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公开(公告)号：KR1019980076282A
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019970012934
申请日：1997-04-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/48
Abstract: 본 발명은 반도체 칩 패키지의 리드프레임에 관한 것으로, 리드프레임의 타이바에 홈을 형성시킴으로써 그 리드프레임을 사용한 반도체 패키지의 성형 공정에서 성형 수지 흐름의 영향을 감소시켜 타이바의 휨을 방지함으로써, 성형 수지가 금형을 통하여 충진될 때 리드프레임의 타이바가 성형 수지의 흐름에 의하여 휘게 되어 와이어와 칩이 접촉하는 불량의 발생을 억제하는 장점이 있다.
또한, 와이어와 칩의 접촉으로 인한 누설 전류의 발생을 억제하며 제품의 구조적인 안정성을 높이는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR1020160017840A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：KR1020140101114
申请日：2014-08-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/518 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/4234 , H01L29/7883 , H01L29/792 , H01L29/78696 , H01L29/78642
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체장치는, 채널영역을포함하는기판, 기판상에순차적으로배치된터널링층, 전하저장층및 블록킹층을포함하는게이트유전층, 및게이트유전층상에배치되는게이트전극을포함하고, 터널링층은채널영역에수직한방향에서질소의농도가변화되며, 터널링층의중심으로부터전하저장층을향해시프트된위치에서최대질소농도를갖는다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，半导体器件包括：基板，包括沟道区; 包括依次放置在基板上的隧道层，电荷存储层和阻挡层的栅介质层; 以及放置在栅介质层上的栅电极。 隧穿层的浓度在垂直于沟道面积的方向上发生变化，并且具有从隧道层中心向电荷存储层偏移的位置的最大氮浓度。
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公开(公告)号：KR1020150113634A
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：KR1020140037880
申请日：2014-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/28282 , H01L27/11582 , H01L29/518 , H01L27/11543
Abstract: 터널절연막구조물, 터널절연막구조물의제조방법및 터널절연막구조물을포함하는수직형메모리장치를개시한다. 상기터널절연막구조물은제1 터널절연막, 제2 터널절연막, 제3 터널절연막, 제4 터널절연막및 제5 터널절연막을포함한다. 상기제1 터널절연막은기판상에배치되며, 제1 밴드갭에너지를갖는다. 상기제2 터널절연막은상기제1 터널절연막상에배치되며, 상기제1 밴드갭에너지보다작은제2 밴드갭에너지를갖는다. 상기제3 터널절연막은상기제2 터널절연막상에배치되며, 상기제2 밴드갭에너지보다큰 제3 밴드갭에너지를갖는다. 상기제4 터널절연막은상기제3 터널절연막상에배치되며, 상기제3 밴드갭에너지보다작은제4 밴드갭에너지를갖는다. 상기제5 터널절연막은상기제4 터널절연막상에배치되며, 상기제4 밴드갭에너지보다큰 제5 밴드갭에너지를갖는다.
Abstract translation: 公开了隧道绝缘膜结构，隧道绝缘膜结构的制造方法和包括隧道绝缘膜结构的垂直存储装置。 隧道绝缘膜结构包括第一隧道绝缘膜，第二隧道绝缘膜，第三隧道绝缘膜，第四隧道绝缘膜和第五隧道绝缘膜。 第一隧道绝缘膜布置在基板上，并且具有第一带隙能量。 第二隧道绝缘膜布置在第一隧道绝缘膜上，并且具有小于第一带隙能量的第二带隙能量。 第三隧道绝缘膜布置在第二隧道绝缘膜上，并且具有大于第二带隙能量的第三带隙能量。 第四隧道绝缘膜布置在第三隧道绝缘膜上，并且具有小于第三带隙能量的第四带隙能量。 第五隧道绝缘膜布置在第四隧道绝缘层上，并且具有大于第四带隙能量的第五带隙能量。
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公开(公告)号：KR101493748B1
公开(公告)日：2015-03-02
申请号：KR1020080056208
申请日：2008-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G07F9/02 , G06Q30/0224 , G06Q30/0269
Abstract: 물품 제공장치, 디스플레이 장치 및 이를 이용한 GUI 제공방법이 제공된다. 본 물품 제공장치는, 디스플레이부, 추출부 및 특성 정보에 대응되는 영상이 디스플레이되도록 제어하는 제어부를 포함한다. 이에 의해, 사용자의 특성 정보에 따라 서로 다른 화면을 사용자에게 제공함으로써, 사용자 입장에서는 보다 쉽고 간편하게 물품을 구매할 수 있게 하고, 제공자 입장에서는 사용자의 구매 욕구를 환기시켜 매출이 증대될 수 있게 한다.
특성 정보-
公开(公告)号：KR1020140133983A
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：KR1020130053509
申请日：2013-05-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/764 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7926 , H01L21/28282 , H01L27/11582 , H01L29/66833 , H01L29/7889 , H01L27/11556 , H01L29/515
Abstract: 반도체 소자의 제조 방법이 개시된다. 상기 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 기판 상에 제1 방향으로 서로 이격된 복수 개의 게이트 구조물들을 형성한다. 실란(SiH
4 )가스를 이용하는 화학기상증착(CVD) 공정을 수행하여, 인접하는 상기 게이트 구조물들 사이에 위치하는 에어 갭(air gap)을 둘러싸는 절연막 패턴을 형성한다. 상기 제1 방향으로 상기 에어 갭의 폭은 상기 제1 방향으로 상기 인접하는 게이트 구조물들 사이의 거리의 65% 이상이고, 70% 이하이다.Abstract translation: 公开了一种制造半导体器件的方法。 在半导体器件的制造方法中，形成有在基板上沿第一方向彼此分离的多个栅极结构。 形成绝缘层图案，其通过使用硅烷（SiH 4）气体进行化学气相沉积（CVD）的工艺来封闭位于相邻栅极结构之间的气隙。 第一方向上的气隙的宽度为65％以上，相邻的栅极结构之间的距离为第一方向的70％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100090928A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：KR1020090010160
申请日：2009-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: A communication method for an air conditioner is provided to perform communication with multiple indoor units using different frequency channels and refrigerant pipes. CONSTITUTION: A communication method for an air conditioner is as follows. One or more indoor units are set as outdoor unit groups by operating outdoor units and sensing a temperature change of the indoor units(350). The outdoor unit groups communicate with the indoor units using different frequency channels.
Abstract translation: 目的：提供一种用于空调的通信方法，用于使用不同的频道和制冷剂管道与多个室内机进行通信。 构成：空调的通信方法如下。 一个或多个室内单元通过操作室外单元并感测室内单元（350）的温度变化而被设置为室外单元组。 室外机组使用不同的频道与室内机进行通信。
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公开(公告)号：KR1020090069806A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：KR1020070137605
申请日：2007-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L27/1225
Abstract: A display substrate including a thin film transistor having with reliability, a display device including the same, a manufacturing method of the display substrate are provided to reduce power consumption by reducing voltage range necessary for driving a thin film transistor. A gate insulating layer(30) is formed on a gate electrode(26). An oxide semiconductor pattern is formed on the gate isolation layer. A source electrode is formed in the oxide semiconductor pattern image. A drain electrode is formed in the oxide semiconductor pattern image. The drain electrode is separated from the source electrode. The gate isolation layer, contacting the oxide semiconductor pattern, at least partial area is plasma processed. The partial domain of the oxide semiconductor pattern which is plasma processed is exposed by the source electrode and drain electrode.
Abstract translation: 提供具有可靠性的薄膜晶体管的显示基板，包括该薄膜晶体管的显示装置，提供显示基板的制造方法，以通过减小驱动薄膜晶体管所需的电压范围来降低功耗。 栅极绝缘层（30）形成在栅电极（26）上。 在栅极隔离层上形成氧化物半导体图形。 在氧化物半导体图案图像中形成源电极。 在氧化物半导体图案图像中形成漏电极。 漏电极与源电极分离。 接触氧化物半导体图案的至少部分区域的栅极隔离层是等离子体处理的。 等离子体处理的氧化物半导体图案的部分区域由源电极和漏电极露出。
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公开(公告)号：KR1020090026535A
公开(公告)日：2009-03-13
申请号：KR1020070091583
申请日：2007-09-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/44
CPC classification number: G06F8/65
Abstract: An image system including the image device and their software upgrade method for wireless transmitting the software are provided to upgrade the device by wirelessly transmitting the software of the image device by being mounted on STB(Set-Top Box) or display. A communications unit(130) communicates with an external video displayer(200). According to the controller(160) is the software for upgrade, the upgrade is performed. The controller receives the upgrade result of the external video displayer through the communications unit. In case error is generated in one process among the reboot process for implementing the software for the upgrading process of the software for upgrade and upgrade, controller performs the roll back.
Abstract translation: 提供包括用于无线发送软件的图像设备及其软件升级方法的图像系统，以通过安装在STB（机顶盒）或显示器上的图像设备的软件进行无线发送来升级设备。 通信单元（130）与外部视频显示器（200）进行通信。 根据控制器（160）是升级软件，进行升级。 控制器通过通信单元接收外部视频显示器的升级结果。 如果在升级和升级软件的升级过程的软件的重新引导过程中的一个进程中产生错误，则控制器执行回滚。
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公开(公告)号：KR1020080070313A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：KR1020070008237
申请日：2007-01-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/2053 , H01L29/06 , H01L29/78618
Abstract: A display device and a manufacturing method of the same are provided to form first and second layers including polysilicon and a halogen material respectively and to form a channel region between source and drain electrodes so as to keep uniform quality of a thin film transistor. A display device comprises an insulating substrate, a semiconductor layer, a source electrode(240), a drain electrode(250), and a resist contact layer(230). The semiconductor layer includes a first layer(220a) including polysilicon and a halogen material of a first content, and a second layer(220b) including polysilicon and a halogen material of a second content which is lower than the first content. A part of the source electrode is on the semiconductor layer. A channel region(c) is formed between the source electrode and the drain electrode. The halogen material is fluorine.
Abstract translation: 提供显示装置及其制造方法以分别形成包括多晶硅和卤素材料的第一和第二层，并在源极和漏极之间形成沟道区域，以保持薄膜晶体管的均匀质量。 显示装置包括绝缘基板，半导体层，源电极（240），漏电极（250）和抗蚀剂接触层（230）。 半导体层包括包括多晶硅和第一含量的卤素材料的第一层（220a）和包含多晶硅的第二层（220b）和低于第一含量的第二含量的卤素材料。 源电极的一部分在半导体层上。 在源电极和漏电极之间形成沟道区（c）。 卤素材料是氟。
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公开(公告)号：KR100840328B1
公开(公告)日：2008-06-20
申请号：KR1020020038919
申请日：2002-07-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1339
Abstract: 본 발명은 스페이서용 기둥과 도메인 분할용 돌기를 동시에 형성하는 방법에 관한 것으로 기판 위에 감광제를 도포하여 감광층을 형성하는 단계, 감광층 위에 제1 기둥 영역과 제1 돌기 영역을 한정하는 마스크 패턴을 가지는 광마스크를 배치하는 단계, 광마스크를 통하여 감광층을 제1차 노광하는 단계, 마스크 패턴이 감광층의 제2 기둥 영역 및 제2 돌기 영역을 한정하도록 광마스크를 소정 거리 이동하여 재배치하는 단계, 광마스크를 통하여 감광층을 제2차 노광하는 단계, 제1차 및 제2차 노광된 감광층을 현상하는 단계, 현상된 감광층을 열처리하는 단계를 포함하고, 제1 기둥 영역은 제2 기둥 영역과 부분적으로 중첩하고, 제1 돌기 영역은 제2 돌기 영역과 부분적으로 중첩한다.
액정 표시 장치, 돌기, 기둥
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