公开(公告)号：KR1020110059476A

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：KR1020090116222

申请日：2009-11-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정대 ,  이다희 ,  채승기 ,  전필권 ,  임광신

IPC: H01L21/3213 ,  H01L23/525

CPC classification number: H01L21/32134 ,  H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A composite for etching copper is provided to reduce a defect by removing impurities remaining on the cut part of a fuse line. CONSTITUTION: A fuse line with copper is prepared on a semiconductor substrate(S10). A fuse line is cut by irradiating a laser beam to the fuse line(S50). Copper and copper oxide remaining on the cut part of the fuse line are removed by applying the composite for etching copper to the semiconductor substrate. The cut part of the fuse line is minutely etched(S60). The composite for etching copper includes organic acid of 0.01 to 10 weight%, oxidizer of 0.01 to 1 weight%, and protic solvent.

Abstract translation: 目的：提供一种用于蚀刻铜的复合材料，以通过去除保险丝线断开部分上残留的杂质来减少缺陷。 构成：在半导体衬底上制备具有铜的熔丝线（S10）。 通过将激光束照射到熔丝线来切断熔丝线（S50）。 通过将用于蚀刻铜的复合材料涂覆到半导体衬底上，可以去除保留在熔丝线的切割部分上的铜和氧化铜。 熔丝线的切割部分被微蚀刻（S60）。 用于蚀刻铜的复合材料包括0.01至10重量％的有机酸，0.01至1重量％的氧化剂和质子溶剂。

公开(公告)号：KR100729228B1

公开(公告)日：2007-06-15

申请号：KR1020010078513

申请日：2001-12-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이헌정 ,  김경대 ,  박상오 ,  이보용 ,  이기석 ,  전필권

IPC: G01N9/00

Abstract: 가스 기류를 유지하면서 설비 내의 가스의 농도를 검출하는 장치가 개시되어 있다. 가스가 채워져 있는 밀폐된 설비의 내벽에 설치되고, 발광부 및 반사광의 파장의 세기 변화를 측정하여 상기 가스의 농도를 검출하는 검출부를 포함하는 하우징과, 상기 하우징으로부터 상기 설비의 내부로 연장되는 지지대와, 상기 지지대의 단부에 장착되고, 상기 발광부에서 조사되는 광을 검출부로 반사시키는 반사경 및 상기 하우징으로 상기 가스가 유입되지 않도록 차단시키는 차단창을 구비하는 설비 내부의 가스 검출 장치를 제공한다. 상기 가스 검출 장치는 지지대와 반사경을 설비 내부에 장착시킴으로서, 설비 내부의 가스의 기류를 변동시키지 않으면서 상기 설비 내에 유동하는 소정 가스의 농도를 측정할 수 있다.

公开(公告)号：KR100705416B1

公开(公告)日：2007-04-10

申请号：KR1020050051421

申请日：2005-06-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정대 ,  전필권 ,  한명옥 ,  김세연 ,  임광신 ,  최태효 ,  채승기 ,  이양구

IPC: G03F7/42

CPC classification number: C11D7/5013 ,  C11D7/263 ,  C11D7/266 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047

Abstract: 포토레지스트 및 식각 잔류물을 효과적으로 제거할 수 있는 포토레지스트 제거용 조성물, 이의 제조방법, 이를 이용한 포토레지스트 제거 방법 및 반도체 장치 제조방법에서, 상기 포토레지스트 제거용 조성물은 하기 구조식을 갖는 알콜아미드계 화합물 5 내지 20중량%, 극성 비양자성 용매 15 내지 60중량%, 첨가제 0.1 내지 6중량% 및 여분의 물을 포함한다. 포토레지스트 및 미세 식각 잔류물을 효과적으로 제거할 수 있을 뿐만 아니라 포토레지스트 제거시 노출된 금속배선의 손상을 최소화할 수 있다.
------(구조식)
(식중, R1은 수산기 또는 하이드록시 알킬기이고, R2는 수소 또는 하이드록시 알킬기이다)

公开(公告)号：KR100655647B1

公开(公告)日：2006-12-08

申请号：KR1020050059768

申请日：2005-07-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김세연 ,  전필권 ,  박정대 ,  한명옥 ,  김재욱 ,  채승기 ,  김국주 ,  이재석 ,  고용균 ,  임광신 ,  이양구

IPC: H01L21/304

Abstract: A cleaning composition for a semiconductor substrate is provided to remove polymer without damaging a conductive structure in cleaning a substrate with the conductive structure by including an organic ammonium fluoride aqueous solution, a buffer agent and an anti-corrosion agent. A cleaning composition for a semiconductor substrate is fabricated which includes an organic fluoride ammonium aqueous solution of 80-99.8999 weight percent, a buffer agent of 0.1~5 weight percent and an anti-corrosion agent of 0.0001~15 weight percent(S110). The organic fluoride ammonium aqueous solution includes an alkylammonium compound, a fluoride compound and deionized water. The anti-corrosion agent includes at least an alkanesulphonic acid-based compound. By using the cleaning composition with respect to the semiconductor substrate having a conductive structure with polymer residue, the polymer, the organic fluoride ammonium aqueous solution and the buffer agent are reacted to remove the polymer. An anti-corrosion layer is formed on the conductive structure(S120). The semiconductor substrate is rinsed(S130). The semiconductor substrate is dried(S140).

Abstract translation: 提供一种用于半导体基板的清洁组合物，其通过包含有机氟化铵水溶液，缓冲剂和防腐蚀剂来在用导电结构清洁基板时去除聚合物而不损坏导电结构。 制备用于半导体衬底的清洁组合物，其包含80-99.8999重量％的有机氟化铵铵水溶液，0.1-5重量％的缓冲剂和0.0001-15重量％的防腐蚀剂（S110）。 有机氟化铵铵水溶液包括烷基铵化合物，氟化物和去离子水。 防腐蚀剂至少包含烷烃磺酸类化合物。 通过对具有导电结构的半导体基板使用具有聚合物残渣的清洁组合物，聚合物，有机氟化铵铵水溶液和缓冲剂反应以除去聚合物。 在导电结构上形成防腐蚀层（S120）。 冲洗半导体衬底（S130）。 将半导体衬底干燥（S140）。

公开(公告)号：KR1020060083107A

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：KR1020050074938

申请日：2005-08-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이성재 ,  전상문 ,  이양구 ,  전필권 ,  황동원 ,  이재석

IPC: G01N21/25

Abstract: 케미컬 용액의 오염도 측정 방법 및 이의 시스템에 관한 것으로서, 제1 파장에서 케미컬 용액의 샘플에 대한 제1 광학 특성을 검출하고, 제2 파장에서의 예상 광학 특성을 상기 제1 광학 특성을 이용하여 예측한다. 그리고, 제2 파장에서 상기 샘플의 제2 광학 특성을 검출한다. 이어서, 상기 제2 광학 특성과 상기 예상 광학 특성을 비교하여 상기 샘플 내의 특정 오염 물질의 오염도를 측정한다.

公开(公告)号：KR100581279B1

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：KR1020030035404

申请日：2003-06-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박동진 ,  전상문 ,  도인회 ,  전필권

IPC: G03F7/32

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3263 ,  G03F7/425 ,  H01L21/31133 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00014

Abstract: 간단한 공정으로 효과적으로 포토레지스트를 제거할 수 있는 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 범프 형성방법이 개시되어 있다. 금속 배선 패턴이 형성된 기판 상에 상기 금속 패턴의 상부를 부분적으로 노출시키는 개구부를 갖는 보호막 패턴을 형성한다. 상기 보호막 패턴상에 범프 개구부를 갖는 포토레지스트 패턴하고, 상기 범프 개구부에 금속을 성장시켜 범프를 형성한다. 다음에, 상기 포토레지스트 패턴을 모노에탄올아민 및 디메틸아세트아미드를 주성분으로 함유하는 포토레지스트 스트립퍼용액으로 제거한다. 효율적으로 완벽하게 포토레지스트 패턴을 제거할 수 있다.

公开(公告)号：KR100481858B1

公开(公告)日：2005-04-11

申请号：KR1020020042851

申请日：2002-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고용균 ,  이헌정 ,  전필권 ,  박상오 ,  전상문 ,  김진성 ,  임광신

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034

Abstract: 공비혼합 효과를 이용하여 반도체기판을 건조시키는 장비 및 상기 장비를 사용하는 건조방법을 제공한다. 이 건조장비는 액체를 저장하는 액조, 상기 액조의 상부에 설치된 챔버, 및 상기 액체의 표면에 유기용매를 공급하는 분배기를 구비한다. 상기 분배기를 통하여 유기용매가 공급되면, 상기 액체의 표면에 공비 혼합물층이 형성되고 상기 공비 혼합물층 상에 유기용매층이 형성된다. 상기 유기용매층 및 상기 유기용매층 상의 대기는 히터에 의해 가열된다. 또한, 상기 챔버의 내부는 건조가스관에 의해 공급되는 건조가스로 채워진다. 상기 건조방법은 액조 내에 저장된 액체 내에 반도체기판을 담구는 것과 상기 액체의 표면에 유기용매를 공급하는 것을 구비한다. 이에 따라, 상기 액체의 표면에 공비 혼합물층이 형성되고 상기 공비 혼합물층 상에 상기 공비 혼합물층보다 높은 농도를 갖는 유기용매층이 형성된다. 이어서, 상기 반도체기판을 상승시킴과 동시에 상기 유기용매층을 지나는 반도체기판의 표면을 가열시킨다. 그 결과, 상기 반도체기판의 표면 상에 잔존하는 유기용매 용액(organic solvent solution) 내의 수분이 완전히 증발된다. 다음에, 상기 반도체기판에 잔존하는 유기용매를 건조가스를 사용하여 제거한다.

公开(公告)号：KR100471191B1

公开(公告)日：2005-02-21

申请号：KR1020040083689

申请日：2004-10-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이헌정 ,  박상오 ,  고용균 ,  전필권

IPC: H01L21/304

Abstract: 반도체기판의 세정/건조 공정에 사용되는 웨이퍼 가이드를 제공한다. 상기 웨이퍼 가이드는 지지판넬과 상기 지지판넬의 일 면에 부착된 적어도 3개의 평행한 수직 판넬들을 포함한다. 상기 적어도 3개의 수직 판넬들은 상기 지지판넬의 중심부를 지나는 중심 판넬을 포함한다. 상기 수직 판넬들의 각각은 수직한 바디 판넬과 상기 바디 판넬의 상부면으로부터 상부로 연장된 복수개의 돌출부들을 포함한다. 이에 따라, 상기 돌출부들 사이에 복수개의 슬롯들이 한정된다. 상기 슬롯들 내에 복수개의 반도체 웨이퍼들이 끼워진다. 적어도 상기 중심 판넬에 정렬 수단이 설치된다. 상기 정렬 수단은 상기 슬롯들에 끼워진 웨이퍼들이 서로 균일한 간격으로 이격되도록 상기 슬롯들의 실제 폭들을 조절한다.

公开(公告)号：KR100457036B1

公开(公告)日：2005-01-15

申请号：KR1019980008061

申请日：1998-03-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이진희 ,  이성재 ,  이석호 ,  전필권

IPC: H01L21/02

Abstract: PURPOSE: Gas analysis equipment for fabricating a semiconductor device is provided to prevent a process defect caused by hydrogen fluoride by analyzing the quantity of the hydrogen fluoride existing in tungsten fluoride gas used in a process for fabricating a semiconductor device. CONSTITUTION: A Fourier transform infrared spectrophotometer analyzes the spectrum obtained by injecting infrared to a supplied gas to determine the quantity of liquid impurity included in the supplied gas. A hydrogen fluoride supply unit supplies hydrogen fluoride for a reference to the inside of the Fourier transform infrared spectrophotometer. A tungsten fluoride gas supply unit supplies tungsten fluoride gas for an analysis to the inside of the Fourier transform infrared spectrophotometer.

公开(公告)号：KR1020040022355A

公开(公告)日：2004-03-12

申请号：KR1020020053631

申请日：2002-09-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고용균 ,  류재준 ,  이헌정 ,  전필권

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034

Abstract: PURPOSE: An apparatus for drying a substrate is provided to form a stable isopropyl alcohol vapor region inside a receptacle and uniformly perform a stable dry process on semiconductor substrates by making clean air from being intercepted by a cover such that the clean air is induced to the inside of the receptacle through an opening of the receptacle. CONSTITUTION: The opening(202a) is formed in the upper portion of the receptacle(202). Isopropyl alcohol vapor(10) for drying a plurality of substrates(W) is received in the receptacle. A support unit(212) vertically supports each of the plurality of substrates in the receptacle and horizontally supports the plurality of substrates in parallel with each other, extending to a portion over the receptacle through the opening of the receptacle. The cover(228) intercepts the clean air that is directly induced from an air cleaner(260) disposed in a portion over the receptacle to the inside of the receptacle through the opening of the receptacle.

Abstract translation: 目的：提供一种用于干燥基材的装置，以在容器内部形成稳定的异丙醇蒸汽区域，并通过使盖子被干净的空气吸收而使清洁空气被引导到半导体基板上，从而对半导体基板进行稳定的干燥处理 通过容器的开口在容器的内部。 构成：开口（202a）形成在容器（202）的上部。 用于干燥多个基材（W）的异丙醇蒸气（10）被容纳在容器中。 支撑单元（212）垂直地支撑插座中的多个基板中的每一个并且彼此平行地水平地支撑多个基板，通过插座的开口延伸到插座上方的一部分。 盖228拦截从设置在容器上的部分中的空气滤清器（260）直接引导的清洁空气，通过容器的开口到容器的内部。