변환 소자와 일대일 대응되며, 광전 변환 소자 및 플로팅 확산 영역 사이에 연결되어 있는 전송 트랜지스터, 및 열 방향으로 이웃하며 서로 다른 플로팅 확산 영역과 연결되어 있는 2개의 전하 전송 트랜지스터의 게이트에 공통으로 연결되어 있는 전하 전송 라인을 포함한다.
이미지 센서, 플로팅 확산 영역, 전하 전송 트랜지스터