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公开(公告)号：KR1020170088690A
公开(公告)日：2017-08-02
申请号：KR1020160008910
申请日：2016-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02B27/2214 , G02B6/005 , G03H1/0808 , G03H1/2294 , G03H2210/30 , G03H2226/02 , G06F17/142 , H04N13/31 , H04N13/32 , H04N13/351 , H04N13/356 , H04N13/366
Abstract: 지향성백라이트유닛, 3차원영상디스플레이장치, 및 3차원영상디스플레이방법이개시된다. 개시된지향성백라이트유닛은출사면에제1 및제2 군의격자요소들을포함하는다수의격자요소들이마련된도광판을포함하며, 이러한다수의격자요소들은제1 군의격자요소들과제2 군의격자요소들에서출광된광들이다수의화소지점들을공통적으로통과하여영역이서로겹치지않는제1 군의시점들과제2 군의시점들을형성하도록한다.
Abstract translation: 公开了定向背光单元，三维图像显示装置和三维图像显示方法。 所公开的定向背光单元包括导光板，导光板设置有在发射表面上的包括第一和第二组光栅元件的多个光栅元件，其中多个光栅元件被分成第一组光栅元件和第二组光栅元件 以便形成彼此不重叠的第一组视点的区域和第二组视点的区域。
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公开(公告)号：KR1020170068306A
公开(公告)日：2017-06-19
申请号：KR1020150175346
申请日：2015-12-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02B6/005 , G02B6/00 , G02B6/0026 , G02B6/0068 , G02B27/22 , G02F1/133606 , G02F1/133615
Abstract: 지향성백라이트유닛및 이를포함한입체영상표시장치가개시된다. 개시된백라이트유닛은, 광원, 상기광원으로부터조사된광을안내하는도광판및 복수개의섹션을포함하고, 상기복수개의섹션마다상기도광판으로부터출광되는광의출광방향을조절하도록된 그레이팅패턴세트를포함하는회절소자를포함한다.
Abstract translation: 公开了定向背光单元和包括其的立体图像显示装置。 所公开的背光单元包括光源，用于引导从光源照射的光的导光板以及多个部分，多个部分中的每一个包括用于调节从导光板发射的光的输出方向的一组光栅图案， 它包括。
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公开(公告)号：KR1020170035652A
公开(公告)日：2017-03-31
申请号：KR1020150134817
申请日：2015-09-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B26/04 , G02B6/0051 , G02B6/0068 , G02B26/023 , G09G3/3413 , G09G3/3473
Abstract: 거울디스플레이및 그제조방법이개시된다. 개시된거울디스플레이는, 적어도하나의제1개구를가지는제1전극층과, 상기제1전극층으로부터이격되게배치되고, 상기제1개구와마주보지않도록배치된적어도하나의제2개구를가지는제2전극층을포함하고, 상기제2전극층이기판에구비되고, 제2전극층이거울디스플레이로부터의영상광이출사되는방향에구비될수 있다.
Abstract translation: 公开了一种镜面显示器及其制造方法。 所公开的镜面显示器包括具有至少一个第一孔的第一电极层和与第一电极层隔开的第二电极层，并且具有至少一个第二孔，该第二孔设置成不面向第一孔， 第二电极层可以设置在基板上，并且第二电极层可以设置在发射来自镜面显示器的图像光的方向上。
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公开(公告)号：KR101710714B1
公开(公告)日：2017-02-27
申请号：KR1020090136216
申请日：2009-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B81C1/00063 , B81B2201/0271 , B81C1/00619 , B81C2201/019 , H01J25/34 , H01L25/50 , H01L2924/0002 , H01P11/003 , H01L2924/00
Abstract: 관통식각홀패턴과제1비관통식각홀패턴이형성된제1기판과제1기판의관통식각홀패턴에대응되는위치에동일한제2비관통식각홀패턴이형성된제2기판을접합하여만든멤스소자에대하여개시된다. 또한제 1기판과제2기판이접합된것을제1구조체와제 1구조체와같은구조의제2구조체를서로접합한멤스소자에대하여개시된다.
Abstract translation: 提供了包括第一结构100和第二结构200的微机电系统（MEMS）。第一结构和第二结构可以各自包括第一基板110和第二基板120.每个结构的第一基板可以具有第一和第二表面 面对面。 第一基板可以包括穿过第一表面和第二表面的通孔蚀刻孔图案和穿过第一表面的第一非通孔蚀刻孔图案。 每个结构的第二基板120可以具有彼此面对的第三和第四表面。 第二基板可以包括在对应于第一基板的通孔蚀刻孔图案的位置中穿透第三表面的第二非通孔蚀刻孔图案。 在微电子机械系统（MEMS）中，第一基板的第二表面和第二基板的第三表面可以结合在一起。
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公开(公告)号：KR1020160011104A
公开(公告)日：2016-01-29
申请号：KR1020140092162
申请日：2014-07-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B06B1/0292
Abstract: 초음파변환기및 초음파변환기의제조방법이개시된다. 개시된초음파변환기는, 기판, 제1절연층, 제1박막층을포함하는웨이퍼, 상기제1박막층상의지지부, 상기지지부에의해지지되는제2박막층, 제1박막층과제2박막층사이의캐비티, 및상기제2박막층상의공통접지전극을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种超声换能器及其制造方法。 所公开的超声换能器包括：基底; 第一绝缘层; 包括第一薄膜层的晶片; 在第一薄膜层上的支撑部分; 由所述支撑部支撑的第二薄膜层; 第一薄膜层和第二薄膜层之间的空腔; 以及第二薄膜层上的公共接地电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130076530A
公开(公告)日：2013-07-08
申请号：KR1020110145157
申请日：2011-12-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B06B1/0292 , Y10T29/49005
Abstract: PURPOSE: An ultrasonic wave converter structure, an ultrasonic wave converter, and a manufacturing method thereof are provided to increase reliability for long time operation by minimizing electrically connected parts of a first circuit board and a second circuit board. CONSTITUTION: A driving wafer (10) includes a driving circuit. An ultrasonic wave converter wafer (20) is included on the driving wafer. The ultrasonic wave converter includes a first wafer and a second wafer. The first wafer includes a connecting hole. The second wafer is separately arranged from the first wafer.
Abstract translation: 目的：提供超声波转换器结构，超声波转换器及其制造方法，通过使第一电路板和第二电路板的电连接部分最小化来提高长时间运行的可靠性。 构成：驱动晶片（10）包括驱动电路。 超声波转换晶片（20）包括在驱动晶片上。 超声波转换器包括第一晶片和第二晶片。 第一晶片包括连接孔。 第二晶片与第一晶片分开布置。
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公开(公告)号：KR1020110079222A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090136216
申请日：2009-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B81C1/00063 , B81B2201/0271 , B81C1/00619 , B81C2201/019 , H01J25/34 , H01L25/50 , H01L2924/0002 , H01P11/003 , B81B7/02 , B81B7/00 , B81C1/00 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A MEMS element for a Tera Hz oscillator and a manufacturing method thereof are provided to solving problems with depth deviation of the etching floor and curvature radius of edge, which occur as etching depth becomes deeper when a MEMS element is manufactured. CONSTITUTION: A MEMS element for a Tera Hz oscillator comprises a pattern of a penetrating etching hole(150), a first substrate(110), a second substrate(120) and a first structure(100). The first substrate comprises a first face and a second face and the penetrating etching hole pattern passes through the first and second faces. A first pattern of a non-penetrating etching hole is formed on the first face of the first substrate. The second substrate comprises a third face and a fourth face and a second pattern of a non-penetrating etching hole is formed on the third face to face the penetrating etching hole pattern of the first substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种用于Tera Hz振荡器的MEMS元件及其制造方法，用于解决当制造MEMS元件时蚀刻深度变深时出现的腐蚀底板的深度偏差和边缘的曲率半径的问题。 构成：用于Tera Hz振荡器的MEMS元件包括穿透蚀刻孔（150），第一衬底（110），第二衬底（120）和第一结构（100）的图案。 第一基板包括第一面和第二面，并且穿透蚀刻孔图案通过第一和第二面。 在第一基板的第一面上形成非贯通蚀刻孔的第一图案。 第二基板包括第三面和第四面，并且在第三面上形成非穿透蚀刻孔的第二图案，以面对第一基板的穿透蚀刻孔图案。
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公开(公告)号：KR100698287B1
公开(公告)日：2007-03-22
申请号：KR1020050008706
申请日：2005-01-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명의 박막벌크음향공진기는, 소정 크기의 에어갭이 식각되어 관통형성된 기판과: 에어갭의 상부에 위치되며, 제1전극, 압전막 및 제2전극이 차례로 적층된 공진부; 및 에어갭과 공진부 사이에 설치되어 에어갭의 형성을 형성시 식각깊이를 제한하여 공진부의 손상을 방지하는 식각 저지층;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
FBAR, 에어갭, 질화알루미늄(AlN), 크롬(Cr), 식각, 공진부-
公开(公告)号：KR100662848B1
公开(公告)日：2007-01-02
申请号：KR1020050126049
申请日：2005-12-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/02
Abstract: An inductor integrated chip and a method of manufacturing the same are provided to reduce a resistance value and a parasitic component by applying an electric current to an inductor through a connection electrode formed on a packaging wafer. An inductor integrated chip includes a wafer(110), an inductor(130) layered on one surface of the wafer, a circuit element(140) provided on the surface of the wafer and connected to one end of the inductor, a packaging wafer(180) adhered on the surface of the wafer to package the circuit element, and connection electrodes(160,170) formed on the packaging wafer and connected to the other end of the inductor. The connection electrode has a surface-type connection electrode connected to the other end of the inductor and a penetration-type connection electrode connected to the surface-type connection electrode.
Abstract translation: 提供了一种电感器集成芯片及其制造方法，以通过在封装晶片上形成的连接电极向电感器施加电流来降低电阻值和寄生成分。 电感集成芯片包括晶片（110），在晶片的一个表面上层叠的电感器（130），在晶片的表面上提供并连接到电感器的一端的电路元件（140），封装晶片 180）粘附在晶片的表面上以封装电路元件，连接电极（160,170）形成在封装晶片上并连接到电感器的另一端。 连接电极具有连接到电感器的另一端的表面型连接电极和连接到表面型连接电极的穿透型连接电极。
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公开(公告)号：KR100461002B1
公开(公告)日：2004-12-09
申请号：KR1020020063608
申请日：2002-10-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: B81B7/0006 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: A metal wiring method for an undercut in a MEMS packaging process includes disposing a MEMS element on a silicon substrate, welding a glass wafer to an upper portion of the silicon substrate having the MEMS element disposed thereon, the glass wafer having a hole formed therein for connecting a metal wiring, depositing a thin metal film for the metal wiring in the hole, and ion-milling the deposited thin metal film. By the ion-milling, the method is capable of connecting a metal wiring to a via hole having an undercut.
Abstract translation: 在MEMS封装工艺中用于底切的金属布线方法包括：将MEMS元件设置在硅衬底上，将玻璃晶片焊接到其上设置有MEMS元件的硅衬底的上部，所述玻璃晶片具有形成在其中的孔，用于 连接金属布线，在该孔中沉积用于金属布线的薄金属膜，以及离子铣削沉积的薄金属膜。 通过离子铣削，该方法能够将金属布线连接到具有底切的通孔。 ＆lt;图像＆GT;
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