公开(公告)号：KR1020150017186A

公开(公告)日：2015-02-16

申请号：KR1020130093166

申请日：2013-08-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박광하 ,  김도훈 ,  안진호 ,  오대일 ,  이재인 ,  이현석

IPC: H04W76/02 ,  H04W92/18

CPC classification number: H04W76/14 ,  H04B5/00 ,  H04B10/11 ,  H04M1/7253 ,  H04M2250/04 ,  H04W4/80 ,  H04W8/005 ,  H04W76/10 ,  H04W88/06 ,  H04W92/18

Abstract: 본 개시는 적외선 통신을 통해 데이터 송수신을 제어하는 방법 및 전자 장치에 관한 것으로, 적외선 통신으로 상시 상대 전자 장치에 상기 전자 장치가 제공하는 상기 적외선 통신 이외의 근거리 무선 통신 방식에 대한 정보를 포함하는 제 1 데이터를 송신하고, 상기 제 1 데이터에 기반하여 상기 상대 전자 장치로부터 상기 근거리 무선 통신 연결을 수신하고, 상기 근거리 무선 통신으로 상기 상대 전자 장치로 제 2 데이터를 송신할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于通过红外通信来控制数据接收和传输的方法，其允许电子设备在不知道对方电子设备的识别信息时通过直观的操作选择要连接的短距离通信的对方电子设备 ; 以及使用该方法的电子设备。 根据电子设备的操作方法，电子设备可以发送第一数据，其中包括关于电子设备提供的红外通信除了短距离无线通信的方法的信息给对方的电子设备，接收短距离的连接 基于来自对方电子设备的第一数据的无线通信，并且通过短距离无线通信将第二数据发送到对方电子设备。

公开(公告)号：KR1020140140390A

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：KR1020130061205

申请日：2013-05-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이소영 ,  안진호 ,  박병률 ,  박지순

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/76814 ,  H01L2224/16145

Abstract: 본 발명은 관통전극을 갖는 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 다중막 구조를 갖는 연마정지막을 형성하고, 상기 기판을 일부 관통하는 비아홀을 형성하고, 상기 기판에 제1 세정액을 제공하여 상기 기판을 제1 세정하고, 상기 기판에 상기 제1 세정액과 상이한 제2 세정액을 제공하여 상기 기판을 제2 세정하고; 그리고 상기 비아홀 내에 관통전극을 형성하는 것을 포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造具有通孔的半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：在衬底上形成具有多层结构的抛光停止层，形成部分通过衬底的通孔，首先清洗衬底 通过向所述基板供给第一清洗溶液，通过向所述基板供给与所述第一清洗液不同的第二清洗液，二次清洗所述基板; 并在通孔中形成通孔。

公开(公告)号：KR1020140087798A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：KR1020120158468

申请日：2012-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최원재 ,  안진호 ,  신현영 ,  변종원 ,  하영완

IPC: C12P7/22 ,  C07C41/58 ,  C07C43/243

CPC classification number: Y02P20/544 ,  C12P5/005 ,  C08F12/08 ,  C12P7/00 ,  C12P7/22

Abstract: The present invention relates to a method for preparing styrene or a derivative thereof; and a method for preparing a polymer using the same. The styrene or the derivative thereof can be obtained in a biological manner which has higher specificity than a chemical process. Further, the styrene or the derivative thereof can be obtained in an environment friendly and economical manner in which a lignin degradation product is economically and efficiently obtained by using lignin as a raw material and then used as a substrate.

Abstract translation: 本发明涉及一种制备苯乙烯或其衍生物的方法; 以及使用其制备聚合物的方法。 苯乙烯或其衍生物可以以比化学方法更高的特异性的生物学方式获得。 此外，苯乙烯或其衍生物可以以环境友好和经济的方式获得，其中通过使用木质素作为原料经济地和有效地获得木素分解产物，然后用作基材。

公开(公告)号：KR102031908B1

公开(公告)日：2019-10-14

申请号：KR1020130013451

申请日：2013-02-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최주일 ,  김수경 ,  박건상 ,  손성민 ,  안진호 ,  이도선

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L23/48

公开(公告)号：KR1020170074583A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：KR1020150184029

申请日：2015-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 이상의 ,  임병권 ,  문경석 ,  한인택 ,  강진규 ,  안진호 ,  권나영 ,  복신규 ,  심환수 ,  이주영 ,  임거환

IPC: H01F10/20 ,  H04R9/02 ,  H04R9/06 ,  H01F41/02

CPC classification number: H01F1/053 ,  H01F1/113 ,  H01F41/0253 ,  H04R9/025 ,  H04R19/013 ,  H04R2209/024

Abstract: 헥사페라이트(hexaferrite)를포함하는자성체입자, 및 2 이상의나노파이버(nanofiber)로이루어진나노파이버기재(nano fiber matrix)를포함하는자성시트로서, 자성체입자는나노파이버기재에분산되어있는자성시트, 및그 제조방법과, 자성시트를포함하는스피커가제공된다.

Abstract translation: 一种磁性片材，其特征在于，包含含有六方晶系铁氧体的磁性粒子和含有至少2个纳米纤维的纳米纤维基体，所述磁性粒子是分散在纳米纤维基材中的磁性片材， 提供了一种包括磁性片的制造方法和扬声器。

公开(公告)号：KR1020160066120A

公开(公告)日：2016-06-10

申请号：KR1020140169930

申请日：2014-12-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태영 ,  박병률 ,  김석호 ,  강필규 ,  김효주 ,  안진호 ,  장주희

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/04 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14515 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  Y02E10/549 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/08 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00012 ,  H01L22/00 ,  H01L21/304 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68381 ,  H01L21/78

Abstract: 본발명은적층구조를갖는반도체소자및 그제조방법에관한것으로, 반도체소자는제1 반도체칩 상에제2 반도체칩이적층된적어도하나의싱글블록을포함한다. 제1 및제2 반도체칩 각각은관통전극을갖는반도체기판, 상기반도체기판의전면상에제공된회로층, 및상기회로층내에제공되고상기관통전극과전기적으로연결된전면패드를포함한다. 상기제1 반도체기판의전면은상기제2 반도체기판의전면을마주보며그리고상기제1 회로층과상기제2 회로층이직접접촉되어, 상기제1 반도체칩과상기제2 반도체칩이결합된다.

Abstract translation: 本发明涉及具有层叠结构的半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括至少一个单块，其中第二半导体芯片层压在第一半导体芯片上。 第一和第二半导体芯片分别包括：包括通孔的半导体衬底; 放置在半导体衬底的前表面上的电路层; 以及放置在电路层中并与通孔电连接的前焊盘。 第一半导体衬底的前表面面向第二半导体衬底的前表面，并且第一和第二电路层直接相互接触，因此第一和第二半导体芯片彼此组合。 因此，本发明能够通过形成双块来提高成品率。

公开(公告)号：KR1020160057077A

公开(公告)日：2016-05-23

申请号：KR1020140157801

申请日：2014-11-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장주희 ,  강필규 ,  김석호 ,  김태영 ,  김효주 ,  박병률 ,  박점용 ,  안진호 ,  이규하 ,  홍의관

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953

Abstract: 반도체장치제조방법에서, 제1 기판상에형성된제1 층간절연막에제1 개구를형성한다. 제1 개구의내벽및 제1 층간절연막상에제1 배리어막을형성한다. 제1 배리어막상에제1 개구의나머지부분을채우는제1 도전막을형성한다. 제1 층간절연막상면이노출될때까지제1 도전막및 제1 배리어막에 CMP 공정을수행하여, 제1 배리어막패턴및 제1 배리어막패턴의상면보다높은상면을갖는제1 도전패턴을포함하는제1 도전패턴구조물을형성한다. 제1 도전패턴구조물및 제1 층간절연막상에제1 본딩절연막구조물을형성한다. 제1 도전패턴구조물의상면이노출될때까지제1 본딩절연막구조물을평탄화한다. 제1 기판에서와유사하게제2 도전패턴구조물, 제2 층간절연막, 제2 본딩절연막구조물을포함하는제2 기판을형성한다. 제1 및제2 도전패턴구조물들이서로접촉하도록제1 및제2 기판들을서로본딩한다.

Abstract translation: 一种半导体器件的制造方法，其可以通过提高层间绝缘层之间的粘合力来提高半导体器件的可靠性，包括：在形成在第一基板上的第一层间绝缘层中形成第一开口; 在所述第一开口的内壁和所述第一层间绝缘层上形成第一阻挡层; 在所述第一阻挡层上形成第一导电层以填充所述第一开口的剩余部分; 通过对所述第一导电层和所述第一阻挡层进行CMP处理，形成包括第一阻挡层图案和第一导电图案的第一导电图案结构，所述第一导电图案具有比所述第一势垒层图案的上表面高的上表面， 露出第一层间绝缘层的表面; 在所述第一导电图案结构和所述第一层间绝缘层上形成第一接合绝缘层结构; 平面化第一接合绝缘层结构直到第一导电图案结构的上表面露出; 与第一基板类似地形成包括第二导电图案结构，第二层间绝缘层和第二接合绝缘层结构的第二基板; 以及将所述第一和第二基板彼此接合以使所述第一和第二导电图案结构彼此接触。

公开(公告)号：KR1020160010081A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：KR1020140090916

申请日：2014-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강필규 ,  김석호 ,  김태영 ,  김효주 ,  박병률 ,  박연상 ,  안진호 ,  이호진 ,  장주희 ,  정덕영

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/00012

Abstract: 예시적인실시예들에따른반도체장치의제조방법은제1 개구의내벽및 제1 층간절연막상에제1 확산방지절연막을형성하고, 제1 확산방지절연막을이방성식각하여제1 확산방지절연패턴을형성할수 있다. 제1 확산방지절연패턴이형성된제1 개구를채우고제1 도전패턴구조물을형성할수 있다. 제2 개구의내벽및 제2 층간절연막상에제2 확산방지절연막을형성할수 있다. 제2 확산방지절연막을이방성식각하여제2 확산방지절연패턴을형성하고, 제2 확산방지절연패턴이형성된제2 개구를채우는제2 도전패턴구조물을형성할수 있다. 제1 및제2 도전패턴구조물들이각각형성된제1 및제2 기판들중 적어도하나에플라즈마처리공정을수행하여제1 및제2 기판들을서로접합시킬수 있다. 제1 및제2 도전패턴구조물들은제2 및제1 층간절연막들과각각접촉하지않고제1 및제2 확산방지절연패턴들은서로접촉하므로, 각각의기판에포함된도전패턴구조물들을높은신뢰성을갖고전기적으로연결할수 있다.

Abstract translation: 根据本发明的实施例的半导体器件的制造方法可以在第一孔径和第一层间绝缘膜的内壁上形成第一防扩散绝缘图案，并且可以通过进行各向异性蚀刻形成第一防扩散绝缘膜 第一个防扩散绝缘膜。 填充第一扩散防止绝缘图案的第一孔，以形成第一导电图案结构。 可以在第二孔和第二层间绝缘膜的内壁上形成第二防扩散绝缘膜。 可以通过对第二防扩散绝缘膜进行各向异性蚀刻来形成第二扩散防止绝缘图案，并且可以形成填充由第二扩散防止绝缘图案形成的第二孔的第二导电图案结构。 第一基板和第二基板可以通过对分别形成第一和第二导电图案结构的第一基板和第二基板中的至少一个执行等离子体处理工艺而彼此接合。 由于第一导电图案结构和第二导电图案结构分别不与第二和第一层间绝缘膜接触，而是第一和第二扩散防止绝缘图案彼此接触，所以每个基板中包括的导电图案结构 可以电连接高可靠性。

公开(公告)号：KR1020150019089A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：KR1020130095486

申请日：2013-08-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정덕영 ,  강필규 ,  박병률 ,  박지순 ,  손성민 ,  안진호 ,  이호진

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 본 발명은 관통전극을 갖는 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 기판의 활성면 상에 집적회로를 형성하는 것, 상기 집적회로를 덮고 금속배선을 포함하는 층간절연막을 형성하는 것, 상기 활성면의 반대면인 비활성면으로부터 상기 기판을 관통하여 상기 금속배선을 노출하는 비아 홀을 형성하는 것, 상기 비아 홀의 내벽을 따라 연장되는 비아절연막을 형성하는 것 및 상기 비아 홀을 채우는 관통전극을 형성하는 것을 포함하고, 상기 층간절연막은 제 1 유전막과 상기 제 1 유전막보다 유전상수가 작은 제 2 유전막을 포함하고, 상기 비아 홀의 형성 시, 상기 제 2 유전막의 일부가 식각되어 리세스 영역이 형성되고, 상기 비아절연막은 상기 리세스 영역을 채우는 반도체 소자의 제조 방법이 제공될 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及包括通孔及其制造方法的半导体器件。 本发明提供半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板的有源面上形成集成电路; 形成包含金属线并覆盖所述集成电路的层间电介质层; 形成通孔，以通过从与所述有源表面相对的非活性表面穿过所述基板而暴露所述金属线; 形成沿所述通孔的内壁延伸的通孔绝缘层; 并形成通孔以填充通孔。 层间绝缘层包括：介电常数低于第一介电层的介电常数的第一电介质层和第二电介质层。 当形成通孔时，通过蚀刻第二介电层的一部分形成凹陷区域。 通孔绝缘层填充凹部区域。

公开(公告)号：KR1020140065282A

公开(公告)日：2014-05-29

申请号：KR1020120132601

申请日：2012-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최주일 ,  김수경 ,  박건상 ,  손성민 ,  안진호 ,  이도선

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: The present invention provides a semiconductor device where through silicon via (TSV) is effectively formed according to the reduction of a device while an insulation layer surrounding the TSV is formed in a sufficient thickness, method for manufacturing the semiconductor device and a semiconductor package including the semiconductor device. The semiconductor device comprises a substrate where a recess region is formed at a particular part of a rear side; a wiring part formed on the front side of the substrate and having at least one wiring layer; An insulation layer formed at the rear side of the substrate and having a first part filling the recess region and a second part covering the rear surface of the substrate other than the recess region; and multiple TSVs electrically connected to at least one wiring layer by penetrating the first part.

Abstract translation: 本发明提供了一种半导体器件，其中根据器件的减少有效地形成通孔硅通孔（TSV），同时以足够的厚度形成围绕TSV的绝缘层，制造半导体器件的方法以及包括 半导体器件。 半导体器件包括在后侧的特定部分处形成有凹部的基板; 布线部，形成在所述基板的前侧，具有至少一个布线层; 绝缘层，其形成在所述基板的后侧，并且具有填充所述凹部区域的第一部分和覆盖所述基板的除了所述凹部区域的所述背面之外的第二部分; 以及通过穿透第一部分而与至少一个布线层电连接的多个TSV。