公开(公告)号：KR1020090083093A

公开(公告)日：2009-08-03

申请号：KR1020080009061

申请日：2008-01-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백종민 ,  정성희 ,  최길현 ,  차태호 ,  박희숙 ,  이병학 ,  박재화

IPC: H01L21/24

CPC classification number: H01L21/28061 ,  H01L29/4933

Abstract: A semiconductor device and a method for fabricating the same are provided to form a semiconductor device including a tungsten thin film of low resistivity by controlling the weight of the nickel. The semiconductor device comprises the alloy film of nickel and tungsten. Particularly, in the total weight of the alloy film of the tungsten and nickel, the weight of the nickel is the range of 0.01 weight% to 5.0 weight%. The tungsten thin film, the tungsten thin film and the nickel thin film are successively deposited and are heated for 5 minutes to 15 minutes under a temperature of 750‹C to 950‹C by the annealing process. The alloy film of the nickel and tungsten is formed by the physical vapor deposition using the sputtering target including the alloy of the nickel and tungsten. The alloy film of the nickel and tungsten comprises a part of the gate pattern, a part of the bit line pattern, and a part of a part of the contact pattern or the wiring pattern.

Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法，以通过控制镍的重量来形成包括具有低电阻率的钨薄膜的半导体器件。 半导体器件包括镍和钨的合金膜。 特别地，在钨和镍的合金膜的总重量中，镍的重量为0.01重量％至5.0重量％的范围。 依次沉积钨薄膜，钨薄膜和镍薄膜，并通过退火工艺在750℃至950℃的温度下加热5分钟至15分钟。 通过使用包括镍和钨的合金的溅射靶的物理气相沉积形成镍和钨的合金膜。 镍和钨的合金膜包括栅极图案的一部分，位线图案的一部分以及接触图案或布线图案的一部分的一部分。

公开(公告)号：KR100713405B1

公开(公告)日：2007-05-04

申请号：KR1020050111354

申请日：2005-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최운택 ,  이주범 ,  백종민 ,  배신은

IPC: H04B1/40 ,  H04L9/32

Abstract: 본 발명은 이동 단말기와 외부 장치 간의 상호 제어를 위한 연동 방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 이동 단말기와 외부 장치간에 통신을 위한 연결하고, 이동 단말기가 외부 장치를 인식하면 외부 장치로 사용자 인증을 요청한 후 외부 장치가 상기 사용자 인증 요청에 대해 사용자로부터 인증을 위한 정보가 입력되면 이를 상기 이동 단말기로 전송하고, 이동 단말기가 인증을 위한 정보를 수신하면 이동 단말기에 미리 설정된 인증 정보와 비교하여 일치하면 외부 장치를 인증하고, 외부 장치가 인증되면, 상기 이동 단말기가 외부 장치와 사용자 데이터를 동기화 시킨 후, 상기 이동 단말기는 사용자에 의해 이동 단말기와 외부 장치 간에 제어하기 위한 입력이 있으면 상호 간에 제어를 위한 동작을 수행한다.

이동 단말기, 컴퓨터, 인터페이스.

Abstract translation: 本发明涉及用于移动终端和外部设备之间的相互控制的互通方法。

公开(公告)号：KR1020060127500A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：KR1020050048523

申请日：2005-06-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종희 ,  김기석 ,  백종민 ,  황현철

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  H01L21/67011

Abstract: A semiconductor device having a shower head is provided to prevent gas leakage by preventing a shock among a nozzle, a nozzle pipe, and a gasket. A shower head-base(120) includes a nozzle(122) and at least one guide pin(124). The nozzle protrudes from a center portion of one surface of the shower head-base. The at least one guide pin is protruded from an edge of one surface of the shower head-base. A shower head(130) includes a nozzle pipe(132) and a guide hole(134). The nozzle pipe engages with the nozzle. The guide hole engages with the guide pin. The shower head further includes a gasket. The nozzle is mounted to the nozzle pipe through the gasket. A process chamber has a space in which a process is performed. A chuck is arranged inside the process chamber, and a wafer is loaded on the chuck. The shower head-base is arranged at an upper portion of the chuck.

Abstract translation: 提供具有喷头的半导体装置，通过防止喷嘴，喷嘴管和垫圈之间的冲击来防止气体泄漏。 喷头（120）包括喷嘴（122）和至少一个引导销（124）。 喷嘴从喷淋头基座的一个表面的中心部分突出。 所述至少一个引导销从所述淋浴头基座的一个表面的边缘突出。 喷头（130）包括喷嘴管（132）和引导孔（134）。 喷嘴管与喷嘴接合。 引导孔与引导销啮合。 淋浴头还包括垫圈。 喷嘴通过垫圈安装到喷嘴管上。 处理室具有进行处理的空间。 卡盘位于处理室的内部，晶片装载在卡盘上。 淋浴头基座设置在卡盘的上部。

公开(公告)号：KR102248911B1

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：KR1020140137631

申请日：2014-10-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박성진 ,  김혜정 ,  배윤규 ,  백종민

IPC: H04W28/04 ,  H04W48/16 ,  H04W88/02

Abstract: 본발명은전자장치및 전자장치에서데이터를처리하는방법에관한것으로, 적어도하나의주변단말의정보를검색하고, 복수의전자장치로전송되는데이터에대한손실을확인하는경우, 상기검색된적어도하나의주변단말의정보를기반으로하여, 상기주변단말들중 적어도하나의단말로상기손실을확인한데이터의전송을요청하고, 상기요청에대응하여, 상기손실을확인한데이터를수신할수 있으며, 그외 다양한실시예가가능할수 있다.

公开(公告)号：KR1020170072416A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：KR1020150180217

申请日：2015-12-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 응우옌,빗하 ,  오신다,토마스 ,  백종민 ,  안상훈 ,  김병희 ,  유우경 ,  이내인

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/764

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295

Abstract: 반도체장치는기판; 기판상에배치되며, 개구부들을갖는제1 층간절연막; 상기개구부들내에제공되는도전패턴들; 상기기판의상기제1 영역의상기도전패턴들상에적층된제1 내지제4 절연패턴들; 및상기제4 절연패턴상의제2 층간절연막을포함할수 있다.

Abstract translation: 一种半导体器件包括衬底; 设置在衬底上并具有开口的第一层间绝缘膜; 在开口中提供导电图案; 堆叠在衬底的第一区域的导电图案上的第一至第四绝缘图案; 以及第四绝缘图案上的第二层间绝缘膜。

公开(公告)号：KR1020170052944A

公开(公告)日：2017-05-15

申请号：KR1020150155098

申请日：2015-11-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김락환 ,  김병희 ,  김진남 ,  백종민 ,  이내인 ,  정은지

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/53266

Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 상기반도체장치는층간절연막, 상기층간절연막내에형성되는제1 폭의제1 트렌치, 상기층간절연막내에형성되고, 상부와하부를포함하는제2 트렌치로, 상기제2 트렌치의제2 폭은상기제1 폭보다넓은제2 트렌치, 상기제1 트렌치를채우고, 제1 금속을포함하는제1 배선및 상기제2 트렌치를채우고, 하부배선과상부배선을포함하는제2 배선을포함하되, 상기하부배선은상기제2 트렌치의하부를채우고상기제1 금속을포함하고, 상기상부배선은상기제2 트렌치의상부를채우고, 상기제1 금속과다른제2 금속을포함한다.

Abstract translation: 提供了一种半导体器件及其制造方法。 该半导体器件包括层间绝缘膜，在第一沟槽中形成，这是在层间绝缘膜上形成具有第一宽度的层之间的绝缘膜，其包括顶部和底部的第二沟槽，所述第二沟槽的第二宽度是该第一 以及第二布线，其填充第一沟槽并填充包括第一金属和第二沟槽的第一布线并且包括下布线和上布线， 上部布线填充沟槽2的下部，上部布线填充第二沟槽的上部并且包括不同于第一金属的第二金属。

公开(公告)号：KR1020150081840A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：KR1020140001745

申请日：2014-01-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최길수 ,  김영일 ,  김정래 ,  백종민 ,  이재순

IPC: G06F3/048 ,  G06F3/14

CPC classification number: G06F3/0488 ,  G06F3/017 ,  G06F3/0346 ,  G06F3/0386 ,  G06F3/04812 ,  G06F3/04883 ,  G06F2203/04803 ,  G08C17/00 ,  G08C2201/32 ,  H04N5/4403 ,  H04N21/422 ,  H04N21/4223 ,  H04N21/4312 ,  H04N21/44218 ,  H04N21/4438

Abstract: 본발명은특정한사용자입력으로원하는어플리케이션, 원하는위치에원하는크기로실행할수 있는디스플레이장치및 그제어방법이제공된다. 본디스플레이장치는, 형상을나타내는사용자입력을수신하는사용자입력수신부와; 영상을처리하는영상처리부와; 상기처리된영상을표시하는디스플레이부와; 상기사용자입력을수신하면, 상기사용자입력의형상에대응하는어플리케이션및 상기디스플레이부의화면에대한상기어플리케이션의실행영역을결정하며, 상기결정된어플리케이션의영상을상기결정된실행영역에표시되도록제어하는제어부를포함하는것을특징으로한다. 이로인하여사용자는영상을시청하면서어플리케이션을편리하게이용할수 있는디스플레이장치및 그제어방법을제공할수 있다.

Abstract translation: 提供了可以按需要的位置和大小以及根据特定用户输入的有用应用来操作的显示设备; 及其控制方法。 显示装置可以包括：用户输入接收单元，其接收具有形状的用户输入; 图像处理单元处理图像; 显示处理图像的显示单元; 与用户输入的形状对应的应用程序; 以及控制单元，其在所述显示单元的屏幕上确定所述应用的执行区域，并将所确定的所述应用的图像显示到所确定的区域。 因此，用户可以在观看图像时使用应用程序。

公开(公告)号：KR1020150015812A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：KR1020130091685

申请日：2013-08-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 라상호 ,  백종민 ,  유우경 ,  안상훈 ,  이내인

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/288 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Provided is a semiconductor device and a method for fabricating the same. The semiconductor device includes: a metal interconnection formed in a low dielectric layer; and a capping layer which includes a first part covering the upper side of the metal interconnection, and a second part covering the upper side of the low dielectric layer. The chemical composition of the first part of the capping layer may be different from the chemical composition of the second part of the capping layer.

Abstract translation: 提供一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：形成在低介电层中的金属互连; 以及封盖层，其包括覆盖金属互连的上侧的第一部分和覆盖低介电层的上侧的第二部分。 覆盖层的第一部分的化学组成可以不同于封盖层的第二部分的化学组成。

公开(公告)号：KR101448852B1

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：KR1020080009061

申请日：2008-01-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백종민 ,  정성희 ,  최길현 ,  차태호 ,  박희숙 ,  이병학 ,  박재화

IPC: H01L21/24

CPC classification number: H01L21/28061 ,  H01L29/4933

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 낮은 저항을 가지는 텅스텐 합금 박막을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 소자는 텅스텐과 니켈의 합금 박막을 포함한다. 특히, 상기 텅스텐과 니켈의 합금 박막의 전체 중량에서 상기 니켈의 중량은 0.01중량% 내지 5.0중량%의 범위 이내인 것이 바람직하다.
텅스텐, 니켈, 열철리, 합금, 게이트 전극

Abstract translation: 半导体器件及其制造方法技术领域本发明涉及半导体器件及其制造方法，更具体地，涉及包括具有低电阻的钨合金薄膜的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：KR1020140101986A

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：KR1020130015297

申请日：2013-02-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이장희 ,  백종민 ,  한규희 ,  최길현 ,  홍종원

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/4821 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L23/5222 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0001

Abstract: Provided are a semiconductor device and a method of fabricating the same. Provided are first lines on a substrate and a first molding layer which covers the first lines. Provided are air gaps between the first lines. The air gaps includes a first gap part which is defined by the lower surface of the first molding layer and the sidewall of the first lines and a second gap part which is defined by the upper surface of the first molding layer and the sidewall of the first lines.

Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 提供了基板上的第一线和覆盖第一线的第一成型层。 提供第一线之间的气隙。 气隙包括由第一模制层的下表面和第一线的侧壁限定的第一间隙部分和由第一模制层的上表面和第一模制层的侧壁限定的第二间隙部分 线。