-
公开(公告)号：KR1020090084088A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：KR1020080010055
申请日：2008-01-31
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/027 , G02B21/02 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/0275 , B82Y40/00 , G02B21/025 , G03F7/701
Abstract: A beam shape iris diaphragm and a pattern forming device using the same are provided to expose the region to form a nano pattern without overlapping the electronic beams. An electronic beam is irradiated on a substrate on which the electron-beam resist is coated for the nano pattern formation. A plate(211) is arranged on the top of substrate and an opening(215) of the square shape is formed. The length of one side of square is set up in the range of 5 to 1000um. The electronic beam in which the nano pattern information is included is irradiated on the substrate on which the electron-beam resist is coated and the nano pattern is formed on the substrate. A beam shape iris diaphragm(210) is irradiated on the substrate, and controls the shape of the electronic beam which is arranged on the top of substrate. A substrate holder(220) moves on the plane which is parallel to the plane of the beam shape iris diaphragm.
Abstract translation: 提供光束形状的虹膜光阑和使用其的图案形成装置，以暴露该区域以形成纳米图案而不重叠电子束。 将电子束照射在其上涂覆电子束抗蚀剂的基板上进行纳米图案形成。 板（211）布置在基板的顶部上，形成正方形的开口（215）。 平方的一侧的长度设置在5到1000um的范围内。 将包含纳米图案信息的电子束照射在其上涂布电子束抗蚀剂的基板上，并且在基板上形成纳米图案。 光束形状的虹膜光阑（210）照射在基板上，并且控制布置在基板顶部的电子束的形状。 衬底保持器（220）在平行于光束形状的虹膜光阑的平面的平面上移动。
-
公开(公告)号：KR1020090075392A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：KR1020080001229
申请日：2008-01-04
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , B82Y40/00
CPC classification number: G03F7/0015 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , Y10S977/887
Abstract: A mold for uv nano-imprint lithography and a laminated structure for thereof are provided to prevent the damage of a discharge layer in surface treatment with a piranha solution by forming the discharge layer with an oxide silicon layer. A discharge layer(520) is made of a conductive material transmitting a light formed on the transparent substrate(510). A protective layer transmits the light formed on the discharge layer and prevents the damage of the protective layer. A silicon layer(540) is formed on the protective layer. An electronic beam resist layer(550) is formed on the silicon layer, and while being made of the HSQ(hydrogen silsesquioxane).
Abstract translation: 提供了一种用于uv纳米压印光刻的模具及其层压结构，以通过用氧化硅层形成放电层来防止用食人鱼溶液进行表面处理的放电层的损坏。 放电层（520）由透射形成在透明基板（510）上的光的导电材料制成。 保护层透过形成在放电层上的光并防止保护层的损坏。 在保护层上形成硅层（540）。 在硅层上形成电子束阻挡层（550），同时由HSQ（氢倍半硅氧烷）制成。
-
公开(公告)号：KR1020090068817A
公开(公告)日：2009-06-29
申请号：KR1020070136585
申请日：2007-12-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G11C13/0038 , G11C5/14 , G11C7/20 , G11C13/0004
Abstract: An operation method of the phase change memory device is provided, which recovers the phase-change layer to the steady-state by authorizing the treatment voltage greater than the reset voltage to the phase-change layer. An operation method of the phase change memory device authorizes the treatment voltage which is greater than the reset voltage to the phase-change layer. The authentication hour of the treatment voltage is longer than the authentication hour of the reset voltage. The intensity of the treatment voltage is 1.1 times or greater of the reset voltage. The authentication hour of the treatment voltage is one micro-second or greater. The treatment voltage is one pulse voltage. The treatment voltage comprises two or more pulse voltages which are consecutively applied.
Abstract translation: 提供了相变存储器件的操作方法，通过授权处理电压大于相变层的复位电压，将相变层恢复到稳态。 相变存储器件的操作方法授权处理电压大于相变层的复位电压。 处理电压的认证时间长于复位电压的认证时间。 处理电压的强度是复位电压的1.1倍以上。 治疗电压的认证时间为1微秒或更大。 处理电压为一脉冲电压。 处理电压包括连续施加的两个或更多个脉冲电压。
-
公开(公告)号：KR100904896B1
公开(公告)日：2009-06-29
申请号：KR1020080010047
申请日：2008-01-31
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0275 , G03F7/2059
Abstract: An electron beam resist developing method is provided to form a high density pattern with the minimum wiring width by developing an electron beam resist. A substrate coated with an electron beam resist is prepared(S210). The electronic beam is irradiated in the pattern formation part of substrate(S220). The irradiated substrate is developed by a first developer(S230). The impurity is etched on the electron beam resist(S240). The etched substrate is developed by a second developer(S250).
Abstract translation: 提供电子束抗蚀剂显影方法，通过显影电子束抗蚀剂形成具有最小布线宽度的高密度图案。 制备涂有电子束抗蚀剂的基材（S210）。 电子束照射在基板的图案形成部（S220）中。 照射的基板由第一显影剂显影（S230）。 在电子束抗蚀剂上蚀刻杂质（S240）。 蚀刻的衬底由第二显影剂显影（S250）。
-
公开(公告)号：KR100904894B1
公开(公告)日：2009-06-29
申请号：KR1020080010054
申请日：2008-01-31
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G03B9/07 , G02B21/0016 , G02B26/04 , H01L21/268
Abstract: An objective aperture and a pattern forming apparatus using the same are provided to obtain a clear atom image by reducing the background signal noise of a high resolution atom image and to form a clear pattern using the clear atom image. An objective lens aperture(700) comprises a central area(710) in which no opening is formed in order to reduce the background signal noise of a high resolution atom image, and a peripheral area(720) in which at least one opening(730) which passes diffraction beam, not transmitting beam. The central area is formed with a diameter more than 2La, where L is the distance between a specimen and the objective lens aperture and a is the convergence semiangle of electron beam irradiated to the specimen.
Abstract translation: 提供了一种客观孔径和使用其的图案形成装置，以通过降低高分辨率原子图像的背景信号噪声并使用清晰的原子图像形成清晰图案来获得清晰的原子图像。 物镜孔（700）包括中心区域（710），其中不形成开口以减少高分辨率原子图像的背景信号噪声;以及周边区域（720），其中至少一个开口（730） ）通过衍射光束，不发射光束。 中心区形成直径大于2La，其中L是试样和物镜孔之间的距离，a是照射到样品的电子束的会聚半径。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070105752A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：KR1020060038310
申请日：2006-04-27
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: A phase change random access memory cell and a method for manufacturing the same are provided to maintain a stable state of information stored therein by separating a phase change material such as GeSbTe by using an insulating material such as SiOx. A phase change random access memory cell includes a lower electrode, a phase change layer mixed with a phase change material on the lower electrode, and an upper electrode formed on the phase change layer. The phase change material is separated into a constant size by using the phase change material. The phase change material of the phase change layer is formed of a chalcogenide material of one element which is selected from a group including Te, Se, Ge, Sb, Bi, Pb, Sn, As, S, Si, P, and O.
Abstract translation: 提供了相变随机存取存储单元及其制造方法，以通过使用绝缘材料如SiOx分离诸如GeSbTe的相变材料来保持其中存储的信息的稳定状态。 相变随机存取存储单元包括下电极，与下电极上的相变材料混合的相变层和形成在相变层上的上电极。 通过使用相变材料将相变材料分离成恒定尺寸。 相变层的相变材料由选自由Te，Se，Ge，Sb，Bi，Pb，Sn，As，S，Si，P和O组成的一种元素的硫族化物材料形成。
-
公开(公告)号：KR100699948B1
公开(公告)日：2007-03-26
申请号：KR1020050025210
申请日：2005-03-26
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 본 발명은 나노 와이어 또는 나노 튜브의 선택적 성장을 위한 촉매 물질 양자점 배열 방법이다. 구체적으로는 촉매 물질의 균일한 분포를 가능하게 하기 위해 증착된 감광막을 광 리소그래피 또는 전자빔 리소그래피를 사용하여 일정한 패턴을 형성하고, 형성한 임의의 패턴 위에 촉매 물질을 증착한 후, 일정한 온도에서 열처리를 하여 표면 응집 현상이 발생하게 함으로써 촉매 물질 원자들이 계면 에너지가 낮아지는 방향으로 확산하여 감광막 패턴의 형태에 따라 촉매 물질 양자점들을 형성한다. 이러한 방법으로 촉매물질 양자점들의 자기 조립화가 가능하며, 또한 감광막 패턴에 의하여 촉매 물질을 격리되게 하는 자기 격리화가 가능하다.
나노 와이어, 나노 튜브, 선택적 성장, 촉매물질, 양자점-
公开(公告)号：KR1020070031714A
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020050086454
申请日：2005-09-15
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 본 발명은 상변화층과 전기적 발열체인 하부전극 간의 접촉면적을 감소시키고, 이를 통해 높은 전류밀도를 획득하여 문턱전류, 문턱전압 및 되돌이 전류 등의 값을 감소시킬 수 있는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 하부전극과, 상기 하부전극 상에 다공성 부도체 박막을 주형으로 이용하고, 상기 다공성 부도체 박막에 형성된 기공을 발열체 또는 상변화 물질로 매립시켜 형성된 오믹 컨택층과, 상기 오믹 컨택층 상에 형성된 상변화층과, 상기 상변화층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
상변화 메모리 소자, 하부전극, 발열체, 다공성 부도체 박막, 상변화 물질, 기공-
公开(公告)号：KR100577061B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020040002845
申请日：2004-01-15
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 본 발명은 대면적 기판 위에 콜로이드 용액내의 양자점을 다중 딥코팅(dip-coating) 방법을 사용하여 흡착(adsorption)함으로써 양자점의 표면 점유율을 단일층막 수준으로 균일하게 배열하는 방법에 관한 것이다. 또한, 이러한 다중 딥코팅 방법을 사용하여 기판에 균일한 배열을 가지는 양자점 클러스터 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
양자점, 나노입자, 다중 딥코팅, 흡착, 콜로이드 용액, 표면점유율, 다중양자점층 형성-
公开(公告)号：KR100925223B1
公开(公告)日：2009-11-06
申请号：KR1020080001229
申请日：2008-01-04
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , B82Y40/00
Abstract: UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드 및 UV 나노 임프린트 리소그라피용 몰드 제조를 위한 적층구조물이 개시된다. 본 발명에 따른 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드는 투명기판, 투명기판 상에 형성된 광을 투과시키는 전도성 물질로 이루어진 방전층, 방전층 상에 형성된 광을 투과시키고 방전층의 손상을 방지하는 보호층, 보호층 상에 형성된 패터닝된 실리콘층을 구비한다. 본 발명에 따르면, 방전층을 보호하는 산화실리콘층이 방전층 상에 형성되어 있어 피라나 용액으로 표면처리시에 방전층이 손상되지 않는다. 또한, 본 발명에 따른 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드는 한 번의 식각공정으로 간단하게 형성되므로 제조비용을 절감할 수 있고, 큰 종횡비(aspect ratio)를 가지므로 설계대로 명확하게 패터닝을 할 수 있게 된다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
47
records
(took 0.032 seconds)
