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公开(公告)号:KR1020100040222A
公开(公告)日:2010-04-19
申请号:KR1020080099353
申请日:2008-10-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7613 , B82Y10/00 , H01L29/1029 , H01L29/16 , H01L29/1606 , H01L29/66977
Abstract: PURPOSE: A quantum interference transistor using a grapheme and a method for manufacturing and operating the same are provided to widen the application range of the transistor by forming a source, a drain and a channel with a graphene sheet. CONSTITUTION: Channels include a plurality of passages between a source(40) and a drain(42). A gate(56G) is arranged on the channels. The channels are graphene sheets. The gate is arranged on the upper side and the lower side of the graphene sheets. A gate insulation layer is arranged between the gate and the graphene sheets. The gate covers a part of the graphene sheet channels.
Abstract translation: 目的:提供使用图形的量子干涉晶体管及其制造和操作方法,以通过用石墨烯片形成源极,漏极和沟道来扩大晶体管的应用范围。 构成:通道包括在源(40)和排水口(42)之间的多个通道。 通道上设有一个门(56G)。 通道是石墨烯片。 栅极布置在石墨烯片的上侧和下侧。 栅极绝缘层设置在栅极和石墨烯片之间。 门覆盖石墨烯片通道的一部分。
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公开(公告)号:KR1020090106169A
公开(公告)日:2009-10-08
申请号:KR1020080031714
申请日:2008-04-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01F27/00
CPC classification number: H01F17/0006 , H01F21/005 , H01F21/02 , H01F27/34 , H01F41/045 , H03H2001/0092
Abstract: PURPOSE: An inductor and an operating method thereof are provided to secure uniformity and reproduction and prevent problem due to misalignment using graphene. CONSTITUTION: An inductor includes a conductive line(C1), a first electrode(E1), a second electrode(E2), and a first unit. The conductive line includes a first material whose electric resistance is changed according to the electric field. The first material includes a graphene. The first electrode and the second electrode are electrically connected to both sides of the conductive line. The first unit applies the electric field to the conductive line. The first unit is a conductor(100) separated from the conductive line.
Abstract translation: 目的:提供电感器及其操作方法以确保均匀性和再现性,并且防止由于使用石墨烯的不对准而引起的问题。 构成:电感器包括导线(C1),第一电极(E1),第二电极(E2)和第一单元。 导线包括其电阻根据电场而改变的第一材料。 第一种材料包括石墨烯。 第一电极和第二电极电连接到导线的两侧。 第一单元将电场施加到导线上。 第一单元是与导线分离的导体(100)。
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公开(公告)号:KR1020090009049A
公开(公告)日:2009-01-22
申请号:KR1020070072485
申请日:2007-07-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01H1/0094 , Y10T29/49105
Abstract: An electromechanical switch and a manufacturing method thereof are provided to operate a switch with less electricity by using graphene which is easily transformed by an external electric field. An electromechanical switch comprises a source electrode(50), a gate electrode(10), a drain electrode(20) and an elasticity conductive layer(40). The source electrode, the gate electrode and the drain electrode are separated from each other on a substrate(100) and are arranged. The elasticity conductive layer moves with an electric field. The elasticity conductive layer comprises one or more graphene layers. The elasticity conductive layer is contacted to the source electrode. The elasticity conductive layer is separated from the gate electrode and drain electrode and is formed. One end of the elasticity conductive layer is contacted to the source electrode. The other end of the elasticity conductive layer is positioned above the drain electrode. The gate electrode is located on the substrate between one end and the other end of the elasticity conductive layer. A support stand(30) is arranged between the substrate and the source electrode.
Abstract translation: 提供一种机电开关及其制造方法,通过使用容易被外部电场变换的石墨烯来操作具有较少电力的开关。 机电开关包括源极(50),栅电极(10),漏电极(20)和弹性导电层(40)。 源电极,栅电极和漏电极在基板(100)上彼此分离,并被布置。 弹性导电层随电场而移动。 弹性导电层包括一个或多个石墨烯层。 弹性导电层与源电极接触。 形成弹性导电层与栅电极和漏电极分离。 弹性导电层的一端与源电极接触。 弹性导电层的另一端位于漏电极的上方。 栅电极位于弹性导电层的一端与另一端之间的基板上。 支撑架(30)设置在基板和源电极之间。
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公开(公告)号:KR101878745B1
公开(公告)日:2018-08-20
申请号:KR1020110113585
申请日:2011-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/772 , B82Y40/00 , H01L21/8232 , H01L27/0688 , H01L29/1606 , H01L29/41758 , H01L29/518 , H01L29/778 , H01L29/78606 , H01L29/78684 , Y10S977/734 , Y10S977/842 , Y10S977/938
Abstract: 에어갭을구비한그래핀트랜지스터, 그를구비한하이브리드트랜지스터및 그제조방법이 개시된다. 개시된그래핀트랜지스터는는기판상의게이트전극과, 상기게이트전극상의그래핀채널과, 상기그래핀채널상에서서로이격된소스전극및 드레인전극과, 상기소스전극및 드레인전극상을덮으며, 상기상기소스전극및 상기드레인전극사이에에어갭을형성하는커버를포함한다.
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公开(公告)号:KR101878743B1
公开(公告)日:2018-07-16
申请号:KR1020120003079
申请日:2012-01-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78684 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/78696
Abstract: 그래핀을포함하는스위칭소자가개시된다. 개시된그래핀스위칭소자는, 기판상에형성된제 1전극및 제 2전극사이의반도체층, 그래핀층, 게이트절연층및 게이트의적층구조를 3차원형태로형성함으로써, 3차원구조의그래핀스위칭소자를제공할수 있다.
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公开(公告)号:KR101791938B1
公开(公告)日:2017-11-02
申请号:KR1020100138041
申请日:2010-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/41733 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 복수의그래핀채널층을구비한그래핀전자소자가개시된다. 개시된그래핀전자소자는기판상의게이트전극과, 상기기판상에서상기게이트전극을덮는제1 게이트절연막과, 상기제1 게이트절연막상에서, 그사이에제2 게이트절연막이개재된복수의그래핀채널층과, 상기복수의그래핀채널층의각 그래핀채널층의양단부와연결된소스전극및 드레인전극을구비한다.
Abstract translation: 公开了具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。 它公开的石墨烯电子器件和覆盖在栅电极上的栅电极的第一栅极绝缘膜,和在基板上的基板,栅极上的第一绝缘膜,以及所述多个第二栅极绝缘膜的隔着鳍沟道层; 并且源电极和漏电极连接到多个石墨烯沟道层中的每个石墨烯沟道层的两端。
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公开(公告)号:KR101736971B1
公开(公告)日:2017-05-30
申请号:KR1020100095971
申请日:2010-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66477 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/1079 , H01L29/1606 , H01L29/66045 , H01L29/66742 , H01L29/78 , H01L29/78603 , H01L29/78606 , H01L29/78684 , Y10S977/734 , Y10S977/838 , Y10S977/842
Abstract: 그래핀전자소자및 제조방법이개시된다. 개시된그래핀전자소자는소수성폴리머층상에형성된그래핀채널층과, 그래핀채널층상에배치된패시베이션층을구비한다. 소수성폴리머층은전사된그래핀에불순물이흡착되는것을억제하며, 열처리된그래핀채널층은패시베이션층에의해서다른불순물의흡착이방지된다.
Abstract translation: 本发明公开了一种石墨烯电子器件及其制造方法。 所公开的石墨烯电子器件具有形成在疏水性聚合物层上的石墨烯沟道层和设置在石墨烯沟道层上的钝化层。 疏水聚合物层被从所述转移的石墨烯是吸附的杂质抑制,经热处理的石墨烯沟道层是其它杂质吸附通过所述钝化层被防止。
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公开(公告)号:KR101718961B1
公开(公告)日:2017-03-23
申请号:KR1020100109778
申请日:2010-11-05
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/41758 , H01L29/66477 , H01L29/778
Abstract: 그래핀을포함하는반도체소자및 그제조방법이개시된다. 개시된반도체소자는게이트전극과그래핀층사이에게이트절연층이형성될수 있으며, 나머지그래핀층하부에는층간절연막이형성될수 있다. 게이트절연막은층간절연막보다높은유전율을지닌물질로형성될수 있다.
Abstract translation: 公开了包括石墨烯的半导体器件及其制造方法。 在所公开的半导体器件中,栅极绝缘层可以形成在栅电极和石墨烯层之间,并且层间绝缘层可以形成在剩余的石墨烯层下面。 栅极绝缘膜可以由具有比层间绝缘膜更高的介电常数的材料形成。
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公开(公告)号:KR101715355B1
公开(公告)日:2017-03-13
申请号:KR1020100120614
申请日:2010-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0657 , H01L29/1606
Abstract: 그래핀전자소자가개시된다. 개시된그래핀전자소자는게이트전극, 상기게이트전극상에배치된게이트옥사이드, 상기게이트옥사이드상의그래핀채널층, 상기그래핀채널층의양단에각각배치된소스전극과드레인전극을구비한다. 상기그래핀채널층에는복수의나노홀이상기그래핀채널층의폭 방향으로하나의줄을형성할수 있다.
Abstract translation: 石墨烯电子器件包括栅电极,设置在栅电极上的栅极氧化物,形成在栅极氧化物上的石墨烯沟道层,以及分别设置在石墨烯沟道层两端的源电极和漏电极。 在石墨烯通道层中,多个纳米孔在石墨烯通道层的宽度方向上以单一线排列。
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公开(公告)号:KR101694877B1
公开(公告)日:2017-01-11
申请号:KR1020090098778
申请日:2009-10-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , B82B3/00
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/42384 , H01L29/66742 , H01L29/7781 , H01L29/78645 , H01L29/78684
Abstract: 그라핀소자및 그제조방법이개시되어있다. 개시된그라핀소자는임베디드게이트(embeded gate) 상에형성된상부산화막과상기상부산화막상에구비된그라핀채널및 전극들을포함한다. 상기기판상에 1개또는이격된복수의임베디드게이트가구비될수 있다. 상기그라핀채널과상기전극들은순차적으로적층되거나그 반대로적층될수 있다.
Abstract translation: 提供了一种石墨烯装置及其制造方法。 石墨烯装置可以包括在至少一个嵌入式栅极上的上部氧化物层,以及石墨烯通道和上部氧化物层上的多个电极。 至少一个嵌入式栅极可以形成在衬底上。 可以在多个电极上形成石墨烯通道,或者可以在石墨烯通道上形成多个电极。
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