公开(公告)号：KR102146339B1

公开(公告)日：2020-08-20

申请号：KR1020180052054

申请日：2018-05-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이택진 ,  김재헌 ,  김철기 ,  이정호

IPC: G01S5/00 ,  G01S11/06 ,  H04W64/00

公开(公告)号：KR102128398B1

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：KR1020180080785

申请日：2018-07-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이택진 ,  김재헌 ,  김철기 ,  이정호 ,  신범주

IPC: G01S5/02 ,  G01S11/06 ,  H04W64/00

公开(公告)号：KR1020160050304A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：KR1020140148176

申请日：2014-10-29

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이택진 ,  이석 ,  김선호 ,  전영민 ,  김재헌 ,  김철기 ,  서민아 ,  이정호 ,  신범주 ,  신기철 ,  장홍규

IPC: A61B5/11 ,  A61B5/00

CPC classification number: A61B5/112 ,  A61B5/1123 ,  A61B5/6828 ,  A61B2562/0219 ,  A61H2201/5084 ,  A63B2220/22

Abstract: 본명세서는사용자의개별화된걸음특성을반영하여보폭을추정하는장치및 방법에관한것이다. 본명세서에따른사용자의보폭을추정하는보폭추정장치는, 상기보폭추정장치의가속도를측정하여가속도신호로서출력하는가속도센서, 보폭추정장치의각 움직임을측정하여자이로신호로서출력하는자이로센서, 및사용자의걸음특성유형및 상기사용자의모션유형에따라상이한파라미터들을갖도록구성된선형방정식에가속도신호또는자이로신호로부터추출된걸음특성값을대입하여, 사용자의보폭을추정하는보폭추정부를포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及通过反映用户的个性化行走特征来估计步幅的装置和方法。 根据本发明的实施例的用于估计步幅的装置包括：加速度传感器，用于测量装置的加速度并输出加速度作为加速度信号; 陀螺仪传感器，用于测量装置的运动并输出运动作为陀螺仪信号; 以及步幅估计单元，用于通过根据步行特征图案和用户的运动模式，将从加速度信号或陀螺仪信号中提取出的步行特征输入到具有不同参数的线性方程中来估计用户步幅。

公开(公告)号：KR1020140114488A

公开(公告)日：2014-09-29

申请号：KR1020130027196

申请日：2013-03-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이택진 ,  이석 ,  우덕하 ,  변영태 ,  김재헌 ,  이정호 ,  신범주 ,  김철기 ,  전영민 ,  김선호

IPC: G01C5/06 ,  H04B1/40

CPC classification number: G01C5/06 ,  G01C21/30 ,  G01S19/13 ,  H04B1/38 ,  H04W4/02

Abstract: The present invention relates to a method for measuring altitude using virtual calibration, capable of obtaining accurate information on a floor where a portable device is positioned in a high-rise building by measuring the altitude using an atmospheric pressure sensor installed in the user device without a network like an existing way, and a portable device performing the same. The objective of the present invention can be achieved by providing the method for measuring the altitude of a portable device using virtual calibration comprising (a) a step of receiving a satellite navigation signal; (b) a step of determining whether or not a user enters the dead area of satellite navigation while tracking the position of the user using the satellite navigation; (c) a step of storing an initial altitude value and an initial atmospheric pressure value at the start position of the dead area of the satellite navigation; and (d) a step of estimating the altitude of the user through the variation of an atmospheric pressure value measured by the atmospheric pressure sensor of the user terminal based on the initial altitude value and the initial atmospheric value.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用虚拟校准来测量高度的方法，其能够通过使用安装在用户设备中的大气压力传感器测量高度来获得便携式设备位于高层建筑物中的地板上的准确信息，而无需使用 网络像现有的方式，以及执行相同的便携式设备。 本发明的目的可以通过提供使用虚拟校准来测量便携式设备的高度的方法来实现，该方法包括：（a）接收卫星导航信号的步骤; （b）确定在使用卫星导航跟踪使用者的位置时用户是否进入卫星导航的死区的步骤; （c）在卫星导航的死区的起始位置存储初始高度值和初始大气压值的步骤; 以及（d）基于初始高度值和初始大气值，通过由用户终端的大气压力传感器测量的大气压力值的变化来估计用户的高度的步骤。

公开(公告)号：KR100502884B1

公开(公告)日：2005-07-25

申请号：KR1020010088867

申请日：2001-12-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원준 ,  한일기 ,  박용주 ,  조운조 ,  김은규 ,  이정일 ,  이정호

IPC: H01L29/15

Abstract: 본 발명은 InGaAs/GaAs 양자점 에너지 밴드갭을 조정하는 방법에 관한 것으로서, InGaAs/GaAs 양자점 기판을 성장하는 단계와, InGaAs/GaAs 양자점 기판에 2중 유전체 덮개층을 성장하는 단계와, 2중 유전체 덮개층이 성장된 InGaAs/GaAs 양자점 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 InGaAs/GaAs 양자점 에너지 밴드갭 조정 방법을 제공한다. InGaAs/GaAs 양자점 기판에 유전체 덮개층으로 SiN
x 와 SiO
2 를 성장하고, 700℃에서 1 내지 4분간 열처리한 결과, InGaAs/GaAs 양자점 기판에 국부적으로 다른 에너지 밴드갭이 형성되었고 공정 조건에 의존하여 에너지 밴드갭의 이동량이 변화하는 것을 관찰하며, 이와 함께 반치폭 값의 감소 현상과 스펙트럼 강도의 증가 현상을 관찰한다.

公开(公告)号：KR1020030058418A

公开(公告)日：2003-07-07

申请号：KR1020010088867

申请日：2001-12-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원준 ,  한일기 ,  박용주 ,  조운조 ,  김은규 ,  이정일 ,  이정호

IPC: H01L29/15

Abstract: PURPOSE: A method for controlling an energy band gap of InGaAs/GaAs quantum dot by combination of a dielectric capping layer in a quantum dot disorder method is provided to form different band gap regions on the same InGaAs/GaAs quantum dot substrate by coating a dielectric capping layer on a quantum dot structure and performing a thermal process. CONSTITUTION: A method for controlling an energy band gap of InGaAs/GaAs quantum dot by using a dielectric capping layer includes a dielectric combination formation process and an energy band gap formation process. The dielectric combination formation process is to form a dielectric combination on a quantum dot substrate by using SiNx and SiO2 as the dielectric capping layer. The quantum dot substrate having a different energy band gap is formed by performing a thermal process for the quantum dot substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种通过量子点无序方法中的介电覆盖层的组合来控制InGaAs / GaAs量子点的能带隙的方法，通过涂覆电介质在同一InGaAs / GaAs量子点基板上形成不同的带隙区域 覆盖在量子点结构上并进行热处理。 构成：通过使用介电覆盖层来控制InGaAs / GaAs量子点的能带隙的方法包括电介质组合形成工艺和能带隙形成工艺。 电介质组合形成工艺是通过使用SiN x和SiO 2作为电介质覆盖层在量子点衬底上形成电介质组合。 通过对量子点基板进行热处理，形成具有不同能带隙的量子点基板。