Abstract:
Provided is a method of manufacturing a sensor structure, where vertically-well-aligned nanotubes are formed and the sensor structure having an excellent performance can be manufactured at the room temperature at low cost by using the nanotubes. The method of manufacturing a sensor structure includes: (a) forming a lower electrode on a substrate; (b) forming an organic template having a pore structure on the lower electrode; (c) forming a metal oxide thin film in the organic template; (d) forming a metal oxide nanotube structure, in which nanotubes are vertically aligned and upper portions thereof are connected to each other, by removing the organic template through a dry etching method; and (e) forming an upper electrode on the upper portions of the nanotubes.
Abstract:
본 발명은 플라스마 원자층 증착법(plasma-enhanced atomic layer deposition; PE-ALD)을 이용하여 금속 나노 구조물을 제작함에 있어서, 그 형상을 정확하게 조절할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 제조방법에 의하면, 금속 나노 구조물의 길이는 정해진 성장속도를 기본으로 성장 사이클로서 조절할 수 있으며, 지름은 기판의 온도를 조절함으로써 변화시킬 수 있다. 이 두 가지 요소를 적절히 혼합하면, 크기와 모양이 다른 여러 가지 나노 구조물 (나노 점, 나노 막대, 나노 선 등)을 손쉽게 대면적 기판 위에 제작할 수 있다. 금속 나노 구조, 나노 막대, 나노 점, 나노 선, 플라스마 원자층 증착법, 원자층 증착법
Abstract:
본 발명은 초 임계 유체 증착법 (Supercritical Fluid Deposition; SCFD)을 이용하여 기판 위에 금속 나노 구조물을 제작하고, 그 형태와 크기를 조절하는 기술이다. 본 발명에서는 금속 나노 구조물의 형태와 크기를 기판의 온도 또는 금속 전구체의 농도를 조절함으로써 변화시킬 수 있고, 이러한 공정기술을 이용하면, 나노 점에서 박막까지 나노 구조물의 형태와 크기를 연속적으로 변화시키면서 손 쉽게 대면적 기판 위에 제작할 수 있으며, 평판뿐만 아니라, 입체적인 기판 위에도 제작 가능하다. 초 임계 유체 박막 증착 방법, 금속 나노 구조, 나노 점, 나노 크리스털 메모리, 플래시 메모리
Abstract:
PURPOSE: A manufacturing method of a metal nanostructure using supercritical fluid is provided to control the density, the shape, and the size of the metal nanostructure by controlling the deposition temperature of a metal precursor. CONSTITUTION: A manufacturing method of a metal nanostructure using supercritical fluid comprises the following steps: inserting reaction gas to a chamber including a substrate; setting the reaction temperature of the substrate; mixing a metal precursor with a solvent in a supercritical fluid state, and inserting the mixture to the chamber to react with the reaction gas; and removing non-reactants.
Abstract:
본 발명은 종류가 다른 두 층의 강유전체 박막을 적층 할 때 발생하는 임프린트(imprint) 현상을 이용하여, 인가 전기장의 방향에 따라 두 가지의 다른 크기를 갖고 외부의 전원이 없이도 형상이 기억되는 형상 기억(shape memory) 방법 및 이를 이용한 소자에 관한 것이다. 강유전체에 임프린트 현상이 발생할 경우, 외부의 전기장이 가해지지 않더라도 즉 외부 전원이 없더라도, 두 가지의 서로 다른 크기의 압전 성질을 갖게 되며, 이는 내부의 전기적 불균형에 의한 것이다. 본 발명은 종류가 다른 두 층의 강유전체 박막 구조와 형성된 두 층으로 이루어진 강유전체 박막 구조와 형성된 박막 구조의 박막 두께 비 조절을 통해, 내부의 전기적인 불균형의 조절이 가능하도록 한 것을 특징으로 한다. 다층 박막, 강유전체, 임프린트, 형상 기억
Abstract:
본 발명은 자기조립 블록공중합체 나노템플레이트를 실리콘 기판의 산화막 상에 형성하고 산화막을 건식식각하여 블록공중합체 나노템플레이트의 나노패턴을 산화막에 이전한 후, 나노패턴이 이전된 실리콘 산화막을 이용한 실리콘 게르마늄의 선택적 에피 성장을 통해 균일하고 정렬도가 높은 나노점을 대면적으로 제조할 수 있는 실리콘 게르마늄 나노점의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 형성된 나노점은 메모리 소자, 광소자 등에 직접적으로 이용할 수 있다. 나노점, 실리콘 게르마늄, 블록공중합체, 선택적 에피 성장
Abstract:
본 발명은 균일하며 높은 정렬도를 갖고 다양한 형상으로 구현될 수 있는 나노 구조물의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 (a) 산 용액에 기판을 투입하고 상기 기판상에 알루미늄을 양극산화시킴으로써, 상기 기판의 표면으로부터 수직하게 나노 크기의 구멍이 형성된 산화 알루미늄 나노 템플릿을 형성하는 단계와; (b) 원자층 증착법을 이용하여, 상기 나노 구조물을 이루는 물질로 상기 나노 템플릿에 형성된 구멍을 채우는 단계와; (c) 상기 산화 알루미늄을 제거하는 단계를 포함하는 나노 구조물의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 나노 구조물의 제조방법은 대면적으로 제조가능하며, 환경 센서나 바이오 센서로의 응용이 직접적으로 가능할 뿐 아니라, 메모리 축전기의 제작이나 연료 전지용 전극 분야 등 다양한 분야에 응용이 가능하다. 자기 조립 나노 템플릿, 양극 산화 알루미늄, 원자층 증착, 나노 구조물, 환경 센서, 바이오 센서, 대면적 공정
Abstract:
PURPOSE: A method for coating a titania thin film on the surface of a metal is provided to rapidly coat the titania thin film on the surface of the metal while preventing faults such as crack and a pin hole from being generated on the surface of the metal. CONSTITUTION: A method for coating a titania thin film on the surface of a metal comprises the following steps: washing a metal surface; and forming the titania thin film on the metal surface through a plasma-enhanced atomic layer deposition. The titania thin film has TDMAT(Trakisdimethylamidotitanium) as a precursor. The titania thin film is deposited using oxygen of plasma state as a reactive group. The deposition method comprises: a step injecting the TDMAT on a heated metal surface; a purging step for eliminating remaining precursor; injecting oxygen of plasma state to react with the TDMAT; and the purging step for removing remaining gas and by-products.